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公开(公告)号:CN104094104B
公开(公告)日:2017-06-20
申请号:CN201280069284.9
申请日:2012-12-27
申请人: 肖特公开股份有限公司
IPC分类号: G01N21/958
CPC分类号: G01N21/958 , G01B9/02 , G01N21/45 , G01N21/49 , G01N21/896 , G01N21/94 , G01N2021/4709 , G01N2021/8967
摘要: 本发明涉及一种用于识别透明的片(10),优选玻璃片体内的缺陷部位的装置(11)。装置(11)包括光照机构(12),利用其将入射光(20)对准片(10)的表面的至少一部分以照射片(10);以及图像检测机构(14、16),由片(10)反散射的光(22)对准该图像检测机构以通过图像技术检测片(10)。装置(11)构造用于在不同拍摄条件下产生至少两个干涉图像,以便借助评估该至少两个干涉图像能够实现或执行对缺陷部位的识别。
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公开(公告)号:CN104094104A
公开(公告)日:2014-10-08
申请号:CN201280069284.9
申请日:2012-12-27
申请人: 肖特公开股份有限公司
IPC分类号: G01N21/958
CPC分类号: G01N21/958 , G01B9/02 , G01N21/45 , G01N21/49 , G01N21/896 , G01N21/94 , G01N2021/4709 , G01N2021/8967
摘要: 本发明涉及一种用于识别透明的片(10),优选玻璃片体内的缺陷部位的装置(11)。装置(11)包括光照机构(12),利用其将入射光(20)对准片(10)的表面的至少一部分以照射片(10);以及图像检测机构(14、16),由片(10)反散射的光(22)对准该图像检测机构以通过图像技术检测片(10)。装置(11)构造用于在不同拍摄条件下产生至少两个干涉图像,以便借助评估该至少两个干涉图像能够实现或执行对缺陷部位的识别。
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公开(公告)号:CN102597752A
公开(公告)日:2012-07-18
申请号:CN201080048527.1
申请日:2010-08-13
申请人: 肖特公开股份有限公司
IPC分类号: G01N21/95
CPC分类号: G01N21/9505
摘要: 本发明涉及一种用于探测平面半导体衬底中的裂纹的方法和装置,该半导体衬底具有两个对置的侧面(30、31)和包绕的边沿面,半导体衬底例如为硅晶片和太阳能电池。该方法和装置基于对裂纹(34)处发生偏转的光的检测,所述光被引导到半导体衬底(3)的边沿面中并且在侧面之一上在裂纹位置处出射。
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