高压屏蔽
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1325545A

    公开(公告)日:2001-12-05

    申请号:CN99813029.X

    申请日:1999-08-02

    IPC分类号: H01L23/58

    摘要: 一种集成电路具有用于使第一区域(14)(例如,高压区)与第二区域(15)(例如,低压区)隔绝的保护环。所述保护环包括:导电保护环(6)(例如,金属),它穿过集成电路(1)中的钝化层(13)部分地露出;半导体保护环(8)(例如,硅),它通过至少两个沟槽环(16)与半导体的第一和第二区域隔离,两个沟槽环分别位于半导体保护环(8)的两侧。多个导体元件(由金属连接片(18)和通路(19)构成)按照一定间隔在多处将导电保护环(6)和半导体保护环(8)连接。导电保护环(6)、半导体保护环(8)和导电元件都与地线连接。如果高能粒子从第一区域移向第二区域,则它们会被吸引到露出的金属,于是其电荷被传导至地线。

    调整电路
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1240042A

    公开(公告)日:1999-12-29

    申请号:CN97180441.9

    申请日:1997-10-01

    发明人: R·戈尔德曼

    IPC分类号: G11C17/18

    CPC分类号: G11C17/18 G11C29/02

    摘要: 为了监视反熔断器电容器的状态,将一个晶体管连接到该电容器,使其只在该电容器未被烧熔时处于饱和状态。监视该晶体管的基极电流就可监视该电容器的状态,而不需要使用常规的高电压比较器。

    模拟开关
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1161840C

    公开(公告)日:2004-08-11

    申请号:CN99816073.3

    申请日:1999-11-29

    IPC分类号: H01L27/082 H03K17/66

    CPC分类号: H01L27/0826 H01L29/7317

    摘要: 本发明涉及一种由双极晶体管器件形成的集成电路双向开关,其中饱和电压被刻意降低。更为特别的是,利用绝缘氧化物形成集成的NPN双极晶体管,而电流流动的正常方向是从发射极到集电极,而且利用绝缘氧化物形成集成的PNP双极晶体管,电流流动的正常方向是从集电极到发射极。

    定时电路
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1262813A

    公开(公告)日:2000-08-09

    申请号:CN98807031.6

    申请日:1998-07-07

    IPC分类号: H03K3/023

    CPC分类号: H03K3/0231 H03K17/28

    摘要: 一种定时电路,用在集成电路中产生较长的时间周期。向其中一个部件提供热的同时,测量一对匹配部件的电性质(例如电阻值)。当部件的热相关性质的值相差某个数量时,定时周期结束。成对的匹配部件位于IC内的隔热的结构中。

    模拟开关
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1334965A

    公开(公告)日:2002-02-06

    申请号:CN99816073.3

    申请日:1999-11-29

    IPC分类号: H01L27/082 H03K17/66

    CPC分类号: H01L27/0826 H01L29/7317

    摘要: 本发明涉及一种由双极晶体管器件形成的集成电路双向开关,其中饱和电压被刻意降低。更为特别的是,利用绝缘氧化物形成集成的NPN双极晶体管,而电流流动的正常方向是从发射极到集电极,而且利用绝缘氧化物形成集成的PNP双极晶体管,电流流动的正常方向是从集电极到发射极。