用于制造半导体本体的方法和半导体装置

    公开(公告)号:CN116490984A

    公开(公告)日:2023-07-25

    申请号:CN202180074339.4

    申请日:2021-10-29

    IPC分类号: H01L33/16

    摘要: 本发明涉及一种用于制造半导体本体的方法,其中提供辅助载体。在所述辅助载体上产生层序列,其包括具有掺杂的半导体材料的第一层和在其上施加的第二层,所述第二层具有未掺杂的半导体材料。将层序列的第一层电化学地多孔化,其中孔隙度为至少20体积%。然后在经多孔化的第一层和第二层中构成台地结构并且产生具有至少一个平坦的第三层的功能性的层序列,所述第三层施加在设有台地结构的第二层上。至少一个平坦的第三层具有与第二层不同的晶格常数。

    用于光电子半导体器件的转移法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117897820A

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN202280055108.3

    申请日:2022-08-03

    摘要: 本发明涉及一种用于将光电子半导体器件(1)从第一载体(10)转移到第二载体(11)的方法,所述方法包括以下步骤:在第一载体(10)上提供多个(2)光电子半导体器件(1);提供第二载体,其中第二载体(11)在其上侧(11a)上具有带有多个周期性设置的接触面(4)的接触结构(3);借助于转移单元(12)拾起多个(2)光电子半导体器件(1),这包括:将转移单元(12)放置到光电子半导体器件(1)的与第一载体(10)相对置的上侧上;将多个(2)光电子半导体器件(1)从第一载体(10)提起;以及将多个(2)光电子半导体器件(1)的第一子集(2a)在多个周期性设置的接触面(4)的第一子集上放下。