公开(公告)号：CN113966415B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202080045513.8

申请日：2020-05-28

申请人： 胜高股份有限公司

发明人： 小川福生 ,  四井拓也 ,  前川浩一

IPC分类号： C30B31/16 ,  B08B5/04 ,  B08B13/00

摘要： 本发明所公开的附着物去除装置去除附着在从制造半导体晶体的腔室排放气体的排气管的附着物。所述附着物去除装置具备排气口开闭机构（51a），其具有：开闭与排气管连通的排气口24a）的阀体（69）；收纳阀体（69），可导入不活泼气体，可将排气口（24a）从外部隔离的密闭套66）；驱动阀体（69）的缸（67）；及驱动密闭套66）的缸（73）。通过缸（67）驱动阀体（69）开闭排气口（24a），通过缸（73）驱动密闭套（66），向驱动密闭套（66）导入大气。

公开(公告)号：CN110753764A

公开(公告)日：2020-02-04

申请号：CN201880027573.X

申请日：2018-03-20

申请人： 胜高股份有限公司

发明人： 前川浩一 ,  鸣嶋康人 ,  川上泰史 ,  小川福生 ,  木原亚由美

IPC分类号： C30B29/06 ,  C30B15/04 ,  C30B15/10

摘要： 本发明提供一种n型单晶硅的制造方法，其通过提拉法，从含有红磷作为主要掺杂剂的硅熔液(9)中提拉单晶硅(10)并使其生长，所述n型单晶硅的制造方法中，使用内径为单晶硅(10)的直体直径的1.7倍以上且2.3倍以下的石英坩埚(3A)，进行电阻率为0.5mΩcm以上且1.0mΩcm以下的单晶硅(10)的提拉。

公开(公告)号：CN110730832A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201880026821.9

申请日：2018-03-29

申请人： 胜高股份有限公司

发明人： 前川浩一 ,  鸣嶋康人 ,  川上泰史 ,  小川福生 ,  堤有二

IPC分类号： C30B29/06 ,  C30B15/20

摘要： 本发明提供一种n型单晶硅的制造方法，其利用提拉法从包含红磷作为主要掺杂剂的硅熔液提拉单晶硅并使其生长，在该制造方法中，将单晶硅的直体部开始位置中的电阻率控制为0.80mΩcm以上且1.05mΩcm以下，之后，随着提拉单晶硅并使其生长，逐渐降低单晶硅的电阻率，将单晶硅的一部分的电阻率设为0.5mΩcm以上且小于0.6mΩcm。

公开(公告)号：CN114438587A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202210123737.7

申请日：2018-03-29

申请人： 胜高股份有限公司

发明人： 前川浩一 ,  鸣嶋康人 ,  川上泰史 ,  小川福生 ,  堤有二

IPC分类号： C30B15/20 ,  C30B29/06 ,  C30B15/04

摘要： 本发明涉及n型单晶硅的制造方法、n型单晶硅锭、硅晶片及外延硅晶片。本发明提供一种n型单晶硅的制造方法，其利用提拉法从包含红磷作为主要掺杂剂的硅熔液提拉单晶硅并使其生长，在该制造方法中，将单晶硅的直体部开始位置中的电阻率控制为0.80mΩcm以上且1.05mΩcm以下，之后，随着提拉单晶硅并使其生长，逐渐降低单晶硅的电阻率，将单晶硅的一部分的电阻率设为0.5mΩcm以上且小于0.6mΩcm。

公开(公告)号：CN112538655A

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN202010933862.5

申请日：2020-09-08

申请人： 胜高股份有限公司

发明人： 小川福生 ,  鸣嶋康人 ,  酒谷和幸 ,  川上泰史 ,  鸭川诚 ,  四井拓也

IPC分类号： C30B29/06 ,  C30B15/00

摘要： 本申请的半导体晶体制造装置具备将被向制造半导体晶体的腔内导入的气体排出的第1~第4排气口、各一端分别与对应的各第1~第4排气口连接的个别排气管(31A~31D)、与个别排气管(31A~31D)的各另一端连接的结合管(32)。从各第1~第4排气口经由对应的各个别排气管(31A~31D)至结合管(32)的第2结合部(C21)的距离均实质上相等。

公开(公告)号：CN110730831A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201880026803.0

申请日：2018-04-12

申请人： 胜高股份有限公司

发明人： 鸣嶋康人 ,  前川浩一 ,  小川福生 ,  川上泰史

IPC分类号： C30B29/06 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/324

摘要： 一种单晶硅的制造方法中，以使单晶硅的电阻率成为0.5mΩ·cm以上且小于0.7mΩ·cm的方式在硅熔液中添加红磷，且以使单晶硅的直体部的至少一部分的温度在570℃±70℃的范围内的时间成为10分钟以上且50分钟以下的方式提拉单晶硅。

公开(公告)号：CN110573661A

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201780087254.3

申请日：2017-11-14

申请人： 胜高股份有限公司

发明人： 小川福生 ,  鸣嶋康人 ,  前川浩一 ,  川上泰史

IPC分类号： C30B29/06

摘要： 在本发明的单晶硅的制造方法中，在热屏蔽体(28)的下方配置具备包围单晶硅(SM)的圆环板状主体部(29A)的整流部件，在单晶硅(SM)的培育中，将腔室内部的压力控制为20kPa以上，保持使整流部件与掺杂剂添加熔液(MD)隔开的状态，将不活泼气体(G)导入到单晶硅(SM)与热屏蔽体(28)之间，将不活泼气体(G)分离为第1流通气体(G1)和第2流通气体(G2)。

公开(公告)号：CN110249080A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201780079175.8

申请日：2017-10-30

申请人： 胜高股份有限公司

发明人： 前川浩一 ,  鸣嶋康人 ,  川上泰史 ,  小川福生

IPC分类号： C30B29/06 ,  C30B15/30

摘要： 本发明提供一种单晶硅的制造方法，其从含有红磷作为掺杂剂的硅熔液（9）中，通过提拉法而提拉单晶硅（10）并使其生长，单晶硅（10）是直径为200mm的晶片用单晶，直筒直径为201mm以上且230mm以下，直筒开始部中的电阻率为0.8mΩcm以上且1.2mΩcm以下，将单晶硅（10）的肩部形成工序中的至少一部分的单晶硅（10）的晶体转速控制为17rpm以上且40rpm以下。

公开(公告)号：CN114606567B

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202210251415.0

申请日：2018-03-20

申请人： 胜高股份有限公司

发明人： 前川浩一 ,  鸣嶋康人 ,  川上泰史 ,  小川福生 ,  木原亚由美

IPC分类号： C30B15/04 ,  C30B15/10 ,  C30B15/20 ,  C30B29/06 ,  C30B30/04

摘要： 本发明涉及n型单晶硅的制造方法、n型单晶硅的锭、硅晶片及外延硅晶片。本发明提供一种n型单晶硅的制造方法，其通过提拉法，从含有红磷作为主要掺杂剂的硅熔液(9)中提拉单晶硅(10)并使其生长，所述n型单晶硅的制造方法中，使用内径为单晶硅(10)的直体直径的1.7倍以上且2.3倍以下的石英坩埚(3A)，进行电阻率为0.5mΩcm以上且1.0mΩcm以下的单晶硅(10)的提拉。

公开(公告)号：CN117626426A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311073495.6

申请日：2023-08-23

申请人： 胜高股份有限公司

发明人： 小川福生 ,  太田博征 ,  小原隆

IPC分类号： C30B29/06 ,  C30B15/20 ,  C30B15/04

摘要： 提供一种硅单晶的制造方法，通过直拉法，从贮存在容纳于腔室内的坩埚中且添加有挥发性掺杂剂的硅熔液提拉硅单晶，其中，在硅单晶的提拉前，从腔室将气体排气时的减压速度ES为，在腔室内的压力至少从大气压下降到80kPa的期间中为以下的范围内：0kPa/min＜ES≤4.2kPa/min。