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公开(公告)号：CN103513514B
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201310364299.4
申请日：2013-06-25
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
Abstract: 提供了一种新颖的光致抗蚀剂组合物，该组合物包含一种组分，所述组分含有酰胺基团和多个羟基。优选地，本发明的光致抗蚀剂可以包含：具有光生酸不稳定性基团的树脂；光致产酸剂化合物；以及酰胺组分，所述酰胺组分包含多个羟基，可以用来减少光致酸从光致抗蚀剂涂层未曝光的区域扩散到外部的不利现象。
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公开(公告)号：CN103915331B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201310757504.3
申请日：2013-12-31
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/266 , G03F7/091 , G03F7/405 , H01L21/0206 , H01L21/02118 , H01L21/0273 , H01L21/31058
Abstract: 本发明提供了在半导体器件中形成离子注入区域的方法。该方法包括：(a)提供具有多个待进行离子注入的区域的半导体基材；(b)在半导体基材上形成一个光刻胶图案，其中所述光刻胶图案由包含具有酸不稳定性基团的基质聚合物、光生酸剂和溶剂的化学放大型光刻胶组合物形成；(c)在光刻胶图案上涂覆清除浮渣组合物，其中所述清除浮渣组合物包含：基质聚合物；生酸剂，其选自热生酸剂、光生酸剂以及它们的组合，以及一种溶剂；(d)使得所述涂覆的半导体基材暴露于一些条件，以在清除浮渣组合物中从所述生酸剂产生酸；(e)使涂覆的半导体基材接触漂洗剂以从基材去除残留的清除浮渣组合物和浮渣；以及(f)使用所述光刻胶图案作为注入掩模，对所述半导体基材的多个区域进行注入。该方法特别适用于半导体器件的制造。
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公开(公告)号：CN102591145B
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201110455160.1
申请日：2011-09-14
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
CPC classification number: G03F7/0397 , G03F7/0045 , G03F7/0382
Abstract: 包含多酰胺组分的光刻胶。提供了包含两个或多个酰胺基团的组分的新的光刻胶组合物。本发明优选的光刻胶可包括具有光致酸不稳定基团的树脂；光致酸产生剂化合物；和多酰胺组份，其可用于减少在光刻胶涂层的非曝光区域中不需要的光生酸扩散。
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公开(公告)号：CN102194673A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010625128.9
申请日：2010-12-15
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
Inventor： G·珀勒斯
IPC: H01L21/266 , G03F7/075 , H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/0085 , G03F7/0397 , G03F7/0752 , G03F7/40
Abstract: 提供新型光致抗蚀剂，其包含含Si组分，且特别适用于离子注入平版印刷应用。本发明的光致抗蚀剂对位于其下的无机表面如SiON、氧化硅、氮化硅和其它无机表面，能显示出良好的粘结能力。
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公开(公告)号：CN103915331A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201310757504.3
申请日：2013-12-31
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/266 , G03F7/091 , G03F7/405 , H01L21/0206 , H01L21/02118 , H01L21/0273 , H01L21/31058 , H01L21/0274
Abstract: 本发明提供了在半导体器件中形成离子注入区域的方法。该方法包括：(a)提供具有多个待进行离子注入的区域的半导体基材；(b)在半导体基材上形成一个光刻胶图案，其中所述光刻胶图案由包含具有酸不稳定性基团的基质聚合物、光生酸剂和溶剂的化学放大型光刻胶组合物形成；(c)在光刻胶图案上涂覆清除浮渣组合物，其中所述清除浮渣组合物包含：基质聚合物；生酸剂，其选自热生酸剂、光生酸剂以及它们的组合，以及一种溶剂；(d)使得所述涂覆的半导体基材暴露于一些条件，以在清除浮渣组合物中从所述生酸剂产生酸；(e)使涂覆的半导体基材接触漂洗剂以从基材去除残留的清除浮渣组合物和浮渣；以及(f)使用所述光刻胶图案作为注入掩模，对所述半导体基材的多个区域进行注入。该方法特别适用于半导体器件的制造。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103913946A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201310757477.X
申请日：2013-12-31
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
IPC: G03F7/00 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/405 , G03F7/0397
Abstract: 光刻胶图案修剪方法。提供修剪光刻胶图案的方法。该方法包括：(a)提供半导体衬底；(b)在衬底上形成光刻胶图案，其中由化学放大光刻胶组合物来形成光刻胶图案，该化学放大光刻胶组合物包括含有酸不稳定性基团的母体聚合物；光生酸剂和溶剂；(c)将光刻胶修剪组合物涂覆到衬底上的光刻胶图案之上，其中，该修剪组合物包括：母体聚合物，不含氟的芳香酸；以及溶剂；(d)加热涂覆后的衬底，从而改变光刻胶图案表面区域中的光刻胶母体聚合物的极性；以及(e)使光刻胶图案接触清洗剂，除去光刻胶图案的表面区域，从而形成经修剪的光刻胶图案。该方法特别适用于半导体装置的制造中。
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公开(公告)号：CN103792787A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201310532695.3
申请日：2013-10-30
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
Inventor： G·P·普罗科普维茨 , G·珀勒斯 , 刘骢 , C·吴 , C-B·徐
CPC classification number: G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/20 , G03F7/2041 , G03F7/26 , G03F7/40
Abstract: 提供了新的光刻胶组合物，其包含一种组分，该组分包含热致酸生成剂和遏制剂。本发明优选的光刻胶可以包含：具有对光致酸不稳定的基团的树脂；光致酸生成剂化合物；以及至少一种热致酸生成剂和至少一种遏制剂，所述遏制剂用来改进线宽粗糙度和光刻速度。
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公开(公告)号：CN102998904A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210478565.1
申请日：2012-09-10
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
CPC classification number: G03F7/004 , G03F7/0045 , G03F7/20
Abstract: 包含多酰胺组分的光致抗蚀剂。提供了一种光致抗蚀剂组合物，所述组合物包括：(a)一种或多种树脂；(b)一种或多种光致产酸剂化合物；和(c)一种或多种下式所示的多酰胺化合物：其中R1、R2、R3和R4独立选自H、(C1-C30)烷基、和酰胺取代(C1-C30)烷基；R1和R2，或R1和R3或R3和R4可与连接其上的原子一起形成5到12元杂环；和L是在羰基之间提供3到8个原子间隔的连接基团；其中多酰胺化合物没有羟基。
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公开(公告)号：CN102201333A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201010625281.1
申请日：2010-12-15
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
Inventor： G·珀勒斯
IPC: H01L21/266 , G03F7/00 , G03F7/039
CPC classification number: H01L21/266 , G03F7/0388 , G03F7/0392 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , G03F7/40 , H01L21/0274 , H01L29/36
Abstract: 光刻胶及其使用方法。本发明提供新型光刻胶，其优选包含作为独立组分的树脂、光敏组分和酚类组分。本发明优选的光刻胶可用于离子注入光刻方案。提供了一种提供离子注入的半导体基片的方法，包括：提供其上涂敷有化学放大的正性作用光刻胶组合物浮雕像的半导体基片，其中光刻胶包含树脂、光敏组分和酚类组分；和施加离子到基片上。
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公开(公告)号：CN103852973B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201310757277.4
申请日：2013-11-29
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
CPC classification number: G03F7/40 , C07C309/03 , C07C309/06 , C07D239/26 , C07D241/12 , C07D263/32 , C07D277/22 , C07D333/48 , G03F7/0397 , G03F7/09 , G03F7/091 , G03F7/11 , G03F7/30 , G03F7/405
Abstract: 本发明提供了种新的离子型热酸生成剂组合物。同样提供了光刻胶组合物、抗反射涂覆组合物,和化学修整外涂层组合物,和使用这些组合物的方法。
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