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公开(公告)号:CN119301757A
公开(公告)日:2025-01-10
申请号:CN202380044089.9
申请日:2023-05-23
Applicant: 舍弗勒技术股份两合公司
Inventor: A·库舍尔
IPC: H01L23/498 , H01L23/538
Abstract: 半桥模块配备有第一供电引线(Z‑)、第二供电引线(Z+)并且配备有相引线(PZ)以及配备有载体(T)。载体(T)具有印制导线层(LS),所述印制导线层在位于所述印制导线层(LS)的第一和第二晶体管条带区段(LA、HA)之间的中间区段(ZA)中具有连接面(P)。每个连接面(P)在所述印制导线层中环绕地绝缘。第一供电引线(Z‑)与连接面(P)连接并且远离所述连接面引导。第二供电引线(Z+)与第二晶体管条带区段(HA)内的至少一个接触部位(3)连接并且远离所述接触部位引导。相引线(PZ)与所述中间区段(ZA)或第一晶体管条带区段(LA)内的至少一个接触部位(1、1')连接并且远离所述接触部位引导。
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公开(公告)号:CN119301763A
公开(公告)日:2025-01-10
申请号:CN202380044096.9
申请日:2023-05-24
Applicant: 舍弗勒技术股份两合公司
Inventor: A·库舍尔
IPC: H01L25/07 , H02M7/00 , H01L23/538
Abstract: 公开一种功率模块(LM),包括:‑电路载体(ST),所述电路载体具有上侧,在所述上侧上形成用于表面安装第一晶体管开关(T1)的第一电连接面(F1)和用于表面安装第二晶体管开关(T2)的第二电连接面(F2)以及第三电连接面(F3),其中第一连接面(F1)和第二连接面(F2)彼此电绝缘并且分别沿着所述电路载体(ST)的延伸方向(ER)延伸,并且所述第三连接面(F3)彼此电绝缘并且与所述第一连接面(F1)和所述第二连接面(F2)电绝缘,并且在所述延伸方向上并排地布置并且布置在所述第一连接面(F1)和所述第二连接面(F2)之间;‑缓冲电路,所述缓冲电路分别至少部分地形成在电路载体(ST)的多个区域(B)中的相应一个区域上,其中所述区域(B)分别跨越第三连接面(F3)和第二连接面(F2)中之一;‑其中所述缓冲电路分别与相应的相对应的第三连接面(F3)和第二连接面(F2)电连接。此外,提供具有所提到的功率模块的逆变器。
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公开(公告)号:CN119654970A
公开(公告)日:2025-03-18
申请号:CN202380058276.2
申请日:2023-08-03
Applicant: 舍弗勒技术股份两合公司
Abstract: 公开一种电气设备,所述电气设备具有:‑部件(LM),所述部件至少部分地利用凝胶(VG)覆盖;‑具有端面(SS)的印刷电路板(LP),在所述端面上施加金属层,所述金属层至少部分地覆盖所述端面(SS);‑其中所述金属层(MS)至少部分地由所述凝胶(VG)覆盖;‑其中所述金属层(MS)将所述端面(SS)与所述凝胶(VG)在物理上完全隔离。此外描述用于制造所提到的设备的方法。
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公开(公告)号:CN119301762A
公开(公告)日:2025-01-10
申请号:CN202380044093.5
申请日:2023-05-23
Applicant: 舍弗勒技术股份两合公司
Inventor: A·库舍尔
IPC: H01L25/07
Abstract: 半桥模块(M)具有载体(T),所述载体具有印制导线层。所述印制导线层拥有分别沿着第一方向(R1)延伸的第一晶体管条带区段(LA)、第二晶体管条带区段(HA)和中间区段(ZA)。中间区段(ZA)布置在第一晶体管条带区段(LA)与第二晶体管条带区段(HA)之间。也在所述第一晶体管条带区段(LA)中延伸的第一面(F1)的连接面区段(VF)在中间区段(ZA)中延伸。与连接面区段绝缘的连接面(P)在第一方向(R1)上与所述连接面区段交替。
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