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公开(公告)号：CN100372048C
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN03815473.0
申请日：2003-04-29
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
Inventor： V·本维尼斯特
IPC: H01J37/08
CPC classification number: H01J37/08 , H01J2237/0835 , H01J2237/31701
Abstract: 公开了一种用于离子注入的离子源，它具有用来选择性地调节与从等离子体约束室中提取的延长离子束相关的密度分布的控制装置。此控制装置包含在延长的提取出口附近的多个磁体对，带状束通过提取出口从离子源中被提取，磁体对分别包含设置在提取口出口上方和下方的上部电磁体和下部电磁体，以便在预提取区中提供可调节的磁场，从而调节所提取的带状束的密度分布。
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公开(公告)号：CN1672232A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN03818209.2
申请日：2003-07-29
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
CPC classification number: H01J37/08 , H01J2237/0815 , H01J2237/083 , H01J2237/0835 , H01J2237/31701
Abstract: 公布一种离子源，所述离子源具有用以提供离子注入系统中所使用的带状离子束的细长狭缝。所述离子源包括在圆柱形源外壳内的用于射频激发等离子体的同轴感应耦合天线，以及设置在所述外壳内用于产生多新月形的方位磁场以实现对等离子体进行约束的周向磁体。还公布一种在等离子体与外壳壁之间设有隔热层以减轻或减少等离子体约束腔中冷凝的用于外壳内部的衬套。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1666313A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN03815473.0
申请日：2003-04-29
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
Inventor： V·本维尼斯特
IPC: H01J37/08
CPC classification number: H01J37/08 , H01J2237/0835 , H01J2237/31701
Abstract: 公开了一种用于离子注入的离子源，它具有用来选择性地调节与从等离子体约束室中提取的延长离子束相关的密度分布的控制装置。此控制装置包含在延长的提取出口附近的多个磁体对，带状束通过提取出口从离子源中被提取，磁体对分别包含设置在提取口出口上方和下方的上部电磁体和下部电磁体，以便在预提取区中提供可调节的磁场，从而调节所提取的带状束的密度分布。
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公开(公告)号：CN101124650B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200680001793.2
申请日：2006-01-04
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J2237/31703
Abstract: 提供用于在离子注入系统中校准离子束扫描器的方法，该方法包括：在沿扫描方向的多个位置处测量多个初始电流密度值，其中这些值分别与多个初始电压扫描间隔中的一个对应，并且与对应的多个初始扫描时间值中的一个对应；基于测量的初始电流密度值和初始扫描时间值来建立线性方程组；以及确定与降低电流密度剖面偏差的线性方程组的解对应的一组扫描时间值。提供用于在离子注入系统中校准离子束扫描器的校准系统，该校准系统包括剂量测定系统和控制系统。
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公开(公告)号：CN100538987C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN03818040.5
申请日：2003-07-29
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
Inventor： V·本维尼斯特
IPC: H01J37/317 , H01J37/05
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/05 , H01J37/08 , H01J2237/0835 , H01J2237/31701
Abstract: 公开了离子注入系统以及用于该系统的束线，其中质量分析并准直具有相对大宽高比的带状束，以提供用于注入一个或多个工件的经质量分析的带状束。束线系统(12)包括两个相似的磁体(22、24)，其中第一磁体(22)质量分析带状束以提供经质量分析的中间离子束，第二磁体(24)准直该中间束以向终端台(18)提供均匀的经质量分析的带状束。该对称系统为横跨细长的束宽度的离子提供等距离的束轨道(41、43)，以便减轻系统的束输运中的非线性，从而使最终经质量分析后的束具有均匀的高度。
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公开(公告)号：CN101124650A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200680001793.2
申请日：2006-01-04
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J2237/31703
Abstract: 提供用于在离子注入系统中校准离子束扫描器的方法，该方法包括：在沿扫描方向的多个位置处测量多个初始电流密度值，其中这些值分别与多个初始电压扫描间隔中的一个对应，并且与对应的多个初始扫描时间值中的一个对应；基于测量的初始电流密度值和初始扫描时间值来建立线性方程组；以及确定与降低电流密度剖面偏差的线性方程组的解对应的一组扫描时间值。提供用于在离子注入系统中校准离子束扫描器的校准系统，该校准系统包括剂量测定系统和控制系统。
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公开(公告)号：CN1672235A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN03818040.5
申请日：2003-07-29
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
Inventor： V·本维尼斯特
IPC: H01J37/317 , H01J37/05
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/05 , H01J37/08 , H01J2237/0835 , H01J2237/31701
Abstract: 公开了离子注入系统以及用于该系统的束线，其中质量分析并准直具有相对大宽高比的带状束，以提供用于注入一个或多个工件的经质量分析的带状束。束线系统(12)包括两个相似的磁体(22、24)，其中第一磁体(22)质量分析带状束以提供经质量分析的中间离子束，第二磁体(24)准直该中间束以向终端台(18)提供均匀的经质量分析的带状束。该对称系统为横跨细长的束宽度的离子提供等距离的束轨道(41、43)，以便减轻系统的束输运中的非线性，从而使最终经质量分析后的束具有均匀的高度。
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