公开(公告)号：CN101361194B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200680051344.9

申请日：2006-12-20

申请人： 美商科斯德半导体股份有限公司

发明人： 理查德·弗朗西斯 ,  范杨榆 ,  埃里克·约翰逊 ,  希·霍安格

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/772 ,  H01L27/07

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L27/0641 ,  H01L27/0814 ,  H01L27/0817 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/7722 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8725

摘要： 一种用于快速恢复整流器结构的装置和方法。具体地，该结构包括第一掺杂物的衬底(120)。轻掺杂有第一掺杂物的第一外延层(140)连接到该衬底。第一金属化层(190)连接到第一外延层。多个沟槽(175)凹入第一外延层，其中，多个沟槽中的每一个均连接到金属化层。该器件还包括多个阱，每一个均掺杂第二掺杂物类型，其中，每一个阱均形成在相应沟槽下方并邻近于该相应沟槽。多个氧化层(170)形成在相应沟槽的壁和底部上。多个掺杂有第一掺杂物的沟道区形成在位于两个相应阱之间的第一外延层内。多个沟道区(150)中的每一个均比第一外延层更重掺杂有第一掺杂物。

公开(公告)号：CN101361194A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200680051344.9

申请日：2006-12-20

申请人： 美商科斯德半导体股份有限公司

发明人： 理查德·弗朗西斯 ,  范杨榆 ,  埃里克·约翰逊 ,  希·霍安格

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/772 ,  H01L27/07

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L27/0641 ,  H01L27/0814 ,  H01L27/0817 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/7722 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8725

摘要： 一种用于快速恢复整流器结构的装置和方法。具体地，该结构包括第一掺杂物的衬底(120)。轻掺杂有第一掺杂物的第一外延层(140)连接到该衬底。第一金属化层(190)连接到第一外延层。多个沟槽(175)凹入第一外延层，其中，多个沟槽中的每一个均连接到金属化层。该器件还包括多个阱，每一个均掺杂第二掺杂物类型，其中，每一个阱均形成在相应沟槽下方并邻近于该相应沟槽。多个氧化层(170)形成在相应沟槽的壁和底部上。多个掺杂有第一掺杂物的沟道区形成在位于两个相应阱之间的第一外延层内。多个沟道区(150)中的每一个均比第一外延层更重掺杂有第一掺杂物。