公开(公告)号：CN106104809B

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201580011384.X

申请日：2015-02-26

申请人： 富士胶片株式会社

发明人： 泷泽裕雄 ,  新居辉树 ,  米久田康智 ,  吉田隼人

IPC分类号： H01L29/786 ,  C07F7/08 ,  H01L21/336 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

CPC分类号： H01L51/004 ,  C07F7/081 ,  C07F7/0812 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0073 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/0516 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/0562 ,  H01L51/0566

摘要： 本发明提供一种有机薄膜晶体管及有机薄膜晶体管的制造方法。本发明的有机薄膜晶体管在基板上具有栅极电极、有机半导体层、栅极绝缘层、源极电极及漏极电极，有机半导体层含有有机半导体及嵌段共聚物，嵌段共聚物为选自苯乙烯‑(甲基)丙烯酸酯嵌段共聚物等特定的嵌段共聚物中的至少一种或发生相分离；具备含有相分离的嵌段共聚物的有机半导体的有机薄膜晶体管的制造方法中，涂布含有有机半导体及嵌段共聚物的涂布液并进行成膜，对所得的膜进行加热而使嵌段共聚物进行自组织化。

公开(公告)号：CN108701717A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201680001002.X

申请日：2016-10-10

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 毛德丰

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L51/05

CPC分类号： H01L51/0566 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L29/786 ,  H01L51/0016 ,  H01L51/0018 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0041 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/105

摘要： 提供了一种薄膜晶体管、具有该薄膜晶体管的显示面板和显示设备、以及其制造方法。所述薄膜晶体管包括底部衬底(BS)和位于所述底部衬底(BS)上的有源层(AL)，所述有源层具有对应于沟道区(CR)的第一部分、对应于源极接触区(SCR)的第二部分、以及对应于漏极接触区(DCR)的第三部分，其中，所述第二部分和所述第三部分包括含有聚合物(P)和碳纳米管(CNT)材料的聚合物碳纳米管复合材料。

公开(公告)号：CN105097939B

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201410167228.X

申请日：2014-04-24

申请人： 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

发明人： 金元浩 ,  李群庆 ,  范守善

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  B82Y10/00

CPC分类号： H01L51/0566 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0048

摘要： 本发明涉及一种薄膜晶体管，其包括其包括一半导体层、一源极、一漏极、一绝缘层、及一栅极，所述源极与漏极间隔设置且与所述半导体层电连接。所述栅极通过所述绝缘层与所述半导体层、所述源极及漏极间隔且绝缘设置，其中，所述半导体层包括一碳纳米管复合膜，所述碳纳米管复合膜包括多根碳纳米管和多个半导体颗粒，所述半导体颗粒均匀分布于所述多根碳纳米管中，所述半导体颗粒与碳纳米管相互连接而形成一导电网络，所述半导体颗粒为一半导体片，该半导体片为由多个半导体分子层组成的层状结构，其层数为1~20，所述半导体片的面积为0.1平方微米~5平方微米，所述半导体片的厚度为2纳米~20纳米。

公开(公告)号：CN104508847B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201380032455.5

申请日：2013-06-17

申请人： 剑桥显示技术有限公司

发明人： C·纽萨姆

IPC分类号： H01L51/00 ,  H01L51/05

CPC分类号： H01L51/0039 ,  H01L21/02118 ,  H01L51/0007 ,  H01L51/0026 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/0566

摘要： 一种制备有机电子器件的半导体层方法，该方法包括：(i)从包含聚合物半导体、非聚合物半导体、第一芳族溶剂和第二芳族溶剂的溶液沉积所述半导体层，其中所述第二芳族溶剂的沸点比所述第一芳族溶剂的沸点高至少15℃；和(ii)加热所述沉积的层以蒸发所述溶剂，其中所述第一芳族溶剂具有式(I)：其中R1选自C1‑6烷基和OC1‑6烷基；和R2和R3各自独立地选自H和CC1‑6烷基。

公开(公告)号：CN107431095A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680018138.1

申请日：2016-01-27

申请人： 国立大学法人东京大学

发明人： 松井弘之 ,  竹谷纯一

IPC分类号： H01L29/786 ,  G01L1/18 ,  H01L21/336 ,  H01L29/84 ,  H01L51/05

CPC分类号： H01L51/0074 ,  G01B7/16 ,  G01L1/18 ,  H01L29/786 ,  H01L29/84 ,  H01L51/0007 ,  H01L51/0054 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/0073 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/05 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0566

摘要： 有机半导体元件20能够发挥应变传感器功能，具有基板22和在基板22上形成的有机半导体层30，有机半导体层30是有机半导体的单晶的薄膜，是由4环以上的多环芳香族化合物、或1个或多个不饱和的五元杂环化合物与多个苯环形成的4环以上的多环化合物。由于有机半导体层30是以单晶的薄膜的形式形成，所以无论形成手法如何，都形成相同的结晶结构。因此，如果施予相同的应变，则形成相同的载流子的迁移率，对应变具有均一的特性。因此，能够提供特性均一的应变传感器。

公开(公告)号：CN107369762A

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201710328625.4

申请日：2017-05-11

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 金胜勋 ,  权晓贞 ,  洪日和 ,  宋昇勇 ,  曹尚焕

IPC分类号： H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC分类号： H01L51/0545 ,  H01L51/0034 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0041 ,  H01L51/0566 ,  H01L51/0529 ,  H01L51/0537

摘要： 一种有机薄膜晶体管及其制造方法，所述晶体管包括：栅电极；有机半导体层，与栅电极叠置；绝缘层，位于栅电极与有机半导体层之间，绝缘层具有有机/无机混合区域，其中，有机/无机混合区域包括聚合物和无机材料，所述无机材料通过聚合物上的反应性基团化学地结合到聚合物，绝缘层包括与聚合物相邻的空间，无机材料置于该空间中。

公开(公告)号：CN104377303B

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201410505119.4

申请日：2014-09-26

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 黄维

IPC分类号： H01L51/40 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

CPC分类号： H01L51/0012 ,  C09K19/582 ,  C09K2219/03 ,  H01L27/3274 ,  H01L51/0006 ,  H01L51/0076 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0529 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0566 ,  H01L51/105

摘要： 本发明涉及薄膜晶体管制备技术领域，公开了一种有机薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示装置。所述有机薄膜晶体管的有机半导体层形成在各向异性的绝缘层上，保证了有机半导体层具有高有序度的晶化方向，并使得有机半导体层具有特定的取向，能够提高载流子迁移率，提升有机薄膜晶体管的性能。而且制备所述绝缘层的工艺具备工艺简单、可大面积化、成本低廉等优势，制得的各向异性绝缘层厚度较薄，由于没有机械摩擦，也不存在摩擦产生的颗粒导致的不良。

公开(公告)号：CN105428401B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610011912.8

申请日：2016-01-08

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 田雪雁

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L51/0562 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786 ,  H01L51/0007 ,  H01L51/0013 ,  H01L51/0026 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0093 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/0566

摘要： 本发明涉及一种碳纳米管薄膜晶体管，包括衬底，设置于衬底上的栅极，设置于栅极表面的有机绝缘层，设置于所述有机绝缘层上的半导体层，设置于所述半导体层上的源极和漏极，所述半导体层为依次设置的聚3-己基噻吩层和碳纳米管聚3-己基噻吩混合层，所述聚3-己基噻吩层设置于绝缘层与碳纳米管聚3-己基噻吩混合层之间。本发明的碳纳米管聚3-己基噻吩混合层中的半导体性碳纳米管的含量较高，基本避免了含有金属性碳纳米管，保证了薄膜晶体管的电学性能。而且，所述碳纳米管聚3-己基噻吩混合层与所述聚3-己基噻吩层通过π-π键连接，形成碳纳米管薄膜晶体管的半导体层立体通道，从而使制得的碳纳米管薄膜晶体管具有了较高的电学性能。

公开(公告)号：CN106206947A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610844649.0

申请日：2016-09-23

申请人： 深圳大学

发明人： 周黎 ,  周晔 ,  闫岩 ,  韩素婷

IPC分类号： H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

CPC分类号： H01L51/0545 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0566

摘要： 本发明的一种有机场效应晶体管及其制备方法，包括步骤：在基底上依次沉积栅极和绝缘层；在绝缘层上沉积复合物半导体层；其中，所述复合物半导体层的材料为金纳米棒与P3HT溶液的混合液；在复合物半导体层上沉积源漏电极。本发明在P3HT溶液中引入金纳米棒制备基于复合物薄膜的有机场效应晶体管，一方面由于金纳米棒的形貌尺寸均一可控，掺杂金纳米棒可以有效的提高P3HT薄膜的结晶度并优化P3HT分子在薄膜中的取向。另一方面，通过引入不同配体对金纳米棒表面进行修饰，可以调控其电荷传输性能，这将有利于器件迁移率的提高。

公开(公告)号：CN106133886A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201580016286.5

申请日：2015-03-23

申请人： 富士胶片株式会社

发明人： 永田裕三 ,  泷泽裕雄 ,  土村智孝 ,  鹤田拓也

IPC分类号： H01L21/312 ,  C08F212/00 ,  C08F220/10 ,  H01L21/283 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

CPC分类号： H01L51/004 ,  C08F12/22 ,  C08F12/24 ,  C08F20/28 ,  C08F212/14 ,  C08F2500/02 ,  C08F2800/10 ,  C08F2810/20 ,  H01L21/02118 ,  H01L29/786 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0566 ,  C08F2220/325 ,  C08F212/32 ,  C08F220/36 ,  C08F2220/302 ,  C08F2220/343

摘要： 本发明提供一种半导体元件及绝缘层形成用组成物，所述半导体元件具有半导体层、及与该半导体层相邻的绝缘层，在所述半导体元件中，所述绝缘层由高分子化合物的交联物形成，该高分子化合物具有以下述通式(IA)表示的重复单元(IA)和以下述通式(IB)表示的重复单元(IB)。通式(IA)中，R1a表示氢原子、卤原子或烷基。L1a及L2a分别独立地表示单键或连结基。X表示交联性基。m2a表示1～5的整数，当m2a为2以上时，m2a个X可以彼此相同也可以互不相同。m1a表示1～5的整数，当m1a为2以上时，m1a个(‑L2a‑(X)m2a)可以彼此相同也可以互不相同。通式(IB)中，R1b表示氢原子、卤原子或烷基。L1b表示单键或连结基，Ar1b表示芳香族环。m1b表示1～5的整数。