公开(公告)号：CN104253183A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201410291461.9

申请日：2014-06-26

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： R.菲克斯 ,  P.松斯特勒姆 ,  M.克奈斯尔 ,  M.韦耶斯

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/46 ,  G02B5/20 ,  G01N21/31

CPC classification number: H01L33/10 ,  G01N21/66 ,  G02B5/20

Abstract: 本发明涉及一种光学单元（4），该光学单元具有至少一个被设立用于电致发光的光学半导体器件（16）单元，利用所述光学半导体器件能产生围绕辐射最大值分布的电磁辐射，其特征在于至少一个被布置在电磁辐射的光路中的短通边缘滤波器，所述短通边缘滤波器的极限波长（λlow-pass）比辐射最大值的波长（λpeak）大能预先给定的数值。

公开(公告)号：CN104251833A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201410295817.6

申请日：2014-06-27

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： R.菲克斯 ,  P.松斯特勒姆 ,  G.德勒

IPC: G01N21/31 ,  G01B11/14

CPC classification number: H01L31/02325 ,  G01N21/31 ,  G01N2201/0612 ,  G01N2201/062

Abstract: 本发明涉及用于发射电磁辐射的装置（3），具有至少一个光学半导体元件（7）、至少一个光电二极管（5、8）和至少一个分束器（9、18），利用所述光学半导体元件能产生电磁辐射（19、20），其中所述分束器（9、18）相对于所述光学半导体元件（7）和所述光电二极管（5、8）被布置，使得由所述光学半导体元件（7）所产生的电磁辐射（19、20）的一部分（10）通过所述分束器（9、18）并且由所述光学半导体元件（7）所产生的电磁辐射（19、20）的另一部分（11）被所述分束器（9、18）反射并且被对准所述光电二极管（5、8）。