公开(公告)号：CN104725784B

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201410858389.3

申请日：2014-12-17

申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司 ,  陶氏环球技术有限公司 ,  宾州研究基金会

发明人： E·伊亚格坎 ,  G·L·阿森斯 ,  E·D·戈麦斯 ,  B·H·史密斯

IPC分类号： C08L65/00 ,  C08K5/00 ,  C08J5/18

CPC分类号： H01B1/127 ,  C08G2261/1412 ,  C08G2261/212 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/51 ,  C08G2261/512 ,  C08G2261/92 ,  C08K5/56 ,  H01L31/00 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0083 ,  H01L51/0566 ,  C08L65/00

摘要： 导电复合物、其制造方法以及包括其的产品。这里公开的组合物包括立体有规聚烷基噻吩和/或立体有规聚[2，5‑双(3‑烷基噻吩‑2‑基)噻吩并(3，2‑b)噻吩]；以及金属茂络合物；其中所述金属茂络合物以基于所述复合物的总重量的大于50wt％的量存在。这里还公开的一种制造薄膜的方法，包括在溶剂中溶解立体有规聚烷基噻吩或立体有规聚[2，5‑双(3‑烷基噻吩‑2‑基)噻吩并(3，2‑b)噻吩]以形成溶液；将金属茂络合物溶解在所述溶液中；将所述溶液设置在衬底上；并且将所述衬底退火。

公开(公告)号：CN104725784A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201410858389.3

申请日：2014-12-17

申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司 ,  陶氏环球技术有限公司 ,  宾州研究基金会

发明人： E·伊亚格坎 ,  G·L·阿森斯 ,  E·D·戈麦斯 ,  B·H·史密斯

IPC分类号： C08L65/00 ,  C08K5/00 ,  C08J5/18

CPC分类号： H01B1/127 ,  C08G2261/1412 ,  C08G2261/212 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/51 ,  C08G2261/512 ,  C08G2261/92 ,  C08K5/56 ,  H01L31/00 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0083 ,  H01L51/0566 ,  C08L65/00

摘要： 导电复合物、其制造方法以及包括其的产品。这里公开的组合物包括立体有规聚烷基噻吩和/或立体有规聚[2，5-双(3-烷基噻吩-2-基)噻吩并(3，2-b)噻吩]；以及金属茂络合物；其中所述金属茂络合物以基于所述复合物的总重量的大于50wt％的量存在。这里还公开的一种制造薄膜的方法，包括在溶剂中溶解立体有规聚烷基噻吩或立体有规聚[2，5-双(3-烷基噻吩-2-基)噻吩并(3，2-b)噻吩]以形成溶液；将金属茂络合物溶解在所述溶液中；将所述溶液设置在衬底上；并且将所述衬底退火。