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公开(公告)号：CN108878571A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810714214.3
申请日：2018-06-29
申请人： 苏州大学
IPC分类号： H01L31/09
摘要： 本发明公开了一种基于热载流子的隐身探测器，其包括基底线，基底线上依次气相沉积有第一导电层、隧穿层和第二导电层，第一导电层和第二导电层上均设有电极，第一导电层、隧穿层和第二导电层在光照时产生电流，同时产生法诺共振，在探测特定波长的光时，不改变光场。本发明的基于热载流子的隐身探测器基于热载流子输运机制，其第一导电层和第二导电层既作为光学元件，又作为电学元件，使探测器功能高度集成。同时基于法诺共振机制，在基底线上依次气相沉积第一导电层、隧穿层和第二导电层的三层结构，在特定波长光的激励下，其散射效率为极小值，能够实现在获取光电信息的同时不破坏或扰动背景场，实现光学视场不可见。
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公开(公告)号：CN108021515A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201711479001.9
申请日：2017-12-29
申请人： 苏州大学
IPC分类号： G06F12/1009
摘要： 本发明涉及一种多层式储存格NAND闪存关键数据的存储方法，包括：文件系统请求向第一逻辑地址写入第一内容；当所述第一内容是关键数据时，判断第一逻辑地址是否在复制映射表中，其中，所述复制映射表是逻辑地址中关键数据与其备份形成的映射表；若所述第一逻辑地址在所述复制映射表中，在所述复制映射表中获取与所述第一逻辑地址相应的第二逻辑地址，并将所述第二逻辑地址添加到请求队列中。上述多层式储存格NAND闪存关键数据的存储方法，进一步提高冗余方法的容错能力，提高存储系统的可靠性，即使NAND闪存接近其最大寿命，非对称冗余也可以有效地工作。
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公开(公告)号：CN104157714B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201410323443.4
申请日：2014-07-08
申请人： 苏州大学
IPC分类号： H01L31/054 , H01L31/0352 , H01L31/0392
CPC分类号： Y02E10/52
摘要： 本发明公开了一种非晶/微晶硅叠层太阳能电池，该电池的顶电池采用纳米光栅结构化的非晶硅薄膜层，并且纳米光栅结构间隙内填充有透明绝缘层，而中间反射层为类光子晶体结构化且具有波长选择性反射/透射功能的选择性反射层；类光子晶体结构是指将两种不同折射率的介质按准周期性交替排列而成的光子晶体结构，准周期性是指介质绝大部分层的排列呈周期性，只在靠近整个晶体表面的n层介质的尺寸逐渐减小，n＜N/10，N为类光子晶体结构的总层数。本发明通过将顶电池构筑为纳米光栅结构，使整个电池具有良好的光减反效应，结合中间反射层的波长选择性反射/透射功能，较大幅度地提高了非晶硅层的光吸收，同时保证微晶硅层的光吸收不受影响，以此来提高电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN113531921A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110941331.5
申请日：2021-08-17
申请人： 苏州大学
摘要： 本申请提供一种基于分波段的逆向差别光路的光热复用装置，该装置包括但不局限于：分波段逆向差别光路元件、中红外辐射制冷器、太阳光转换器，分波段逆向差别光路元件置于中红外辐射制冷器和太阳光转换器的上方，使用支架使其悬空，避免和下方部件接触产生热传导的情况；下方的中红外辐射制冷器与太阳光转换器之间设有空腔。设置空腔以防止两者之间进行热传导。这样的设计实现了太阳能热源和辐射制冷的冷源同时、高效的利用。
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公开(公告)号：CN112985339A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110393104.3
申请日：2021-04-13
申请人： 苏州大学
摘要： 本发明属于光学器件领域，为解决黑夜无法被动供电测量井深的问题，公开了一种基于辐射制冷原理测量井深度的装置及方法，沿着天空方向依次包括防流动的空气层、辐射制冷材料的发射层、太阳光高反射率的反射层；所述的防流动的空气层是为了防止井中的水分和流动的空气对装置测量结果产生影响；辐射制冷材料的发射层用于通过大气中8至13微米的透明窗口向外太空辐射热量；太阳光高反射率的反射层用于反射0.3至25微米波段90％以上的太阳光，从而减少热量的吸收；使用本技术方案可使用辐射制冷装置对实现降温。
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公开(公告)号：CN110119005A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201910452121.2
申请日：2019-05-28
申请人： 苏州大学
摘要： 本发明公开了一种宽波段反射镜，包括从下向上依次设置的衬底层、金属反射层和光子晶体反射层，光子晶体反射层为一维光子晶体；所述光子晶体反射层包括由下至上依次排布的第一光子晶体层、第二光子晶体层和第三光子晶体层；所述第一光子晶体层的光子禁带的中心波长为300nm，所述第二光子晶体层的光子禁带的中心波长为340nm，所述第三光子晶体层的光子禁带的中心波长为380nm。其具有超宽的反射带宽，高反射率，极大的减小了镀膜层数，降低了膜层的内应力。
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公开(公告)号：CN109773328A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910261474.4
申请日：2019-04-02
申请人： 苏州大学
IPC分类号： B23K26/00 , B23K26/70 , B23K103/10
摘要： 本发明公开了一种箔材表面连续制备纳米图案的方法及装置，该方法包括：在金属箔材基体的上表面预涂石墨吸收层；将涂好石墨吸收层的金属箔材基体放置到模具上；在石墨吸收层上设置玻璃约束层；进行激光冲击，石墨吸收层吸收激光能量迅速气化，形成大量稠密的高温、高压等离子体，该等离子体继续吸收激光能量急剧升温膨胀，然后爆炸形成高强度冲击波作用于金属箔材基体的上表面，冲击波将金属箔材基体压入到模具的表层型腔内，并在金属箔材基体的下表面复制出与模具表层型腔内相反的纳米图案；该装置包括：模具，主辊、激光发射器、玻璃约束层和托辊；该方法能够简化制备工序，提高制备效率，降低成本，该装置结构简单，操作方便，自动化程度高。
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公开(公告)号：CN108108309A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711483137.7
申请日：2017-12-29
申请人： 苏州大学
IPC分类号： G06F12/02
摘要： 本发明涉及一种多NAND闪存组成的存储系统中的并行访问方法，所述NAND闪存的数量为N，通道的数量等于NAND闪存的数量，所述NAND闪存的物理页的数量为M，一次连续的请求的逻辑地址为0到M*N‑1，其中，M和N都是正整数，M≥2，N≥2，包括：所述连续的请求通过队列管理器，对于第i通道的第j次请求，分配的逻辑地址为M*N‑1‑i*N‑j；依次经过闪存转译层地址映射、请求分配管理器和NAND闪存控制器后写入到多NAND闪存组成的存储系统中。系统I/O性能提高，减少了基于NAND Flash SSD的垃圾回收时脏块的擦除次数及有效页复制次数。发明还涉及一种多NAND闪存组成的存储系统中的访问方法、固态硬盘和计算机。
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公开(公告)号：CN108089993A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711478965.1
申请日：2017-12-29
申请人： 苏州大学
IPC分类号： G06F12/02
摘要： 本发明涉及一种多层式储存格NAND闪存关键数据的存储方法，包括：文件系统请求向第一逻辑地址写入第一内容；Flash转译层为所述第一逻辑地址分配第一物理地址；判断所述第一内容是不是关键数据；若所述第一内容是关键数据，继续判断所述第一物理地址是不是LSB物理页；若所述第一物理地址是LSB物理页，则查询共享映射表找到与所述第一物理地址对应的MSB物理页，并将所述MSB物理页标为无效。上述多层式储存格NAND闪存关键数据的存储方法，有效降低了系统关键数据错误率，且未对存储系统I/O性能造成明显影响，提高了系统可靠性。还涉及一种多层式储存格NAND闪存和一种多层式储存格NAND闪存的垃圾回收方法。
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公开(公告)号：CN105619083A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610098512.5
申请日：2016-02-23
申请人： 苏州大学张家港工业技术研究院
IPC分类号： B23P23/04
摘要： 本发明公开了一种回转体零件再制造增减材一体机，包括箱体、动力装置、激光熔敷头和用于夹持回转体零件的左、右夹持架，左持架固定在箱体中，右持架左右移动定位在箱体中，左、右夹持架的轴心线位于同一直线上，动力装置固定安装在左夹持架背向右夹持架的一侧面上，回转体零件与动力装置传动连接并转动定位在左、右夹持架上，激光熔敷头左右移动安装在箱体中，激光熔敷头位于回转体零件的正上方，激光熔敷头的后侧固设一进料管，还包括一机加工装置，机加工装置左右移动安装在箱体中，机加工装置位于回转体零件的前方。该一体机将再制造加工过程中的增、减材加工集合到同一个设备上，提高了再制造加工效率高，保证了加工精度。
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