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公开(公告)号：CN118359167B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410788404.5
申请日：2024-06-19
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例公开了一种微差压芯片及其制造方法，其中的制造方法包括：提供衬底，在衬底的一侧形成振膜层；在振膜层背离衬底的一侧形成牺牲层；对牺牲层进行刻蚀以形成第一通孔；在牺牲层背离衬底的一侧形成第二介质层和导电层，在第一通孔内填充形成第一支撑结构；对导电层和第二介质层进行刻蚀以形成释放孔以及均压通道；释放牺牲层，以形成间隙层；形成绝缘层，绝缘层密封释放孔；在均压通道内对振膜层进行刻蚀，以形成与均压通道连通的均压孔；在衬底背离振膜层的一侧对衬底进行刻蚀，以形成背腔，背腔通过均压孔与均压通道连通，以得到微压差芯片。本发明避免了污染颗粒能在芯片内直接通过均压通道进入间隙层，提高产品的可靠性。
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公开(公告)号：CN117915251B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410312080.8
申请日：2024-03-19
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本发明公开了一种声电转换结构及其制作方法、麦克风，制作方法包括：提供衬底；在衬底的一侧制作背极板，背极板包括固定电极层和位于固定电极层两侧的第一绝缘层和第二绝缘层，其中，第二绝缘层位于第一绝缘层靠近衬底一侧，固定电极层和第二绝缘层开设有声孔，第一绝缘层在具有声孔的固定电极层上制作成型；对第一绝缘层进行刻蚀，以形成至少一个凸起结构和与所述声孔至少部分交叠的贯穿孔，所述凸起结构容置于所述贯穿孔；在第一绝缘层远离固定电极层的一侧分别制作第三绝缘层和振动电极层；在衬底背离背极板的一侧，对衬底进行刻蚀形成背腔；通过声孔处将部分的第三绝缘层刻蚀掉，得到声电转换结构。本发明的技术方案能够提升MEMS传感器的性能。
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公开(公告)号：CN114513730B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210414581.8
申请日：2022-04-20
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种麦克风组件及电子设备。所述麦克风组件包括基底以及振膜；所述基底的部分区域构成第一电极，所述振膜具有声波敏感区域，所述声波敏感区域构成第二电极；其中，所述第一电极以及所述第二电极两者在垂直于所述基底的厚度方向的平面上的投影相交叠。本申请所公开的技术方案通过基底的部分区域构成第一电极，在基底与振膜之间无须额外设置第一电极以形成电容结构，能够减小麦克风组件的体积，有效解决了现有的MEMS麦克风的尺寸过大，无法满足电子产品轻薄化设计的问题。
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公开(公告)号：CN114520947B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210414830.3
申请日：2022-04-20
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种麦克风组件及电子设备，其中，所述麦克风组件包括基底、振膜、以及背极板，在垂直于所述基底所在平面的方向上，所述振膜位于所述基底与所述背极板之间；所述振膜的声波传导区域上设置有在厚度方向上贯通所述振膜的至少一个声孔，所述基底的部分区域构成第一电极，所述背极板的部分区域构成第二电极，所述振膜的声波传导区域构成第三电极；在垂直于所述基底所在平面的方向上，所述第一电极、所述第三电极以及所述第二电极三者的投影交叠。本发明所提供的麦克风组件实现了单振膜的差分电容方案，并且提升了麦克风组件的性能。
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公开(公告)号：CN114520947A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202210414830.3
申请日：2022-04-20
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种麦克风组件及电子设备，其中，所述麦克风组件包括基底、振膜、以及背极板，在垂直于所述基底所在平面的方向上，所述振膜位于所述基底与所述背极板之间；所述振膜的声波传导区域上设置有在厚度方向上贯通所述振膜的至少一个声孔，所述基底的部分区域构成第一电极，所述背极板的部分区域构成第二电极，所述振膜的声波传导区域构成第三电极；在垂直于所述基底所在平面的方向上，所述第一电极、所述第三电极以及所述第二电极三者的投影交叠。本发明所提供的麦克风组件实现了单振膜的差分电容方案，并且提升了麦克风组件的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118754051B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411246496.0
申请日：2024-09-06
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Inventor： 刘青
Abstract: 本发明涉及微电子机械系统技术领域，公开了一种防水透气结构、制造方法及封装结构，其中制造方法包括：提供衬底；在衬底的一侧形成多个柱状凸部，相邻的柱状凸部之间具有沟槽，相邻的沟槽之间互相连通；制作填充于沟槽中的金属结构，相连通的沟槽中的金属结构相连接；制作贯通衬底的中部的空腔，以使得在衬底厚度方向上，位于空腔投影范围内的柱状凸部被刻蚀，位于空腔投影范围内的金属结构露出，构成了网状结构；制作疏水膜层。通过设置嵌入衬底中的金属的网状结构，使得防水透气结构具有较高的机械强度、耐久性、耐腐蚀性和一致性，能够在较大的压力和机械应力下维持网状结构不变形、不破损，从而确保了防水性能的持续性。
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公开(公告)号：CN118754051A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411246496.0
申请日：2024-09-06
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Inventor： 刘青
Abstract: 本发明涉及微电子机械系统技术领域，公开了一种防水透气结构、制造方法及封装结构，其中制造方法包括：提供衬底；在衬底的一侧形成多个柱状凸部，相邻的柱状凸部之间具有沟槽，相邻的沟槽之间互相连通；制作填充于沟槽中的金属结构，相连通的沟槽中的金属结构相连接；制作贯通衬底的中部的空腔，以使得在衬底厚度方向上，位于空腔投影范围内的柱状凸部被刻蚀，位于空腔投影范围内的金属结构露出，构成了网状结构；制作疏水膜层。通过设置嵌入衬底中的金属的网状结构，使得防水透气结构具有较高的机械强度、耐久性、耐腐蚀性和一致性，能够在较大的压力和机械应力下维持网状结构不变形、不破损，从而确保了防水性能的持续性。
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公开(公告)号：CN117354705A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311642780.5
申请日：2023-12-04
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种声电转换结构及其制作方法、以及麦克风、电子设备，其中，声电转换结构的制作方法包括：提供衬底，并在衬底的一侧制作第一绝缘层；在第一绝缘层上方制作阻尼结构层；在阻尼结构层背离衬底的一侧制作第二绝缘层；在第二绝缘层上方制作背极板层，并在背极板层刻蚀出在厚度方向上贯穿背极板层的声孔；在背极板层背离阻尼结构层的一侧制作第三绝缘层；在第三绝缘层上制作振膜层；对衬底进行刻蚀，以刻蚀出贯穿衬底的背腔；通过背腔处将部分第一绝缘层、部分第二绝缘层、部分第三绝缘层刻蚀掉，以得到声电转换结构。本发明所提供的技术方案既实现了声电转换结构的单指向性能，同时又保障了声电转换结构对声音拾取的一致性。
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公开(公告)号：CN115002631A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210414570.X
申请日：2022-04-20
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种麦克风组件及电子设备。所述麦克风组件包括振膜、基底以及背极板，所述振膜具有声波传导区域，所述声波传导区域上设置有在厚度方向上贯通所述振膜的至少一个声孔；所述基底的中部具有第一镂空区域，所述背极板的中部具有第二镂空区域，所述基底的部分区域构成第一电极且第一电极环绕第一镂空区域，所述背极板的部分区域构成第二电极且第二电极环绕第二镂空区域。在垂直于基底的厚度方向的平面上，第一镂空区域与第二镂空区域的投影交叠，声波传导区域的投影与第一电极和第二电极的投影交叠。本申请所公开的技术方案有效解决了现有技术中需要通过增加振膜面积来提高产品性能，不满足产品小型化设计的问题。
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公开(公告)号：CN114513731A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210414860.4
申请日：2022-04-20
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种麦克风组件及电子设备，其中，所述麦克风组件包括基底、振膜、以及背极板，在垂直于所述基底所在平面的方向上，所述振膜位于所述基底与所述背极板之间；所述振膜的声波传导区域上设置有在厚度方向上贯通所述振膜的至少一个声孔，所述基底的部分区域构成第一电极，所述第一电极具有至少一个第一镂空区域；所述背极板的部分区域构成第二电极，所述第二电极具有至少一个第二镂空区域；所述振膜的声波传导区域构成第三电极；在垂直于所述基底所在平面的方向上，所述第一电极、所述第三电极以及所述第二电极三者的投影交叠。本发明所提供的技术方案实现了单振膜的差分电容方案，并且提升了麦克风组件的性能。
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