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公开(公告)号：CN118899346A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410850852.3
申请日：2024-06-28
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/0216
Abstract: 本发明属于太阳电池技术领域，具体涉及一种电子选择性钝化接触结构及其应用。所述电子选择性钝化接触结构设置于硅衬底的表面，包括依次制备的氧化硅隧穿层、氧化镁层和氢钝化盖层。本发明的电子选择性钝化接触结构具有优异的表面钝化性能，同时实现电子选择性传输。宽带隙氧化镁层可以避免光学寄生吸收问题，且具有高的电子浓度及体电导率，所述氧化镁层可通过掺杂进一步优化其光、电学性能，进而提高其电子选择性钝化接触性能。
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公开(公告)号：CN117690984A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311855040.X
申请日：2023-12-29
Applicant: 苏州思萃新能源光电技术研究所有限公司 , 苏州大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18 , H10K30/50 , H10K30/40 , H10K30/88 , H10K30/81 , H10K30/82 , H10K39/15 , H10K71/00 , H10K71/60
Abstract: 本发明揭示了一种电子钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池，所述电子钝化接触结构位于硅衬底的受光面上，电子钝化接触结构包括层叠于硅衬底受光面上的铝掺杂氧化钕层及透明导电层，或，所述电子钝化接触结构位于硅衬底的背光面上，电子钝化接触结构包括层叠于硅衬底背光面上的铝掺杂氧化钕层及金属电极层，其中，铝的掺杂质量与钕的质量之比为(1～5):100。太阳能电池为晶硅太阳能电池、或钙钛矿太阳能电池、或钙钛矿‑晶硅叠层太阳能电池。本发明基于金属化合物AlNdOX作为电子钝化接触层，可以降低光学寄生吸收，能够有效避免掺杂硅薄膜钝化接触寄生光吸收导致短路电流密度损失的问题，同时通过Al掺杂能提高表面钝化性能以及对电子的选择性传输性能。
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公开(公告)号：CN115172602B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202210623053.3
申请日：2022-06-02
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种原子层沉积(ALD)掺杂金属氧化物复合层结构。本发明给出一种基于ALD连续沉积的宽禁带掺杂金属氧化物隧穿结，该结构包括一层ALD沉积金属氧化物电子传输层(包括TiO2，ZnO或SnO2)和一层ALD沉积掺杂氧化镍空穴传输层。该复合层结构用于钙钛矿钙钛矿叠层太阳能电池，具有寄生吸收小、沉积损伤低、保型沉积、漏电流小的优点，既可以有效的降低寄生吸收损失和漏电流，还可以减小沉积损伤，进而提升晶硅/钙钛矿叠层电池的光电转化效率。
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公开(公告)号：CN114937707B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202210546452.4
申请日：2022-05-19
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068
Abstract: 本发明属于太阳电池材料领域，具体涉及一种电子钝化接触结构及晶硅太阳电池。本发明公开的基于氟化铝的电子钝化接触同时具有高透明度、优良的表面钝化性能以及对电子的选择性传输，能够有效避免掺杂硅薄膜的寄生吸收导致短路电流损失的问题。同时，氟化铝表现出优良的稳定性，且制备工艺简单、经济、安全，无需PECVD/LPCVD/ALD等昂贵设备，不涉及硅烷、磷烷等易燃易爆气体带来的安全问题。
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公开(公告)号：CN114937706B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202210499539.0
申请日：2022-05-09
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种晶硅太阳能电池用叠层钝化薄膜及其制备方法。本发明所述的叠层钝化薄膜由B2O3层、钝化膜盖层以及含氢盖层组成，并利用激光技术实现p型局部掺杂。通过原子层沉积技术沉积B2O3层，作为钝化层兼掺杂源层，B2O3层分布均匀，因而后续在利用该B2O3层进行激光照射掺杂的时候，使得硼离子在扩散区的分布均匀；本方法直接通过激光照射的方式对硅衬底进行硼p+掺杂并同时实现了开窗，合理调控激光参数可极大减少对硅衬底的损伤。本发明的制备方法所涉及的各个工艺，基本使用当前主流的方式，因而该方法与现有产线的兼容性较高，无需专门设计新的工艺和产线即可实现，因而大大降低了本发明新方法推广的生产成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114678430B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202210148208.2
申请日：2022-02-17
Applicant: 苏州大学
Inventor： 杨新波
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/06 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种电子选择性钝化接触结构、太阳能电池及制备方法，包括：晶硅衬底；遂穿钝化层，沉积在所述晶硅衬底上；电子传输层，沉积在所述遂穿钝化层上，所述电子传输层为氧化镁薄膜；透明电极，沉积在所述电子传输层上，所述透明电极为氧化锌透明电极；金属电极，沉积在所述氧化锌透明电极上。本发明兼具高透明度和优良钝化接触性能，既可以有效降低金属‑晶硅接触处载流子复合损失，又能减少寄生光学吸收，提高晶硅太阳电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN115172602A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210623053.3
申请日：2022-06-02
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种原子层沉积(ALD)掺杂金属氧化物复合层结构。本发明给出一种基于ALD连续沉积的宽禁带掺杂金属氧化物隧穿结，该结构包括一层ALD沉积金属氧化物电子传输层(包括TiO2，ZnO或SnO2)和一层ALD沉积掺杂氧化镍空穴传输层。该复合层结构用于钙钛矿钙钛矿叠层太阳能电池，具有寄生吸收小、沉积损伤低、保型沉积、漏电流小的优点，既可以有效的降低寄生吸收损失和漏电流，还可以减小沉积损伤，进而提升晶硅/钙钛矿叠层电池的光电转化效率。
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公开(公告)号：CN119324676A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411381335.2
申请日：2024-09-30
Applicant: 苏州大学
IPC: H02S50/10
Abstract: 本发明涉及太阳能电池损耗表征技术领域，尤其是指晶硅太阳能电池切片后边缘损耗的表征方法、系统及装置，所述表征方法包括：将晶硅太阳能电池沿着晶面切成面积大小不同的多个子电池，并使所述多个子电池处于开路状态，在不同位置处激发每个子电池中的载流子，获取多个小扰动瞬态光电压；基于所述多个小扰动瞬态光电压，得到多个子电池的载流子寿命；根据所述多个子电池的载流子寿命，得到切片后子电池边缘损伤程度的评估结果。本发明利用小光学微扰进行无损测试，通过测量不同位置处的小扰动瞬态光电压，该技术能够精确地捕捉到切片过程中引起的边缘损伤对电池性能的影响，进而准确评估边缘损耗程度。
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公开(公告)号：CN117594686A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311628390.2
申请日：2023-11-30
Applicant: 苏州思萃新能源光电技术研究所有限公司 , 苏州大学
IPC: H01L31/075 , H01L31/20
Abstract: 本发明公开了一种异质结晶硅太阳能电池、制备方法及光伏器件，该异质结晶硅太阳能电池包括：n型单晶硅衬底层；依次层叠于所述n型晶硅衬底层正面的第一本征氢化非晶硅层、n型氧化镓层和第一透明导电层；以及依次层叠于所述n型晶硅衬底层背面的第二本征氢化非晶硅层、p型氧化碲层和第二透明导电层。本发明提供的异质结晶硅太阳能电池、制备方法及光伏器件，利用n型氧化镓层和p型氧化碲层作为载流子选择性传输层，能够降低接触区的接触电阻率有利于载流子的传输；而且无需进行高温退火处理，能够避免高温处理带来的负面效果。
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公开(公告)号：CN114937707A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210546452.4
申请日：2022-05-19
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068
Abstract: 本发明属于太阳电池材料领域，具体涉及一种电子钝化接触结构及晶硅太阳电池。本发明公开的基于氟化铝的电子钝化接触同时具有高透明度、优良的表面钝化性能以及对电子的选择性传输，能够有效避免掺杂硅薄膜的寄生吸收导致短路电流损失的问题。同时，氟化铝表现出优良的稳定性，且制备工艺简单、经济、安全，无需PECVD/LPCVD/ALD等昂贵设备，不涉及硅烷、磷烷等易燃易爆气体带来的安全问题。
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