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公开(公告)号:CN114563053B
公开(公告)日:2025-05-13
申请号:CN202210171546.8
申请日:2022-02-24
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Inventor: 肖素艳
Abstract: 本申请公开了一种流体传输管路及流量测量方法。本申请有效解决了热式流量传感器很难同时对流动的流体实现流体流量测量和流体属性监测的问题。通过第一测量组件与流体介质的流动方向平行来监测流体介质的特性变化,第二测量组件与流体介质的流动方向垂直来测量流体介质的流量,在流体介质的特性发生变化时,利用第一测量组件得到的特性值对所述第二测量组件得到的流量进行校正,从而得到流体介质的当前质量流量。通过在主通道内安装挡板,便于流体的充分置换,减小了流体介质的流动对第一测量组件带来的干扰。通过置换区段的横截面积大于旁路流道的横截面积,保证流体介质先充分置换再缓慢通过旁路流道,充分过滤紊流,从而提高流量的测量精度。
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公开(公告)号:CN110482477B
公开(公告)日:2025-04-01
申请号:CN201910851812.X
申请日:2019-09-10
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 一种硅麦克风封装结构及其封装方法,所述硅麦克风封装结构包括:电路板,具有相对的第一表面和第二表面;第一金属壳体,设置于所述电路板的第一表面上,与所述电路板之间形成第一腔体,所述第一金属壳体具有第一声孔;第二金属壳体,设置于所述电路板的第一表面上,且套设于所述第一金属壳体外部,与所述第一金属壳体、电路板之间形成第二腔体,所述第二金属壳体具有侧壁朝向内侧凹陷的第二声孔,所述第二声孔的侧壁与所述第一金属壳体密封连接,所述第一声孔与所述第二声孔连通;麦克风芯片,设置于所述第一腔体内。上述硅麦克风封装结构的电磁屏蔽能力提高。
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公开(公告)号:CN112887882B
公开(公告)日:2025-03-14
申请号:CN202110312201.5
申请日:2021-03-24
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 公开了一种振动传感器封装结构,包括:基板;封装壳体,固定于所述基板第一表面,与所述基板之间形成第一腔体;MEMS芯片,固定于所述基板第一表面,并位于所述第一腔体内,所述MEMS具有第二腔体;其中,所述基板上设置有贯穿所述基板的第一气孔和第二气孔;所述MEMS芯片的一侧经由第一腔体、第二气孔与外界连通,所述MEMS芯片的另一侧经由第二腔体、第一气孔与外界连通。本申请的振动传感器封装结构,通过在基板中形成贯穿基板的第一气孔与第二气孔,使得MEMS芯片的振膜的上下两侧都可以接受空气中的声音信号,从而降低了空气中的声音信号给振动传感器带来的噪声干扰,提高了器件的良率和可靠性。
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公开(公告)号:CN110475192B
公开(公告)日:2025-02-28
申请号:CN201910818390.6
申请日:2019-08-30
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种抗静电基板及采用该抗静电基板的硅麦克风,所述抗静电基板包括绝缘基体及贯穿所述绝缘基体的声孔,所述基板还包括:导电连接层,所述导电连接层设置在所述声孔侧壁;至少两层导电层,横向设置在所述绝缘基体中,并通过所述导电连接层电连接,在所述绝缘基体上表面,最上层导电层位于所述声孔周围的区域被暴露,形成静电传导环,在所述绝缘基体下表面,最下层导电层的部分区域被暴露,形成电接触区,所述电接触区能够通过导电装置接地;声孔周围产生的静电能够经所述静电传导环、所述导电连接层及所述电接触区传导至接地处。本发明的优点是,能够快速消除基板上方的静电,避免其影响器件性能。
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公开(公告)号:CN118817125A
公开(公告)日:2024-10-22
申请号:CN202411295549.8
申请日:2024-09-18
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种力传感器的封装结构及其制造方法,涉及力传感器技术领域,用于解决现有力传感器的力传递灵敏度低的问题。本申请提供的力传感器的封装结构包括衬底,其第一表面设有间隔排布的第一凹槽和第二凹槽,第二凹槽的槽底设有凸台;器件结构支撑于第一表面并包括可动质量块和用于固定可动质量块的锚点,可动质量块的一部分悬空于第一凹槽的开口端,另一部分固定支撑于第一表面,可动质量块构成第一极板,锚点固设于凸台上;ASIC芯片与所述器件结构背对所述衬底的一侧相键合,且其朝向器件结构的一侧表面设有第二极板,第二极板与第一极板相对且间隔设置以构成可变电容;其中,第一凹槽的槽底和/或第二凹槽的槽底设有第三凹槽。
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公开(公告)号:CN118500483A
公开(公告)日:2024-08-16
申请号:CN202410953978.3
申请日:2024-07-17
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种传感器集成结构、芯片和制作方法,制作方法包括:提供衬底和电连接结构晶圆;在衬底刻蚀两个空腔;在衬底刻蚀空腔一侧制作绝缘层;在绝缘层一侧键合硅晶圆层;对硅晶圆层光刻出第一空腔和第二空腔;在硅晶圆层制作电连接层;对惯性敏感区域进行刻蚀形成惯性敏感结构,未被刻蚀的压力敏感区域形成压力敏感结构;对硅晶圆层的非惯性敏感结构区域或非压力敏感结构区域进行部分刻蚀,露出绝缘层;将电连接结构晶圆与电连接层进行粘接;对衬底和绝缘层进行刻蚀,露出压力敏感结构;将露出绝缘层部位的绝缘层和衬底刻蚀掉,得到传感器集成结构。本发明提供的技术方案能够解决现有技术中封装集成的传感器体积较大且成本较高的问题。
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公开(公告)号:CN110526199B
公开(公告)日:2024-08-06
申请号:CN201910851641.0
申请日:2019-09-10
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 一种硅麦克风封装结构及其封装方法,所述硅麦克风封装结构包括:电路板,具有相对的第一表面和第二表面;第一金属壳体,设置于所述电路板的第一表面上,与所述电路板之间形成第一腔体;第二金属壳体,设置于所述电路板的第一表面上,且套设于所述第一金属壳体外部,与所述第一金属壳体、电路板之间形成第二腔体;麦克风芯片,设置于所述第一腔体内;通道,位于所述电路板内,所述通道一端连通至所述麦克风芯片的背腔;声孔,开设于所述电路板内,连通至所述第一腔体。上述硅麦克风封装结构的电磁屏蔽能力提高。
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公开(公告)号:CN118425559A
公开(公告)日:2024-08-02
申请号:CN202410888184.3
申请日:2024-07-04
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: G01P15/125 , G01P1/00
Abstract: 本申请的实施例公开了一种加速度传感器结构及其制造方法、加速度传感器,其中加速度传感器结构包括:衬底层;结构层,其设置在衬底层的一侧,结构层包括支撑框架部和活动质量块,所示支撑框架部与活动质量块相分离;支撑结构,其支撑连接支撑框架部和衬底层,支撑框架部包括依次层叠的支撑牺牲部、支撑保护部和支撑绝缘部;在衬底层的厚度方向上,支撑绝缘部以及支撑保护部的正投影均与活动质量块的正投影相交叠。根据本申请,其在支撑结构中增加了支撑保护部,以扩大导电层对支撑绝缘部的保护面积,减少了绝缘层在释放工艺中被释放的面积,进而避免了用以支撑连接电极的绝缘层被过渡刻蚀而影响电极的固定效果,提高产品的稳定性。
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公开(公告)号:CN118359167A
公开(公告)日:2024-07-19
申请号:CN202410788404.5
申请日:2024-06-19
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例公开了一种微差压芯片及其制造方法,其中的制造方法包括:提供衬底,在衬底的一侧形成振膜层;在振膜层背离衬底的一侧形成牺牲层;对牺牲层进行刻蚀以形成第一通孔;在牺牲层背离衬底的一侧形成第二介质层和导电层,在第一通孔内填充形成第一支撑结构;对导电层和第二介质层进行刻蚀以形成释放孔以及均压通道;释放牺牲层,以形成间隙层;形成绝缘层,绝缘层密封释放孔;在均压通道内对振膜层进行刻蚀,以形成与均压通道连通的均压孔;在衬底背离振膜层的一侧对衬底进行刻蚀,以形成背腔,背腔通过均压孔与均压通道连通,以得到微压差芯片。本发明避免了污染颗粒能在芯片内直接通过均压通道进入间隙层,提高产品的可靠性。
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公开(公告)号:CN116982758B
公开(公告)日:2024-05-17
申请号:CN202311252105.1
申请日:2023-09-26
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Inventor: 孟燕子
IPC: A24F40/51 , B81B7/00 , B81B7/02 , A24F40/50 , A24F40/40 , G01L9/12 , G01L9/00 , G01L19/00 , G01L19/06
Abstract: 本发明提供了一种气流传感器及气流传感器封装结构,其中,气流传感器包括层叠设置的基底、振动电极以及固定电极,所述基底具有在其厚度方向上贯通的背腔,旨在通过在气流传感器上设置有至少一个均压结构,并且均压结构与间隙层物理相隔离,以在气流传感器的背腔与气流传感器之外的空间建立连续的流动路径,不仅能够实现在非工作状态下,振动电极的朝向背腔的一侧表面与振动电极的远离背腔的一侧表面的压力均衡,以防止与气流传感器相连接的ASIC检测到信号,从而引起其它部件的误触发,还能够防止从均压孔进入的污染物扩散至振动电极与固定电极之间的间隙层中,降低了产品的失效率。
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