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发明公开
多层式储存格NAND闪存、关键数据存储方法及垃圾回收方法无效

公开(公告)号：CN108089993A

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201711478965.1

申请日：2017-12-29

申请人： 苏州大学

发明人： 黄敏 , 许宜申 , 袁宇 , 吴迪 , 陈大庆 , 陶智 , 詹耀辉

IPC分类号： G06F12/02

摘要： 本发明涉及一种多层式储存格NAND闪存关键数据的存储方法，包括：文件系统请求向第一逻辑地址写入第一内容；Flash转译层为所述第一逻辑地址分配第一物理地址；判断所述第一内容是不是关键数据；若所述第一内容是关键数据，继续判断所述第一物理地址是不是LSB物理页；若所述第一物理地址是LSB物理页，则查询共享映射表找到与所述第一物理地址对应的MSB物理页，并将所述MSB物理页标为无效。上述多层式储存格NAND闪存关键数据的存储方法，有效降低了系统关键数据错误率，且未对存储系统I/O性能造成明显影响，提高了系统可靠性。还涉及一种多层式储存格NAND闪存和一种多层式储存格NAND闪存的垃圾回收方法。