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公开(公告)号：CN104600568B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201510073663.0
申请日：2015-02-12
申请人： 苏州晶讯科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种陶瓷静电抑制器及其制备方法，采取半导体材料和厚膜印刷工艺相结合，在电极切槽部位印刷具有骨架结构的功能材料层，当外部电极之间施加规定以上的大小的电压而在切割缝隙部位的电极之间产生放电，主要是沿骨架结构的功能材料层内部放电，由于切槽部位电极存在尖端和功能浆料为疏松的骨架结构形成的缝隙，容易引起电子的移动，能更有效地产生放电现象，提高ESD响应性，容易调整和稳定ESD特性。电极印刷在烧成后的陶瓷基板表面，切割后烧结不会引起电极形变。陶瓷基板覆盖保护层，可以更好的保护功能材料层的骨架结构以及隔绝湿气对功能材料层的影响。
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公开(公告)号：CN103972002B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201410216621.3
申请日：2012-05-10
申请人： 苏州晶讯科技股份有限公司
IPC分类号： H01H85/041 , H01H85/05 , H01H85/38
摘要： 本发明公开一种防拉弧贴装型熔断器，包括熔断芯片，此熔断芯片主要由两个端电极、陶瓷基片、第一熔体层和第一灭弧玻璃层组成；端电极由表电极、背电极和侧电极组成，第二灭弧玻璃层覆盖于第二熔体层和背电极中靠第二熔体层的区域；一中间具有圆形通孔的熔断本体，熔断芯片位于此熔断本体的圆形通孔内，两个金属盖分别位于熔断本体两端并覆盖其圆形通孔从而形成密闭腔，端电极通过焊片与金属盖电连接；陶瓷基片和第一、第二熔体层之间均设置有玻璃釉层；熔断本体材料为氧化锆掺杂氧化铝陶瓷，其中氧化锆含量5%~20%。本发明熔断器有减少拉弧并且降低熔断后重新短路的风险，增大了熔断后的绝缘电阻，大大的提高熔断器的整体强度和分断能力以及耐冷热冲击能力。
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公开(公告)号：CN103956307B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201410215885.7
申请日：2012-05-10
申请人： 苏州晶讯科技股份有限公司
IPC分类号： H01H85/041 , H01H85/12 , H01H85/143 , H01H85/06 , H01H85/38
摘要： 本发明公开一种高可靠性熔断器，包括熔断芯片，此熔断芯片主要由两个端电极、陶瓷基片、第一熔体层和第一灭弧玻璃层组成，第一灭弧玻璃层覆盖于所述第一熔体层和端电极中靠熔体层的区域；端电极由表电极、背电极和侧电极组成，位于所述陶瓷基片上表面的所述表电极位于所述第一熔体层一侧；一中间具有圆形通孔的熔断本体，其端头制备有金属层，熔断芯片位于此熔断本体的圆形通孔内；熔断本体材料为氧化锆掺杂氧化铝陶瓷，其中氧化锆含量5%~20%；所述陶瓷基片材料为镁橄榄石陶瓷基板。本发明熔断器减少拉弧并且降低熔断后重新短路的风险，且具有耐高温、高强度，能很好地将熔丝与灭弧玻璃包裹在内。
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公开(公告)号：CN103972002A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410216621.3
申请日：2012-05-10
申请人： 苏州晶讯科技股份有限公司
IPC分类号： H01H85/041 , H01H85/05 , H01H85/38
摘要： 本发明公开一种防拉弧贴装型熔断器，包括熔断芯片，此熔断芯片主要由两个端电极、陶瓷基片、第一熔体层和第一灭弧玻璃层组成；端电极由表电极、背电极和侧电极组成，第二灭弧玻璃层覆盖于第二熔体层和背电极中靠第二熔体层的区域；一中间具有圆形通孔的熔断本体，熔断芯片位于此熔断本体的圆形通孔内，两个金属盖分别位于熔断本体两端并覆盖其圆形通孔从而形成密闭腔，端电极通过焊片与金属盖电连接；陶瓷基片和第一、第二熔体层之间均设置有玻璃釉层；熔断本体材料为氧化锆掺杂氧化铝陶瓷，其中氧化锆含量5%～20%。本发明熔断器有减少拉弧并且降低熔断后重新短路的风险，增大了熔断后的绝缘电阻，大大的提高熔断器的整体强度和分断能力以及耐冷热冲击能力。
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公开(公告)号：CN103956306A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410215883.8
申请日：2012-05-10
申请人： 苏州晶讯科技股份有限公司
IPC分类号： H01H85/041 , H01H85/05 , H01H85/38
摘要： 本发明公开一种微型表面贴装式熔断器，包括熔断芯片，此熔断芯片主要由两个端电极、陶瓷基片、第一熔体层和第一灭弧玻璃层组成，第二灭弧玻璃层覆盖于第二熔体层和背电极中靠第二熔体层的区域；一中间具有圆形通孔的熔断本体，其端头制备有金属层，熔断芯片位于此熔断本体的圆形通孔内，两个金属盖分别位于熔断本体两端并覆盖其圆形通孔从而形成密闭腔，端电极通过焊片与金属盖电连接；金属盖与熔断本体侧面之间设置有金属层；陶瓷基片和第一、第二熔体层之间均设置有玻璃釉层。本发明微型表面贴装式熔断器减少拉弧并且降低熔断后重新短路的风险，增大了熔断后的绝缘电阻，也有利于熔体层的金属蒸汽能被灭弧玻璃层均匀的吸收。
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公开(公告)号：CN102646558B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201210142757.5
申请日：2012-05-10
申请人： 苏州晶讯科技股份有限公司
IPC分类号： H01H85/042 , H01H85/05 , H01H85/12 , H01H69/02
摘要： 本发明公开一种耐高压的表面贴装熔断器，包括熔断芯片，此熔断芯片主要由两个端电极、陶瓷基片、第一熔体层和第一灭弧玻璃层组成；所述端电极由表电极、背电极和侧电极组成，一第二熔体层位于陶瓷基片下表面，两个所述背电极分别位于所述第二熔体层两侧并与所述第二熔体层电连接；所述第二灭弧玻璃层覆盖于所述第二熔体层和背电极中靠第二熔体层的区域；一中间具有圆形通孔的熔断本体，所述熔断芯片位于此熔断本体的圆形通孔内，两个金属盖分别位于所述熔断本体两端并覆盖其圆形通孔从而形成密闭腔，所述端电极通过焊片与所述金属盖电连接。本发明表面贴装熔断器有利于熔体层的金属蒸汽能被灭弧玻璃层均匀的吸收，减少拉弧并且降低熔断后重新短路的风险，还能增大熔断后的绝缘电阻。
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公开(公告)号：CN102646558A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210142757.5
申请日：2012-05-10
申请人： 苏州晶讯科技股份有限公司
IPC分类号： H01H85/042 , H01H85/05 , H01H85/12 , H01H69/02
摘要： 本发明公开一种耐高压的表面贴装熔断器，包括熔断芯片，此熔断芯片主要由两个端电极、陶瓷基片、第一熔体层和第一灭弧玻璃层组成；所述端电极由表电极、背电极和侧电极组成，一第二熔体层位于陶瓷基片下表面，两个所述背电极分别位于所述第二熔体层两侧并与所述第二熔体层电连接；所述第二灭弧玻璃层覆盖于所述第二熔体层和背电极中靠第二熔体层的区域；一中间具有圆形通孔的熔断本体，所述熔断芯片位于此熔断本体的圆形通孔内，两个金属盖分别位于所述熔断本体两端并覆盖其圆形通孔从而形成密闭腔，所述端电极通过焊片与所述金属盖电连接。本发明表面贴装熔断器有利于熔体层的金属蒸汽能被灭弧玻璃层均匀的吸收，减少拉弧并且降低熔断后重新短路的风险，还能增大熔断后的绝缘电阻。
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公开(公告)号：CN103956307A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410215885.7
申请日：2012-05-10
申请人： 苏州晶讯科技股份有限公司
IPC分类号： H01H85/041 , H01H85/12 , H01H85/143 , H01H85/06 , H01H85/38
摘要： 本发明公开一种高可靠性熔断器，包括熔断芯片，此熔断芯片主要由两个端电极、陶瓷基片、第一熔体层和第一灭弧玻璃层组成，第一灭弧玻璃层覆盖于所述第一熔体层和端电极中靠熔体层的区域；端电极由表电极、背电极和侧电极组成，位于所述陶瓷基片上表面的所述表电极位于所述第一熔体层一侧；一中间具有圆形通孔的熔断本体，其端头制备有金属层，熔断芯片位于此熔断本体的圆形通孔内；熔断本体材料为氧化锆掺杂氧化铝陶瓷，其中氧化锆含量5%~20%；所述陶瓷基片材料为镁橄榄石陶瓷基板。本发明熔断器减少拉弧并且降低熔断后重新短路的风险，且具有耐高温、高强度，能很好地将熔丝与灭弧玻璃包裹在内。
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公开(公告)号：CN102664127A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210142756.0
申请日：2012-05-10
申请人： 苏州晶讯科技股份有限公司
IPC分类号： H01H85/041 , H01H85/05
CPC分类号： H01H85/0411 , H01H2001/5888
摘要： 本发明公开一种表面贴装熔断器，包括熔断芯片，此熔断芯片主要由端电极、陶瓷基片、熔体层和灭弧玻璃层组成，所述熔体层位于陶瓷基片上表面，两个所述端电极分别位于熔体层两侧并与所述熔体层电连接，所述灭弧玻璃层覆盖于所述熔体层和端电极中靠熔体层的区域，还包括一中间具有圆形通孔的熔断本体，所述熔断芯片位于此熔断本体的圆形通孔内，两个金属盖分别位于所述熔断本体两端并覆盖其圆形通孔从而形成密闭腔，所述端电极通过焊片与所述金属盖电连接。本发明表面贴装熔断器具有耐高温、高强度，能很好地将熔丝与灭弧玻璃包裹在内，大大的提高熔断器的整体强度和分断能力以及耐冷热冲击能力，且便于大批量生产。
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