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公开(公告)号：CN111434604B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201910031754.6
申请日：2019-01-14
Applicant: 联华电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种微机电系统结构及其制作方法，该微机电系统结构包括：基材、介电层、振膜、背板以及掩膜。基材具有一个贯穿孔。介电层位于基材上，具有一个开口(cavity)与贯穿孔连通。振膜具有至少一个气孔，且嵌设于介电层中，并与介电层共同定义出一个与贯穿孔相互连通的第一腔室。背板位于介电层上。掩膜的一端嵌设于介电层中，另一端延伸进入开口中，并与振膜空间隔离，且与气孔至少一部分重叠。
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公开(公告)号：CN107204383B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201610153622.7
申请日：2016-03-17
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L31/0232 , H01L31/024 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开一种累崩型光检测器元件及其制作方法。其中累崩型光检测器(avalanche photodetector，APD)元件，包含有一具有一正面与一背面的基底、至少一设置于该基底的该正面的APD结构、多个设置至于该基底的该背面的散热结构、以及多个设置于该基底的该背面的岛状反射结构。
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公开(公告)号：CN105848074A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201510019327.8
申请日：2015-01-15
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H04R19/04
CPC classification number: H04R23/00 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81C1/00182 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/00 , H04R2201/003
Abstract: 本发明公开一种微机电麦克风，该微机电麦克风包含有一绝缘底半导体结构，且该绝缘底半导体结构包含有一基底、一绝缘层、以及一半导体层。该微机电麦克风还包含多个设置于该半导体层内的电阻、多个形成于该半导体层内的第一开口、以及一形成于该绝缘层与该基底内的通气孔。该多个电阻彼此连接且形成一电阻图案，且该多个第一开口设置于该电阻图案内。
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公开(公告)号：CN105217563A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201410241849.8
申请日：2014-06-03
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: H01L21/3065 , B81B2201/0257 , B81C1/00476 , H01L21/304 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/00
Abstract: 本发明公开一种微机电元件的蚀刻方法，包括如下步骤：提供基板，具有第一表面与相对第一表面的第二表面，其中基板的第一表面上还包括配置有基底结构、牺牲结构与至少一黏着层，其中黏着层配置于基底结构与牺牲结构之间，且基底结构配置于黏着层与基板之间；对基板的第二表面进行表面研磨制作工艺；利用包含有氧气与第一含氮基气体的第一混合气体，对牺牲结构进行第一等离子体蚀刻制作工艺，以去除牺牲结构；以及利用包含有第二含氮基气体与含氟基气体的第二混合气体，对黏着层进行第二等离子体蚀刻制作工艺，以去除黏着层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105984829A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510062509.3
申请日：2015-02-06
Applicant: 联华电子股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00238 , B81B2203/0127 , B81C2203/0792
Abstract: 本发明公开一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括基板及MEMS结构。基板包括CMOS结构。MEMS结构形成在基板上并相邻于CMOS结构。MEMS结构连接至CMOS结构。MEMS结构包括薄膜及背板。基板具有对应MEMS结构的空腔。
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公开(公告)号：CN107204383A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201610153622.7
申请日：2016-03-17
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L31/0232 , H01L31/024 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开一种累崩型光检测器元件及其制作方法。其中累崩型光检测器(avalanche photodetector，APD)元件，包含有一具有一正面与一背面的基底、至少一设置于该基底的该正面的APD结构、多个设置至于该基底的该背面的散热结构、以及多个设置于该基底的该背面的岛状反射结构。
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公开(公告)号：CN105848074B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201510019327.8
申请日：2015-01-15
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本发明公开一种微机电麦克风，该微机电麦克风包含有一绝缘底半导体结构，且该绝缘底半导体结构包含有一基底、一绝缘层、以及一半导体层。该微机电麦克风还包含多个设置于该半导体层内的电阻、多个形成于该半导体层内的第一开口、以及一形成于该绝缘层与该基底内的通气孔。该多个电阻彼此连接且形成一电阻图案，且该多个第一开口设置于该电阻图案内。
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公开(公告)号：CN111434604A
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：CN201910031754.6
申请日：2019-01-14
Applicant: 联华电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种微机电系统结构及其制作方法，该微机电系统结构包括：基材、介电层、振膜、背板以及掩膜。基材具有一个贯穿孔。介电层位于基材上，具有一个开口(cavity)与贯穿孔连通。振膜具有至少一个气孔，且嵌设于介电层中，并与介电层共同定义出一个与贯穿孔相互连通的第一腔室。背板位于介电层上。掩膜的一端嵌设于介电层中，另一端延伸进入开口中，并与振膜空间隔离，且与气孔至少一部分重叠。
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公开(公告)号：CN105217563B
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201410241849.8
申请日：2014-06-03
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开一种微机电元件的蚀刻方法，包括如下步骤：提供基板，具有第一表面与相对第一表面的第二表面，其中基板的第一表面上还包括配置有基底结构、牺牲结构与至少一黏着层，其中黏着层配置于基底结构与牺牲结构之间，且基底结构配置于黏着层与基板之间；对基板的第二表面进行表面研磨制作工艺；利用包含有氧气与第一含氮基气体的第一混合气体，对牺牲结构进行第一等离子体蚀刻制作工艺，以去除牺牲结构；以及利用包含有第二含氮基气体与含氟基气体的第二混合气体，对黏着层进行第二等离子体蚀刻制作工艺，以去除黏着层。
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