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公开(公告)号：CN108139339B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201680058167.0
申请日：2016-08-03
申请人： 胜高股份有限公司
IPC分类号： G01N21/956 , G01B11/30 , H01L21/66
摘要： 本发明提供一种能够检测外延晶片背面上的缺陷的外延晶片背面检查装置。本发明的外延晶片背面检查装置(100)的特征在于，具有：光学系统(30)，以相对于外延晶片(1)的背面垂直的方式设置且具备环形光纤照明(10)及拍摄部(20)；以及扫描部(40)，以与所述背面平行的方式扫描光学系统(30)，环形光纤照明(10)的光源是蓝色LED及红色LED中的任一个。
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公开(公告)号：CN110418958A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201880014834.4
申请日：2018-02-22
申请人： 胜高股份有限公司
IPC分类号： G01N21/956 , H01L21/66
摘要： 本发明提供一种外延晶圆背面检查方法，能够检测出外延晶圆背面的针印缺陷，且能够定量地评价该针印缺陷的各个点状缺陷的缺陷尺寸。基于本发明的外延晶圆背面的检查方法包括：一边以扫描部扫描光学系统，一边连续地拍摄外延晶圆背面的部分图像的拍摄工序（S10）；从所述部分图像中获取所述背面的整体图像的获取工序（S20）；从所述整体图像中检测出由存在于所述背面的多个点状缺陷所组成的组构成的针印缺陷的检测工序（S30）；对所述检测出的所述针印缺陷的各个点状缺陷进行数值化处理，算出所述各个点状缺陷的缺陷面积的数值化处理工序（S40）。
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公开(公告)号：CN108139339A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680058167.0
申请日：2016-08-03
申请人： 胜高股份有限公司
IPC分类号： G01N21/956 , G01B11/30 , H01L21/66
摘要： 本发明提供一种能够检测外延晶片背面上的缺陷的外延晶片背面检查装置。本发明的外延晶片背面检查装置(100)的特征在于，具有：光学系统(30)，以相对于外延晶片(1)的背面垂直的方式设置且具备环形光纤照明(10)及拍摄部(20)；以及扫描部(40)，以与所述背面平行的方式扫描光学系统(30)，环形光纤照明(10)的光源是蓝色LED及红色LED中的任一个。
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公开(公告)号：CN110418958B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201880014834.4
申请日：2018-02-22
申请人： 胜高股份有限公司
IPC分类号： G01N21/956 , H01L21/66
摘要： 本发明提供一种外延晶圆背面检查方法，能够检测出外延晶圆背面的针印缺陷，且能够定量地评价该针印缺陷的各个点状缺陷的缺陷尺寸。基于本发明的外延晶圆背面的检查方法包括：一边以扫描部扫描光学系统，一边连续地拍摄外延晶圆背面的部分图像的拍摄工序（S10）；从所述部分图像中获取所述背面的整体图像的获取工序（S20）；从所述整体图像中检测出由存在于所述背面的多个点状缺陷所组成的组构成的针印缺陷的检测工序（S30）；对所述检测出的所述针印缺陷的各个点状缺陷进行数值化处理，算出所述各个点状缺陷的缺陷面积的数值化处理工序（S40）。
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公开(公告)号：CN108351311A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680052394.2
申请日：2016-08-03
申请人： 胜高股份有限公司
IPC分类号： G01N21/956 , G01B11/30 , H01L21/66
CPC分类号： G01B11/30 , G01N21/956
摘要： 本发明提供一种能够检查晶圆表面上有无凹坑的晶圆检查方法。本发明的晶圆检查方法的特征在于，包括：使用第1光学系统（10）选出晶圆（1）的缺陷的工序；从所述已选出的缺陷选定凹坑候选的工序；及使用第2光学系统（20），将所述凹坑候选分类为凹坑及凹坑以外的缺陷的工序。
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