公开(公告)号：CN101097926B

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN200710109542.2

申请日：2007-06-25

申请人： 株式会社液晶先端技术开发中心

发明人： 河内玄士朗

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/20 ,  H01L29/04 ,  H01L29/735 ,  H01L29/739 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L27/1285 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1274 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/7317 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明涉及薄膜半导体器件、薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法。横向双极晶体管(100)包括在形成在绝缘基片(101)上的半导体薄膜(105)中形成的发射极(102)、基极(103)和集电极(104)，在该横向双极晶体管(100)中，半导体薄膜(105)是在预定方向上晶化的半导体薄膜。而且，MOS—双极混合晶体管(200)在形成在绝缘基片上的半导体薄膜中形成，在该MOS—双极混合晶体管(200)中，半导体薄膜(205)是在预定方向上晶化的半导体薄膜。

公开(公告)号：CN102104063A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200910201332.5

申请日：2009-12-17

申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

发明人： 陈静 ,  罗杰馨 ,  伍青青 ,  周建华 ,  肖德元 ,  王曦

IPC分类号： H01L29/732 ,  H01L21/331 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L29/7317 ,  H01L29/66265

摘要： 本发明公开了一种SOI纵向双极晶体管及其制作方法，该双极晶体管包括SOI衬底，所述SOI衬底由下至上依次为SOI衬底体区，SOI衬底隐埋氧化层，顶层硅膜，所述SOI衬底上采用集成电路STI工艺在顶层硅膜位置处形成有有源区，有源区位置处通过离子注入形成有集电区和基区，集电区靠近SOI衬底隐埋氧化层，基区靠近顶层硅膜表面；基区上形成有发射极和基极，发射极和基极分别被侧氧隔离墙包围。本发明它采用一种简单的双多晶硅技术，不仅提高晶体管性能，而且可以减小有源区面积提高集成度；此外本发明采用侧氧隔离工艺，提高SOI BJT与SOI CMOS的兼容性，使SOI BiCMOS工艺变得简单，从而降低成本。

公开(公告)号：CN101930997A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200910221561.3

申请日：2009-11-20

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 庄建祥 ,  薛福隆

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7317 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0804

摘要： 薄体双极器件包括：半导体衬底、构造在半导体衬底之上的半导体鳍片、半导体鳍片的具有第一导电类型的第一区域、用作薄体双极器件的基极的第一区域、以及半导体鳍片的具有与第一导电类型相反的第二导电类型的第二和第三区域，第二和第三区域与第一区域并置并被第一区域分离，第二和第三区域分别用作薄体双极器件的发射极和集电极。

公开(公告)号：CN100392865C

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200510008195.5

申请日：2005-02-22

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 何磊 ,  马亨德·库马尔 ,  欧阳齐庆 ,  鲍尔·A·帕普沃斯 ,  克里斯托弗·D·雪劳 ,  迈克尔·D·斯泰格沃尔特

IPC分类号： H01L29/732 ,  H01L21/331 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L29/7317

摘要： 本发明提供一种不具有掺杂杂质的集电极的“无集电极”绝缘体上硅(SOI)双极面结型晶体管(BJT)。代替地，当它操作时，本发明的纵向SOI BJT使用感生背面栅极、少数载流子反型层作为固有集电极。根据本发明，SOI衬底被施加偏压使得反型层在用作集电极的基极区域底部形成。这种器件的优点是它的类CMOS工艺。因此，集成方案可以简化并且制造成本可以显著减少。本发明也提供一种使用关于厚BOX的常规SOI起始晶片在非常薄BOX的所选区域上制造BJT的方法。双极型器件下面减小的BOX厚度允许与CMOS相适合的显著减小的衬底偏压被施加，同时维持CMOS下厚BOX的优点。

公开(公告)号：CN1661811A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN200510008195.5

申请日：2005-02-22

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 何磊 ,  马亨德·库马尔 ,  欧阳齐庆 ,  鲍尔·A·帕普沃斯 ,  克里斯托弗·D·雪劳 ,  迈克尔·D·斯泰格沃尔特

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L21/331 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L29/7317

摘要： 本发明提供一种不具有掺杂杂质的集电极的“无集电极”绝缘体上硅(SOI)双极面结型晶体管(BJT)。代替地，当它操作时，本发明的纵向SOI BJT使用感生背面栅极、少数载流子反型层作为固有集电极。根据本发明，SOI衬底被施加偏压使得反型层在用作集电极的基极区域底部形成。这种器件的优点是它的类CMOS工艺。因此，集成方案可以简化并且制造成本可以显著减少。本发明也提供一种使用关于厚BOX的常规SOI起始晶片在非常薄BOX的所选区域上制造BJT的方法。双极型器件下面减小的BOX厚度允许与CMOS相适合的显著减小的衬底偏压被施加，同时维持CMOS下厚BOX的优点。

公开(公告)号：CN1367535A

公开(公告)日：2002-09-04

申请号：CN01137022.X

申请日：2001-10-19

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 宁德雄

IPC分类号： H01L29/732 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L29/66265 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/7317

摘要： 本发明公开了一种双极晶体管结构,它包括发射极、基极和在硅绝缘体(SOI)基板的绝缘体上具有全耗尽区的集电极,不需要高度掺杂的辅集电极,以允许在具有300nm或更薄的厚度的半导体材料上制造垂直双极晶体管,并允许制造SOIBiCMOS。本发明克服了在SOI上需要厚半导体层以制造具有低集电极电阻的垂直双极晶体管的问题。

公开(公告)号：CN101369577B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200810131038.7

申请日：2008-08-13

申请人： 英飞凌科技股份公司

发明人： R·卡科施克 ,  K·施吕菲尔

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L27/06 ,  H01L27/12 ,  H01L29/72 ,  H01L21/331 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8249 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L21/8249 ,  H01L21/84 ,  H01L27/0623 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66265 ,  H01L29/7317 ,  H01L29/785

摘要： 除其它内容外，本文论述了具有在衬底上的至少一个CMOS晶体管和在衬底上的至少一个鳍式双极晶体管的设备及制作设备的方法。

公开(公告)号：CN102097441B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201010594793.6

申请日：2010-12-17

申请人： 电子科技大学

发明人： 乔明 ,  罗波 ,  胡曦 ,  叶俊 ,  张波 ,  李肇基

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L27/1203 ,  H01L29/7317 ,  H01L29/7394

摘要： 本发明实施例公开了一种用于等离子显示屏驱动芯片的SOI器件，自下而上依次包括：衬底、埋氧层、n型SOI层，所述SOI层中集成HV-NMOS、HV-PMOS、Field-PMOS、LIGBT、CMOS、NPN、PNP和HV-PNP器件；其中，所述SOI层内具有n+掺杂区，位于n型SOI层与埋氧层界面处。本发明在n型SOI层与埋氧层界面处，设置n型SOI层内的n+掺杂区，并且n+掺杂区的掺杂浓度大于n型SOI层的掺杂浓度，使得空穴反型层和电离N+区的正电荷作用增强了埋氧层电场，削弱了SOI层中的电场，使得器件发生击穿时，单位厚度的埋氧层可承担更高的纵向耐压，打破常规SOI高压器件纵向耐压限制。

公开(公告)号：CN101552202A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200910129904.3

申请日：2009-04-01

申请人： 卓联半导体(美国)公司

发明人： T·J·克鲁特西克 ,  C·J·斯派尔

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/265 ,  H01L29/73 ,  H01L29/10

CPC分类号： H01L29/7317 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/66265

摘要： 所公开的主题提供了一种形成双极晶体管的方法，包括形成双极晶体管的浅基区的方法。该方法包括在用第一类型掺杂剂掺杂的材料的第一层上方淀积第一绝缘层。该第一层形成在衬底上方。该方法还包括基于目标掺杂剂分布来更改第一氧化物层的厚度并且在该第一层中注入第一类型的掺杂剂。该掺杂剂以基于所更改的该第一绝缘层厚度和该目标掺杂剂分布而选择的能量被注入。

公开(公告)号：CN101097926A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200710109542.2

申请日：2007-06-25

申请人： 株式会社液晶先端技术开发中心

发明人： 河内玄士朗

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/20 ,  H01L29/04 ,  H01L29/735 ,  H01L29/739 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L27/1285 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1274 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/7317 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明涉及薄膜半导体器件、薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法。横向双极晶体管(100)包括在形成在绝缘基片(101)上的半导体薄膜(105)中形成的发射极(102)、基极(103)和集电极(104)，在该横向双极晶体管(100)中，半导体薄膜(105)是在预定方向上晶化的半导体薄膜。而且，MOS-双极混合晶体管(200)在形成在绝缘基片上的半导体薄膜中形成，在该MOS-双极混合晶体管(200)中，半导体薄膜(205)是在预定方向上晶化的半导体薄膜。