公开(公告)号：CN1330805A

公开(公告)日：2002-01-09

申请号：CN99814617.X

申请日：1999-12-15

Applicant: 艾利森电话股份有限公司

Inventor： E·本德兹 ,  L·伦德奎斯特

IPC: H01S5/30 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0062 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/2077

Abstract: 本发明涉及一种制造多个半导体光电集成电路的方法,所说半导体光电集成电路至少包括彼此光学相连的激光器和调制器。每个激光器和调制器具有实现在一个衬底上的波导层,其中所说调制器利用选择区生长技术形成。通过提供具有可选择宽度的调制器掩蔽部分,补偿激光器和调制器间波导层的带隙能量差,可以使光学相连的激光器和调制器间带隙能量差大致一致。

公开(公告)号：CN1158731C

公开(公告)日：2004-07-21

申请号：CN99814617.X

申请日：1999-12-15

Applicant: 艾利森电话股份有限公司

Inventor： E·本德兹 ,  L·伦德奎斯特

IPC: H01S5/30 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0062 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/2077

Abstract: 本发明涉及一种制造多个半导体光电集成电路的方法，所说半导体光电集成电路至少包括彼此光学相连的激光器和调制器。每个激光器和调制器具有实现在一个衬底上的波导层，其中所说调制器利用选择区生长技术形成。通过提供具有可选择宽度的调制器掩蔽部分，补偿激光器和调制器间波导层的带隙能量差，可以使光学相连的激光器和调制器间带隙能量差大致一致。