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1.

发明公开
用于调设在半导体设备的至少一个区域中的磁化的方法审中-公开

公开(公告)号：CN118160055A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202280072145.5

申请日：2022-10-12

申请人： 罗伯特·博世有限公司

发明人： S·蒂布斯 , C·克普尔尼克

IPC分类号： H01F41/30

摘要： 本发明涉及一种用于通过下述方式使半导体设备(12)的至少一个区域(10)磁化的方法：借助第一光束(14)至少将所述至少一个区域(10)的反铁磁层(10a)加热到至少所述反铁磁层(10a)的阈值温度，和至少在冷却所述至少一个区域(10)的先前至少被加热到所述阈值温度的反铁磁层(10a)期间，在在所述至少一个区域(10)的铁磁层(10b)中待引起的磁化的第一方向上施加第一外部磁场，其中，在借助所述第一光束(14)至少将所述至少一个区域(10)的反铁磁层(10a)加热到至少所述反铁磁层(10a)的阈值温度之前，在所述半导体设备(12)的包括所述至少一个区域(10)的至少第一子容积(12a)上和/或中布置至少一个吸收和/或抗反射层(16)。