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公开(公告)号：CN105529298B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201410561454.6
申请日：2014-10-21
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开一种半导体元件及其制作方法。其制作方法包括：首先提供一基底，且基底具有一介电层，然后形成一铝金属层于介电层上，形成一铂金属层于铝金属层上，进行一第一蚀刻制作工艺去除部分铂金属层及部分铝金属层以形成一图案化的铂金属层，之后再进行一第二蚀刻制作工艺去除部分由图案化的铂金属层所暴露出的铝金属层及部分介电层。
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公开(公告)号：CN105529298A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201410561454.6
申请日：2014-10-21
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开一种半导体元件及其制作方法。其制作方法包括：首先提供一基底，且基底具有一介电层，然后形成一铝金属层于介电层上，形成一铂金属层于铝金属层上，进行一第一蚀刻制作工艺去除部分铂金属层及部分铝金属层以形成一图案化的铂金属层，之后再进行一第二蚀刻制作工艺去除部分由图案化的铂金属层所暴露出的铝金属层及部分介电层。
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公开(公告)号：CN105217563B
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201410241849.8
申请日：2014-06-03
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开一种微机电元件的蚀刻方法，包括如下步骤：提供基板，具有第一表面与相对第一表面的第二表面，其中基板的第一表面上还包括配置有基底结构、牺牲结构与至少一黏着层，其中黏着层配置于基底结构与牺牲结构之间，且基底结构配置于黏着层与基板之间；对基板的第二表面进行表面研磨制作工艺；利用包含有氧气与第一含氮基气体的第一混合气体，对牺牲结构进行第一等离子体蚀刻制作工艺，以去除牺牲结构；以及利用包含有第二含氮基气体与含氟基气体的第二混合气体，对黏着层进行第二等离子体蚀刻制作工艺，以去除黏着层。
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公开(公告)号：CN105217563A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201410241849.8
申请日：2014-06-03
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: H01L21/3065 , B81B2201/0257 , B81C1/00476 , H01L21/304 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/00
Abstract: 本发明公开一种微机电元件的蚀刻方法，包括如下步骤：提供基板，具有第一表面与相对第一表面的第二表面，其中基板的第一表面上还包括配置有基底结构、牺牲结构与至少一黏着层，其中黏着层配置于基底结构与牺牲结构之间，且基底结构配置于黏着层与基板之间；对基板的第二表面进行表面研磨制作工艺；利用包含有氧气与第一含氮基气体的第一混合气体，对牺牲结构进行第一等离子体蚀刻制作工艺，以去除牺牲结构；以及利用包含有第二含氮基气体与含氟基气体的第二混合气体，对黏着层进行第二等离子体蚀刻制作工艺，以去除黏着层。
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