公开(公告)号：CN106298631B

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201510237821.1

申请日：2015-05-12

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 徐健斌

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/482 ,  H01L23/485

摘要： 本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件包含一基底，一管芯区以及一切割道区定义于基底上，以及一接触垫设于基底上的管芯区并重叠切割道区。

公开(公告)号：CN1218398C

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN02130207.3

申请日：2002-08-16

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 黄进文 ,  徐健斌

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L21/70

CPC分类号： H01L27/14627 ,  G02B5/1814 ,  G02B5/1885 ,  G02B5/201 ,  H01L27/14685

摘要： 本发明有关一种相位光栅图像传感器的制造方法，其特点是至少包括下列步骤：提供一底材，该底材具有多个光传感元件于其上、一第一平坦层覆盖该多个光传感元件、一彩色滤光层覆盖该第一平坦层及一第二平坦层覆盖该彩色滤光层，其中该第一平坦层与该第二平坦层为透光；形成一光阻层覆盖该第二平坦层；转移多个相位光栅图案进入该光阻层以暴露出该第二平坦层，每一该相位光栅图案至少包括多个同心圆形环且每一该相位光栅图案分别对应于每一该光传感元件；非等向性蚀刻该第二平坦层至一预定深度以形成多个相位光栅透镜；及移除该光阻层。由于形成多个相位光栅透镜于传统微透镜下的平坦层内，这样可以相位光栅透镜取代传统微透镜。

公开(公告)号：CN104701329B

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201310645879.0

申请日：2013-12-04

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 徐健斌 ,  余文正

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本发明公开一种半导体感测装置。半导体感测装置包括多个像素以及一相位光栅结构(phase grating structure)。相位光栅结构设置于该些像素上，相位光栅结构具有多个周期性排列图案(periodically arranged patterns)。

公开(公告)号：CN106298631A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201510237821.1

申请日：2015-05-12

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 徐健斌

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/482 ,  H01L23/485

摘要： 本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件包含一基底，一管芯区以及一切割道区定义于基底上，以及一接触垫设于基底上的管芯区并重叠切割道区。

公开(公告)号：CN104701329A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201310645879.0

申请日：2013-12-04

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 徐健斌 ,  余文正

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本发明公开一种半导体感测装置。半导体感测装置包括多个像素以及一相位光栅结构(phase grating structure)。相位光栅结构设置于该些像素上，相位光栅结构具有多个周期性排列图案(periodically arranged patterns)。

公开(公告)号：CN1404158A

公开(公告)日：2003-03-19

申请号：CN02130207.3

申请日：2002-08-16

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 黄进文 ,  徐健斌

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L21/70

CPC分类号： H01L27/14627 ,  G02B5/1814 ,  G02B5/1885 ,  G02B5/201 ,  H01L27/14685

摘要： 本发明有关一种相位光栅图像传感器的制造方法，其特点是至少包括下列步骤：提供一底材，该底材具有多个光传感元件于其上、一第一平坦层覆盖该多个光传感元件、一彩色滤光层覆盖该第一平坦层及一第二平坦层覆盖该彩色滤光层，其中该第一平坦层与该第二平坦层为透光；形成一光阻层覆盖该第二平坦层；转移多个相位光栅图案进入该光阻层以暴露出该第二平坦层，每一该相位光栅图案至少包括多个同心圆形环且每一该相位光栅图案分别对应于每一该光传感元件；非等向性蚀刻该第二平坦层至一预定深度以形成多个相位光栅透镜；及移除该光阻层。由于形成多个相位光栅透镜于传统微透镜下的平坦层内，这样可以相位光栅透镜取代传统微透镜。