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公开(公告)号：CN118103979A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202280068723.8
申请日：2022-08-12
申请人： 艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
IPC分类号： H01L25/16 , H01L31/167 , H01L33/00 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01L31/173
摘要： 提出一种光电子器件，所述光电子器件具有如下特征：‑发射器(1)，所述发射器以输入电压(Vin)运行并且在运行中产生电磁辐射(2)，‑多个接收器(3)，所述接收器形成接收器阵列(4)，其中接收器阵列(4)将由发射器(1)在运行中产生的电磁辐射(2)转换成输出电压(Vout)，其中‑接收器(3)的辐射耦合输入面(5)设置在发射器(1)的辐射耦合输出面(6)上，并且‑在发射器(1)和接收器阵列(4)之间设置有辐射影响元件(7)，其中辐射影响元件(7)将由发射器(1)产生的电磁辐射(2)偏转到接收器(3)的辐射耦合输入面(5)上。
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公开(公告)号：CN118103996A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202280068706.4
申请日：2022-08-11
申请人： 艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
发明人： 阿尔瓦罗·戈麦斯-伊格莱西亚斯 , 诺温·文马尔姆 , 坦森·瓦尔盖斯 , 迪尔克·贝克
IPC分类号： H01L31/167 , H01L31/0687 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/0232 , H01L31/0216 , H01L31/047
摘要： 规定了光电器件，该光电器件包括：发射器(1)，该发射器(1)以电输入电压(Vin)操作并且被配置成在操作期间发射电磁辐射(2)；接收器(3)，该接收器(3)被配置成将由发射器发射的电磁辐射(2)转换成输出电压(Vout)，其中，‑接收器(3)包括具有多个堆叠的有源层(6)的半导体层序列(5)，‑由发射器发射的电磁辐射(2)经由半导体层序列(5)的第一侧面(7)耦合到接收器(3)中，并且‑电磁辐射(2)在有源层(6)内部平行于有源层(6)的主延伸平面传播，在该有源层(6)中，电磁辐射(2)被逐渐吸收并转换成电压。
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公开(公告)号：CN116490984A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202180074339.4
申请日：2021-10-29
申请人： 艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
发明人： 亚德里恩·阿夫拉梅斯库 , 诺温·文马尔姆 , 彼得·施陶斯
IPC分类号： H01L33/16
摘要： 本发明涉及一种用于制造半导体本体的方法，其中提供辅助载体。在所述辅助载体上产生层序列，其包括具有掺杂的半导体材料的第一层和在其上施加的第二层，所述第二层具有未掺杂的半导体材料。将层序列的第一层电化学地多孔化，其中孔隙度为至少20体积％。然后在经多孔化的第一层和第二层中构成台地结构并且产生具有至少一个平坦的第三层的功能性的层序列，所述第三层施加在设有台地结构的第二层上。至少一个平坦的第三层具有与第二层不同的晶格常数。
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公开(公告)号：CN118369765A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202280081037.4
申请日：2022-12-09
申请人： 艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
发明人： 诺温·文马尔姆 , 阿尔瓦罗·戈麦斯-伊格莱西亚斯 , 哈拉尔德·柯尼希
摘要： 一种具有外延层序列的光电子器件，所述光电子器件包括功能内部区域，所述功能内部区域具有第一电接触部(30)和与第一电接触部(30)相对置的第二电接触部以及在第一电接触部(30)和第二电接触部(35)之间设置的并且配置用于产生光的半导体层(4)。配置用于产生光的半导体层(4)具有朝向第二电接触部增大的基面。在配置用于产生光的半导体层的侧壁上施加有介电钝化层(5)。此外，镜层(6)在形成中间空间(7)的条件下间隔开地包围钝化层(5)。第二电接触部(35)和形成的中间空间的包围第二电接触部的平面形成共同的光出射面。
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