一种基于MEMS工艺的六维力传感器
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119063897A

    公开(公告)日:2024-12-03

    申请号:CN202411565093.2

    申请日:2024-11-05

    Inventor: 宫凯勋 李刚 吕萍

    Abstract: 本申请公开了一种基于MEMS工艺的六维力传感器,包括力传感器芯片,所述力传感器芯片包括位于所述力传感器芯片中心位置的质量块,以及连接所述质量块与芯片外框的弹性梁;所述弹性梁上设置有力敏电阻;底部结构,设置在垂直于所述力传感器芯片表面的方向,用于容纳所述力传感器芯片;顶部结构,位于所述力传感器芯片一侧,通过中间结构连接所述力传感器芯片。

    六轴力传感器及其制造方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118882901A

    公开(公告)日:2024-11-01

    申请号:CN202411375360.X

    申请日:2024-09-30

    Inventor: 宫凯勋 吕萍 李刚

    Abstract: 本申请的实施例公开了一种六轴力传感器及其制造方法,其中六轴力传感器包括:受力块;支撑框架,支撑框架围绕受力块,且受力块与支撑框架之间具有间隙;多组弹性件,多组弹性件设于间隙内,并分别与受力块和支撑框架连接,多组弹性件将间隙分隔成多个第一形变腔;若干力敏电阻,若干力敏电阻设置在弹性件中,以构成六组惠斯通电桥,分别用于测量第一力、第二力、第三力、第一力矩、第二力矩以及第三力矩;每组弹性件包括一对间隔设置的弹性梁;任意一对弹性梁与受力块和支撑框架围合成第二形变腔。根据本申请,其双弹性梁结构为力敏电阻提供了可布置的空间,实现了测量力、力矩与非测量力、力矩间的自解耦,提高了本申请的六轴力传感器的精准性。

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