公开(公告)号：CN118215305A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202410374294.8

申请日：2024-03-27

申请人： 联合微电子中心有限责任公司

发明人： 袁远东 ,  宁宁 ,  陈永强

IPC分类号： H10K19/10 ,  H10K10/46 ,  H10K85/20 ,  H10K71/00 ,  H10K71/60

摘要： 公开了一种双栅堆叠的碳基晶体管、制造方法及芯片。一种双栅堆叠的碳基晶体管，包括：衬底；衬底上的第一器件层，第一器件层包括第一源/漏区域、第一漏/源区域以及第一源/漏区域与第一漏/源区域之间的第一栅极区域；第一器件层上的公共沟道层，公共沟道层包括碳纳米管；以及公共沟道层上的第二器件层，第二器件层包括第二源/漏区域、第二漏/源区域以及第二源/漏区域与第二漏/源区域之间的第二栅极区域。

公开(公告)号：CN118215306A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202410374310.3

申请日：2024-03-27

申请人： 联合微电子中心有限责任公司

发明人： 宁宁 ,  袁远东 ,  陈永强

IPC分类号： H10K19/10 ,  H10K10/46 ,  H10K85/20 ,  H10K71/00 ,  H10K71/60

摘要： 公开了一种共栅堆叠的碳基晶体管、制造方法及芯片。一种共栅堆叠的碳基晶体管，包括：衬底；衬底上的公共栅极区域；位于公共栅极区域一侧的第一器件区域，第一器件区域包括沿垂直于衬底的方向布置的第一源/漏区域和第一漏/源区域，以及在公共栅极区域的第一侧壁上延伸的第一沟道层；以及位于公共栅极区域另一侧的第二器件区域，第二器件区域包括沿垂直于衬底的方向布置的第二源/漏区域和第二漏/源区域，以及在公共栅极区域的第二侧壁上延伸的第二沟道层，其中，第一沟道层和第二沟道层每一者包括碳纳米管。

公开(公告)号：CN118215304A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202410373596.3

申请日：2024-03-27

申请人： 联合微电子中心有限责任公司

发明人： 陈永强 ,  袁远东 ,  宁宁

IPC分类号： H10K19/10 ,  H10K10/46 ,  H03K3/356

摘要： 公开了一种基于碳基晶体管的反相器及芯片。一种基于碳基晶体管的反相器包括：衬底；衬底上的第一类型碳基晶体管和第二类型碳基晶体管，其中，第一类型碳基晶体管包括第一源极和第一漏极，第二类型碳基晶体管包括第二源极和第二漏极，其中，第一源极与第一漏极以及第二源极与第二漏极单独地沿垂直于衬底的方向堆叠，或第一源极和第一漏极共同地与第二源极和第二漏极沿垂直于衬底的方向堆叠；以及其中，第一漏极和第二漏极与同一输出端耦接，第一源极和第二源极中一者与电源电压端耦接，另一者与接地电压端耦接。