电吸附调制器及制造该调制器的方法

    公开(公告)号:CN1329724A

    公开(公告)日:2002-01-02

    申请号:CN99814164.X

    申请日:1999-10-08

    CPC classification number: B82Y20/00 G02F1/01708 G02F2001/0157

    Abstract: 一种制造用于调制光的波导类型的电吸附调制器(EAM),包括波导芯,波导包层(42、43、52、53)和电极(45、55),调制器布置成响应于施加到电极的电压调节发射到调制器中的光线。根据本发明,波导芯(41,51)的宽度和/或厚度沿着调制器的长度变化。调制器的宽度和/或厚度在光线预定输入调制器的部位比较小,目的在于减少调制器那儿的吸附。制造调制器的方法利用楔形光刻掩膜(46)。

    半导体制造中的波长补偿方法

    公开(公告)号:CN1158731C

    公开(公告)日:2004-07-21

    申请号:CN99814617.X

    申请日:1999-12-15

    CPC classification number: H01L33/0062 H01S5/0265 H01S5/2077

    Abstract: 本发明涉及一种制造多个半导体光电集成电路的方法,所说半导体光电集成电路至少包括彼此光学相连的激光器和调制器。每个激光器和调制器具有实现在一个衬底上的波导层,其中所说调制器利用选择区生长技术形成。通过提供具有可选择宽度的调制器掩蔽部分,补偿激光器和调制器间波导层的带隙能量差,可以使光学相连的激光器和调制器间带隙能量差大致一致。

    电吸附调制器及制造该调制器的方法

    公开(公告)号:CN1149425C

    公开(公告)日:2004-05-12

    申请号:CN99814164.X

    申请日:1999-10-08

    CPC classification number: B82Y20/00 G02F1/01708 G02F2001/0157

    Abstract: 一种制造用于调制光的波导类型的电吸附调制器(EAM),包括波导芯,波导包层(42、43、52、53)和电极(45、55),调制器布置成响应于施加到电极的电压调节发射到调制器中的光线。根据本发明,波导芯(41,51)的宽度和/或厚度沿着调制器的长度变化。调制器的宽度和/或厚度在光线预定输入调制器的部位比较小,目的在于减少调制器那儿的吸附。制造调制器的方法利用楔形光刻掩膜(46)。

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