公开(公告)号：CN113311370A

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN202110212146.2

申请日：2021-02-25

申请人： 艾普凌科株式会社

发明人： 上村纮崇 ,  五十岚敦史 ,  加藤贵博

IPC分类号： G01R33/07

摘要： 本发明提供一种磁性传感器及磁性检测方法，能够提高对于被测定磁场的瞬态响应特性。本发明的磁性传感器(100)包括：霍尔集成电路(120)，在表面形成有霍尔元件(121)；以及引线框架(110)，支撑霍尔集成电路(120)，并且引线框架(110)包括：第一区域(111a)，配置于霍尔元件(121)的附近，利用通过施加被测定磁场(H)而生成的第一涡电流(ia)，来产生第一磁场(ha)；以及第二区域(111b)、第二区域(111c)，与第一区域(111a)分离而配置，利用通过施加被测定磁场(H)而生成的第二涡电流(ib)、第二涡电流(ic)，来产生将第一磁场(ha)消除的强度的第二磁场(hb+hc)。