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发明公开
硅单晶的制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN117626426A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311073495.6

申请日：2023-08-23

申请人： 胜高股份有限公司

发明人： 小川福生 , 太田博征 , 小原隆

IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/20 , C30B15/04

摘要： 提供一种硅单晶的制造方法，通过直拉法，从贮存在容纳于腔室内的坩埚中且添加有挥发性掺杂剂的硅熔液提拉硅单晶，其中，在硅单晶的提拉前，从腔室将气体排气时的减压速度ES为，在腔室内的压力至少从大气压下降到80kPa的期间中为以下的范围内：0kPa/min＜ES≤4.2kPa/min。