公开(公告)号：CN103913946B

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201310757477.X

申请日：2013-12-31

Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司

Inventor： G·珀勒斯 ,  C-B·徐 ,  K·劳维尔

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

Abstract: 光刻胶图案修剪方法。提供修剪光刻胶图案的方法。该方法包括：(a)提供半导体衬底；(b)在衬底上形成光刻胶图案，其中由化学放大光刻胶组合物来形成光刻胶图案，该化学放大光刻胶组合物包括含有酸不稳定性基团的母体聚合物；光生酸剂和溶剂；(c)将光刻胶修剪组合物涂覆到衬底上的光刻胶图案之上，其中，该修剪组合物包括：母体聚合物，不含氟的芳香酸；以及溶剂；(d)加热涂覆后的衬底，从而改变光刻胶图案表面区域中的光刻胶母体聚合物的极性；以及(e)使光刻胶图案接触清洗剂，除去光刻胶图案的表面区域，从而形成经修剪的光刻胶图案。该方法特别适用于半导体装置的制造中。

公开(公告)号：CN103913946A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201310757477.X

申请日：2013-12-31

Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司

Inventor： G·珀勒斯 ,  C-B·徐 ,  K·劳维尔

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/405 ,  G03F7/0397

Abstract: 光刻胶图案修剪方法。提供修剪光刻胶图案的方法。该方法包括：(a)提供半导体衬底；(b)在衬底上形成光刻胶图案，其中由化学放大光刻胶组合物来形成光刻胶图案，该化学放大光刻胶组合物包括含有酸不稳定性基团的母体聚合物；光生酸剂和溶剂；(c)将光刻胶修剪组合物涂覆到衬底上的光刻胶图案之上，其中，该修剪组合物包括：母体聚合物，不含氟的芳香酸；以及溶剂；(d)加热涂覆后的衬底，从而改变光刻胶图案表面区域中的光刻胶母体聚合物的极性；以及(e)使光刻胶图案接触清洗剂，除去光刻胶图案的表面区域，从而形成经修剪的光刻胶图案。该方法特别适用于半导体装置的制造中。