一种单边磁体结构
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112162225B

    公开(公告)日:2024-01-05

    申请号:CN202011211794.8

    申请日:2020-11-03

    IPC分类号: G01R33/38 G01R33/383 H01F7/02

    摘要: 本发明涉及永磁机构技术领域,公开了一种单边磁体结构,即通过左右主磁块及左右调节磁块的尺寸和位置优化调整,可在距离线圈表面较深的区域形成一个场强适中的低梯度场,以及可配合单边核磁共振设备中射频线圈的尺寸及位置,得到合适的场强等势线分布,扩大在射频线圈表面的检测等势线面积,避免引入非检测区域信号的干扰误差,提升信噪比,进而可利于完成对较深入的样本区域进行核磁共振探测,使得新设计的单边磁体结构具有磁体探测深度深、磁体体积小、结构简单、方便制作及工装和造价低等优点,便于应用在小型化、便携式和低成本的核磁共振设备中,具有广泛的应用前景。

    一种单边磁体结构
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112162225A

    公开(公告)日:2021-01-01

    申请号:CN202011211794.8

    申请日:2020-11-03

    IPC分类号: G01R33/38 G01R33/383 H01F7/02

    摘要: 本发明涉及永磁机构技术领域,公开了一种单边磁体结构,即通过左右主磁块及左右调节磁块的尺寸和位置优化调整,可在距离线圈表面较深的区域形成一个场强适中的低梯度场,以及可配合单边核磁共振设备中射频线圈的尺寸及位置,得到合适的场强等势线分布,扩大在射频线圈表面的检测等势线面积,避免引入非检测区域信号的干扰误差,提升信噪比,进而可利于完成对较深入的样本区域进行核磁共振探测,使得新设计的单边磁体结构具有磁体探测深度深、磁体体积小、结构简单、方便制作及工装和造价低等优点,便于应用在小型化、便携式和低成本的核磁共振设备中,具有广泛的应用前景。