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公开(公告)号：CN101984012A
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN200910236734.9
申请日：2009-11-05
申请人： 苏州天科合达蓝光半导体有限公司 , 北京天科合达蓝光半导体有限公司 , 中国科学院物理研究所
IPC分类号： C09J193/04 , C09J193/02 , C09J191/06 , H01L21/00
摘要： 本发明公开了一种有蜡加工晶片用粘结剂及其制备方法。该粘结剂主要由石蜡、松香和虫胶组成，其中石蜡、松香、虫胶按20～50∶40～75∶5～20的质量比配比。该粘结剂可通过改变原料的投放比例来调节熔点，一般可以控制在70℃～130℃范围内，尤其是80℃～120℃。有蜡加工晶片用粘结剂的制备方法包括将搅拌均匀的熔融粘结剂利用模具制成具有一定形状的成品粘结剂。粘结剂利用模具加工成型，应用于晶片加工过程中，可以通过改变模型尺寸及形状，满足在实际生产中的各种应用需要，易于存放。
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公开(公告)号：CN101984012B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200910236734.9
申请日：2009-11-05
申请人： 苏州天科合达蓝光半导体有限公司 , 北京天科合达蓝光半导体有限公司 , 中国科学院物理研究所
IPC分类号： C09J193/04 , C09J193/02 , C09J191/06 , H01L21/00
摘要： 本发明公开了一种有蜡加工晶片用粘结剂及其制备方法。该粘结剂主要由石蜡、松香和虫胶组成，其中石蜡、松香、虫胶按20～50∶40～75∶5～20的质量比配比。该粘结剂可通过改变原料的投放比例来调节熔点，一般可以控制在70℃～130℃范围内，尤其是80℃～120℃。有蜡加工晶片用粘结剂的制备方法包括将搅拌均匀的熔融粘结剂利用模具制成具有一定形状的成品粘结剂。粘结剂利用模具加工成型，应用于晶片加工过程中，可以通过改变模型尺寸及形状，满足在实际生产中的各种应用需要，易于存放。
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公开(公告)号：CN101979450B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN200910236733.4
申请日：2009-11-05
申请人： 北京天科合达蓝光半导体有限公司 , 中国科学院物理研究所
IPC分类号： H01L21/461 , C09G1/02
摘要： 本发明提供了一种用于高质量研磨碳化硅晶片的研磨液、研磨液的制备方法以及使用该研磨液的研磨方法。该研磨液由去离子水、金刚石粉、甘油、防锈剂和添加剂配制而成。利用此方法配制的研磨液味道清新，分散均匀，状态稳定，基本无沉淀，可循环使用，加工晶片去除速率快，加工出的碳化硅晶片较光亮，且无明显划痕，可高效防止上下研磨盘生锈。该研磨液的使用循环次数，可以通过改变加入添加剂的量或者不同添加剂的比例来调节。
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公开(公告)号：CN102107391A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200910243519.1
申请日：2009-12-24
申请人： 北京天科合达蓝光半导体有限公司 , 中国科学院物理研究所
IPC分类号： B24B37/00
摘要： 本发明提供了一种通过机械研磨和化学抛光获得高质量单晶碳化硅表面的方法。该方法通过双面研磨、单面摆臂式粗磨、单面摆臂式精磨、单面摆臂式化学机械抛光，实现单晶碳化硅表面点、线、面缺陷的去除，最大限度消除晶片表面缺陷和损伤层，从而获得高质量的单晶碳化硅晶片表面。
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公开(公告)号：CN102107391B
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN200910243519.1
申请日：2009-12-24
申请人： 北京天科合达蓝光半导体有限公司 , 中国科学院物理研究所
IPC分类号： B24B37/00
摘要： 本发明提供了一种通过机械研磨和化学抛光获得高质量单晶碳化硅表面的方法。该方法通过双面研磨、单面摆臂式粗磨、单面摆臂式精磨、单面摆臂式化学机械抛光，实现单晶碳化硅表面点、线、面缺陷的去除，最大限度消除晶片表面缺陷和损伤层，从而获得高质量的单晶碳化硅晶片表面。
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公开(公告)号：CN101979450A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN200910236733.4
申请日：2009-11-05
申请人： 北京天科合达蓝光半导体有限公司 , 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明提供了一种用于高质量研磨碳化硅晶片的研磨液、研磨液的制备方法以及使用该研磨液的研磨方法。该研磨液由去离子水、金刚石粉、甘油、防锈剂和添加剂配制而成。利用此方法配制的研磨液气味清新，分散均匀，状态稳定，基本无沉淀，可循环使用，加工晶片去除速率快，加工出的碳化硅晶片较光亮，且无明显划痕，可高效防止上下研磨盘生锈。该研磨液的使用循环次数，可以通过改变加入添加剂的量或者不同添加剂的比例来调节。
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公开(公告)号：CN1247832C
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200310113522.4
申请日：2003-11-14
申请人： 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明公开了一种SiC单晶生长压力自动控制装置，该装置包括真空室、进气气源、真空泵、变频器、控制单元，进气气源通过管道与真空室上的进气口相连，真空泵通过管道与真空室上的抽气口相连，采用压力传感器来测量真空室内压力，控制单元按设定程序并根据压力传感器的反馈信号自动控制变频器的工作，变频器直接控制真空泵的工作。通过变频器对真空泵进行控制后，因变频器的频率可在0～50之间连续变化，相应地，真空泵的抽速也可在0～额定抽速之间进行连续变化，线性度高，因而压力控制灵敏度高，波动性小，可进行自动控制。
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公开(公告)号：CN1247831C
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200310113521.X
申请日：2003-11-14
申请人： 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明公开了一种碳化硅晶体生长装置，该装置包括真空室、石墨生长室、感应线圈，石墨生长室外部包覆有具有适当厚度的绝热材料，感应线圈设置在绝热材料外部，石墨生长室连同其外部的绝热材料层及感应线圈一起固定在真空室内，真空室上带有能够开启的密封盖，其上还设置有供与真空泵相连的抽气口。将晶体生长室及其绝热材料层和感应线圈一同设置在由金属制成的真空室中后，消除了真空室壁夹在感应线圈和晶体生长室之间所带来的缺陷，可以方便地通过调整保温材料的厚度，改变石墨生长室的尺寸来达到改变生长晶体尺寸的目的；同时由于感应线圈和石墨生长室之间没有双层石英管，从而无需进行大的设备改造，即可生长大尺寸SiC晶体。
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公开(公告)号：CN1544715A
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：CN200310113523.9
申请日：2003-11-14
申请人： 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明公开了一种物理气相传输生长碳化硅单晶的方法，其步骤为：①保持与现有技术同样的状态参数及控制方式不变；②在晶体生长过程中，在埚盖与坩埚始终处于可靠扣合的状态下，通过改变埚盖和坩埚各自所处温场中的位置，以保持埚盖上晶体生长面与坩埚中料面之间的温度差不变。其中第②步也可为：在晶体生长过程中，在埚盖与坩埚始终处于可靠扣合的状态下，通过改变埚盖与坩埚之间的相互位置，以保持埚盖上晶体生长面与坩埚中料面之间的距离不变。采用本方法，晶体的生长始终处于最佳驱动力状态，因而克服了现有技术存在的不能生长较大晶体的局限性，而且在实施过程中，操作简便。另外，因晶体一直在稳定一致的外界条件下生长，故其质量得到保障。
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公开(公告)号：CN1261622C
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200310113523.9
申请日：2003-11-14
申请人： 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明公开了一种物理气相传输生长碳化硅单晶的方法，其特征在于，在晶体生长过程中，在埚盖与坩埚始终处于可靠扣合的状态下，通过改变埚盖和坩埚各自所处温场中的位置，以保持埚盖上晶体生长面与坩埚中料面之间的温度差不变。也可为：在晶体生长过程中，在埚盖与坩埚始终处于可靠扣合的状态下，通过改变埚盖与坩埚之间的相互位置，以保持埚盖上晶体生长面与坩埚中料面之间的距离不变。采用本方法，晶体的生长始终处于最佳驱动力状态，因而克服了现有技术存在的不能生长较大晶体的局限性，而且在实施过程中，操作简便。另外，因晶体一直在稳定一致的外界条件下生长，故其质量得到保障。
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