一种高功率半导体激光器的封装方法

    公开(公告)号:CN102097744B

    公开(公告)日:2012-12-12

    申请号:CN201110007855.3

    申请日:2011-01-14

    申请人: 刘兴胜

    发明人: 刘兴胜

    IPC分类号: H01S5/024

    摘要: 本发明旨在提供一种高功率半导体激光器的封装方法,旨在解决现有技术无法同时保证芯片的绝缘性和高效散热的问题。该处理方法,包括三个处理环节:对芯片进行降低热应力处理、对芯片进行绝缘处理、对芯片进行接触式散热处理。本发明具有以下优点:导热能力强,可支持大功率半导体激光器长时间工作;通过绝缘处理使得热沉不带电,安全性高,且采用硬焊料,半导体激光器使用寿命和储存时间长。

    一种高功率半导体激光器的设计方法

    公开(公告)号:CN102097744A

    公开(公告)日:2011-06-15

    申请号:CN201110007855.3

    申请日:2011-01-14

    申请人: 刘兴胜

    发明人: 刘兴胜

    IPC分类号: H01S5/024

    摘要: 本发明旨在提供一种高功率半导体激光器的设计方法,旨在解决现有技术无法同时保证芯片的绝缘性和高效散热的问题。该处理方法,包括三个处理环节:对芯片进行降低热应力处理、对芯片进行绝缘处理、对芯片进行接触式散热处理。本发明具有以下优点:导热能力强,可支持大功率半导体激光器长时间工作;通过绝缘处理使得热沉不带电,安全性高,且采用硬焊料,半导体激光器使用寿命和储存时间长。

    一种双向制冷式半导体激光器及其制备方法

    公开(公告)号:CN102064465A

    公开(公告)日:2011-05-18

    申请号:CN201010591855.8

    申请日:2010-12-16

    申请人: 刘兴胜

    发明人: 刘兴胜

    IPC分类号: H01S5/024

    摘要: 本发明涉及一种双向制冷式半导体激光器及其制备方法,该激光器包括正极支撑块、芯片、焊熘突起及负极支撑块。所述正极支撑块与芯片正极焊接;所述负极铜支撑块的一面设有焊熘突起;所述芯片的负极贴在焊熘突起上。本发明采用双面散热结构,芯片正负极均连接有有散热块,芯片通过焊熘突起与负极支撑块连接,因此散热能力大大增强的同时热应力降级,这种增加了散热能力的结构,可显著提高激光输出的功率而不用担心热应力的问题,本发明主要应用于大功率半导体激光器,功率十几瓦到几十瓦。