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公开(公告)号：CN106663582A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580044598.7
申请日：2015-08-19
申请人： 瓦里安半导体设备公司
IPC分类号： H01J37/05 , H01J37/30 , H01J37/317 , H05H5/06
CPC分类号： H01J37/3007 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/0473 , H01J2237/0815 , H05H5/063
摘要： 本发明揭示一种具有改进的性能的串列式加速器和离子植入机。所述串列式加速器包含多个输入电极、多个输出电极和安置在其间的高电压端子。高电压端子包含去除管。中性分子注射到去除管中，这从传入的负离子束移除电子。所得正离子朝向所述多个输出电极加速。为减小退出去除管的非所要正离子的量，偏置电极安置在去除管的入口和出口处。偏置电极以大于施加到端子的第一电压的第二电压偏置。偏置电极排斥缓慢移动的正离子，从而防止其退出去除管和污染工件。
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公开(公告)号：CN103119687A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201180046951.7
申请日：2011-09-30
申请人： FEI公司
发明人： S.张
CPC分类号： H01J37/08 , H01J37/3211 , H01J2237/0815
摘要： 本发明公开了一种用于聚焦离子束（FIB）系统的电感耦合等离子体离子源，包括具有原料气输送系统的绝缘等离子体腔，与所述等离子体腔同轴放置并且与所述等离子体腔的外径接近或者与之接触的紧凑射频（RF）天线线圈。在一些实施例中，所述等离子体腔被法拉第屏蔽围绕，以防止天线上的RF电压和等离子体腔内的等离子体之间的电容耦合。使所述高介电强度绝缘管热收缩到用于形成所述天线的导电管或导线的外径上，从而允许对所述天线线圈内的匝的紧密包装。所述绝缘管能够隔离所述天线的不同部分之间以及所述天线和法拉第屏蔽之间的RF电压差。
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公开(公告)号：CN103313502A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310070318.2
申请日：2013-03-06
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01J37/3299 , A61N5/1067 , A61N2005/1088 , H01J27/24 , H01J37/30 , H01J37/32935 , H01J37/32972 , H01J49/161 , H01J2237/0815 , H05H1/46
摘要： 本发明涉及能够在使用激光的离子源中始终监视真空容器内的离子中的与目标离子不同的非目标离子的离子源、重粒子线照射装置、离子源的驱动方法以及重粒子线照射方法。激光烧蚀等离子体产生装置（27）使得从真空容器（1）内的包含有元素的靶（2）产生激光烧蚀等离子体（4）。离子束引出部（18）通过将激光烧蚀等离子体（4）中包含的离子从真空容器（1）内引出来生成离子束（5）。离子检测器（9）检测真空容器（1）内的离子中的与元素被离子化后的目标离子不同的非目标离子，作为检测结果而输出检测信号（14），该检测信号（14）表示非目标离子的数量，或者表示作为非目标离子相对于目标离子的混合比的值。
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公开(公告)号：CN102449739A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201080024190.0
申请日：2010-04-01
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 科斯特尔·拜洛 , 杰·T·舒尔 , 艾力克斯恩德·S·培尔
IPC分类号： H01L21/265 , H05H1/24 , H05H1/34
CPC分类号： H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/061 , H01J2237/065 , H01J2237/0815 , H01L31/0288 , H01L31/1804 , H01L31/206 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供一种离子源，其能够使用一或多个等离子源产生高密度宽带离子束。除了所述等离子源，所述离子源亦包含扩散腔。所述扩散腔具有沿与所述等离子源的介电圆柱体相同的轴定向的提取孔径。在一实施例中，位于所述扩散腔的相对末端上的双等离子源用于形成更均一的提取离子束。在又一实施例中，多尖峰磁场用于进一步改良提取离子束的均一性。
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公开(公告)号：CN101384747A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200680041410.4
申请日：2006-11-06
申请人： 山米奎普公司
发明人： 托马斯·尼尔·霍尔斯基
IPC分类号： C23C16/00
CPC分类号： C23C14/48 , H01J27/026 , H01J27/08 , H01J27/205 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/0815 , H01J2237/082 , H01J2237/0827 , H01J2237/31701 , H01L21/265 , H01L21/26513 , H01L21/2658 , H01L21/823814
摘要： 本发明揭示一种离子源，其用于提供由离子化团簇(例如，B2HX+、B5Hx+、B10Hx+、B18Hx+、P4+或As4+)或单体离子(例如，Ge+、In+、Sb+、B+、As+和P+)组成的一个范围的离子束，以出于制造CMOS装置的目的使得团簇植入物和单体植入物能够进入硅衬底中，且以高生产率完成此操作。所述范围的离子束是由根据本发明的通用离子源产生的，所述离子源经配置以在以下两种离散模式中操作：电子冲击模式，其有效地产生离子化团簇；以及电弧放电模式，其有效地产生单体离子。
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公开(公告)号：CN103119687B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201180046951.7
申请日：2011-09-30
申请人： FEI公司
发明人： S.张
CPC分类号： H01J37/08 , H01J37/3211 , H01J2237/0815
摘要： 公开了一种用于聚焦离子束（FIB）系统的电感耦合等离子体离子源，包括具有原料气输送系统的绝缘等离子体腔，与所述等离子体腔同轴放置并且与所述等离子体腔的外径接近或者与之接触的紧凑射频（RF）天线线圈。在一些实施例中，所述等离子体腔被法拉第屏蔽围绕，以防止天线上的RF电压和等离子体腔内的等离子体之间的电容耦合。使所述高介电强度绝缘管热收缩到用于形成所述天线的导电管或导线的外径上，从而允许对所述天线线圈内的匝的紧密包装。所述绝缘管能够隔离所述天线的不同部分之间以及所述天线和法拉第屏蔽之间的RF电压差。
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公开(公告)号：CN102934195A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201180027850.5
申请日：2011-04-21
申请人： 瓦里安半导体设备公司
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/08 , H01J27/16 , H01J37/3171 , H01J2237/061 , H01J2237/065 , H01J2237/0815 , H05H1/30
摘要： 揭示一种离子源(200)，其能够利用电感耦合等离子生产来产生高密度宽带离子束。与常规电感耦合等离子源相反，本揭示所描述的电感耦合等离子源不是圆柱形的。事实上，将所述源界定成使得其宽度(w)大于其高度(h)，所述宽度(w)为沿着其提取所述束的维度。可界定所述源的深度(d)，使从天线(203)到等离子的能量转移最大化。在另一实施例中，使用包围所述电感耦合等离子源的多尖形磁场(210，211，212)，进一步增加电流密度且改良所提取的离子束的均匀性。亦可通过包含气流率以及输入射频功率的若干个独立的控制要素来控制离子束的均匀性。
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公开(公告)号：CN101802980A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880107324.8
申请日：2008-09-17
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 朱利安·G·布雷克 , 由里·艾洛克海 , 乔纳森·吉罗德·英格兰
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/20 , H01J2237/0815 , H01J2237/2001 , H01J2237/31703 , H01L21/67109 , H01L21/6831
摘要： 本发明揭示了一种离子植入机。一个这样的离子植入机包括离子束源和分析器磁体，此离子束源用于产生氧、氮、氦或氢离子为具有特定剂量范围的离子束，此分析器磁体用于自离子束移除不想要的物质。此离子植入机包括一种具有背面气体热耦合的静电夹盘，此静电夹盘用于固持单个工件来通过离子束进行硅绝缘体的植入且用于将此工件冷却至大约300℃至600℃的温度范围。
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公开(公告)号：CN1807705A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200510132021.X
申请日：2005-12-16
申请人： 应用材料有限公司
IPC分类号： C30B31/06 , C30B31/16 , C30B25/14 , C23C16/448 , H01L21/205 , H01L21/383
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J27/022 , H01J37/08 , H01J2237/061 , H01J2237/0815 , H01J2237/083
摘要： 本发明涉及一种产生掺杂剂气体物质的方法以及实施该方法的离子源，该掺杂剂气体物质含有注入目标的所需掺杂剂元素成分。具体而言，虽然并不排他，但本发明涉及使用离子注入机，产生注入半导体晶片的掺杂剂离子。本发明提供产生掺杂剂气体物质的方法，该掺杂剂气体物质含有注入目标的所需掺杂剂元素成分，该方法包括：将掺杂剂元素成分源堆或块暴露于气态溴，使得溴与所述元素成分反应，形成反应产物，并离子化该反应产物，以产生掺杂剂气体物质的离子。
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公开(公告)号：CN1672232A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN03818209.2
申请日：2003-07-29
申请人： 艾克塞利斯技术公司
CPC分类号： H01J37/08 , H01J2237/0815 , H01J2237/083 , H01J2237/0835 , H01J2237/31701
摘要： 公布一种离子源，所述离子源具有用以提供离子注入系统中所使用的带状离子束的细长狭缝。所述离子源包括在圆柱形源外壳内的用于射频激发等离子体的同轴感应耦合天线，以及设置在所述外壳内用于产生多新月形的方位磁场以实现对等离子体进行约束的周向磁体。还公布一种在等离子体与外壳壁之间设有隔热层以减轻或减少等离子体约束腔中冷凝的用于外壳内部的衬套。
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