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公开(公告)号：CN113613481B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202110899191.X
申请日：2021-08-06
Applicant: 苏州晶讯科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种低触发、低容值片式静电抑制器的制备方法，包括以下操作步骤：采取纳米材料制备技术、半导体材料、高分子材料和PCB板技术相结合，在电极切槽部位印刷具有疏松骨架结构以及半导体特性的功能材料层，切槽部位电极存在尖端和功能浆料为疏松的骨架结构形成的缝隙，实现低电压特性，通过激光精度切割制备的电极缝隙。本发明所述的一种低触发、低容值片式静电抑制器的制备方法，通过激光精度切割制备的电极缝隙，相对于厚膜印刷工艺制备的电极，缝隙宽度一致性好，采用双缝隙电极设计，实现低容值，解决了超小容值的问题，采用3层压合板设计，实现了内部结构较高的致密度，具有较高的防渗透和耐湿气的性能。
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公开(公告)号：CN115611628A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211288841.8
申请日：2022-10-20
Applicant: 苏州晶讯科技股份有限公司
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/638
Abstract: 本发明公开了一种低温烧结陶瓷材料及其制备方法和应用；该陶瓷材料的化学组成为NaBi(WO4)2；该陶瓷材料是以Na2CO3、Bi2O3、WO3为原料，经球磨、预烧、造粒、压制成型、烧结制备而成。该低温烧结陶瓷材料可在625℃～800℃条件完成致密化，能够与铝、金内电极匹配共烧，并且具有较高品质因数、适宜的介电常数和接近零的谐振频率温度系数，可以较好的应用于LTCC器件或ULTCC器件。
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公开(公告)号：CN115064326A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210812611.0
申请日：2022-07-12
Applicant: 苏州晶讯科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种电极间隙可控的静电抑制器及其制作方法，该静电抑制器包括从上至下依次设置的上电极引出层、功能层和下电极引出层；功能层包括中间树脂层、上功能电极层和下功能电极层；上电极引出层包括上树脂层和上引出端电极，下电极引出层包括下树脂层和下引出端电极；上引出端电极、上功能电极层、下引出端电极和下功能电极层之间通过填充于上树脂层、中间树脂层和下树脂层上设置的通孔中的金属铜连接；所述功能层中还填充有上下贯穿的可变阻浆料。该静电抑制器利用微米级别的电极间隙和可变阻浆料实现变阻作用，从而降低了电容，改善击穿电压，实现有效的静电保护作用。
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公开(公告)号：CN110890361A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201911341070.2
申请日：2019-12-23
Applicant: 苏州晶讯科技股份有限公司 , 北京时代华诺科技有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L21/8222
Abstract: 本发明提供了一种多端口低容电压浪涌保护芯片及其制作方法，其具有多端口的保护功能，整体泄流能力和稳定性好，保护响应速度快、应用范围广：其包括至少两个并排且相互反向设置的保护单元，包括：衬底，具有第一导电类型；基区，具有第二导电类型；第一高掺杂扩散区，具有第二导电类型；发射区，具有第一导电类型，发射区与基区之间形成短路结构；环形区，具有第一导电类型，环绕基区设置；高掺杂二次扩散区，具有第二导电类型，位于基区内且位于发射区的一侧；条形区，具有第一导电类型，位于环形区与发射区之间，且与环形区相接；第二高掺杂扩散区，具有第一导电类型，第一高掺杂扩散区与第二高掺杂扩散区互补；电极，设置于衬底上表面上。
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公开(公告)号：CN110493952A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910775373.9
申请日：2019-08-21
Applicant: 苏州晶讯科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种线路板用微孔填充浆料，包括以下重量份数的原料：有机载体5-20份、粒径为1-2μm的球形金属粉15-30份、粒径为2-10μm的球形金属粉30-60份、粒径为10-20μm的球形金属粉10-20份和分散剂1-5份。本发明还公开了该线路板用微孔填充浆料的制备方法及应用。本发明的浆料具有高导电性、高耐热冲击性的优点，适合微孔填充，综合性能优良。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110132434A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910511011.9
申请日：2019-06-13
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 北京中企智科网络科技有限公司 , 苏州晶讯科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于无源温度芯片传感器的温度监测及分析系统，用以对干式空心电抗器进行温度监测及分析，基于无源温度芯片传感器的温度监测及分析系统包括：监控终端、多个无源温度芯片传感器以及供能模块。多个无源温度芯片传感器分别内置于干式空心电抗器内，且多个无源温度芯片传感器用以对干式空心电抗器进行实时温度监测；供能模块与监控终端通信连接，且供能模块与多个无源温度芯片传感器无线通信连接；其中，监控终端通过供能模块接收多个无源温度芯片传感器所实时监测的温度数据，并能够根据温度数据进行分析。借此，本发明的基于无源温度芯片传感器的温度监测及分析系统，可以无线实时的对电力设备进行温度监测及分析，且可靠性高。
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公开(公告)号：CN107629466A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201710851561.6
申请日：2017-09-20
Applicant: 苏州晶讯科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于片式高分子静电抑制器的功能浆料，包括按重量百分比计的如下组分：有机载体30-40份、导电材料20-30份、半导体材料10-20份、硫酸钡5-10份、玻璃微珠1-5份、分散剂1-5份。该材料能防止金属相互接触引发的材料漏电，防止导电材料在生产过程中氧化，导致器件的工作电压增高，同时还可以调节表面包裹层的厚度，从而调节静电触发电压，提高产品的稳定性。
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公开(公告)号：CN103956306B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410215883.8
申请日：2012-05-10
Applicant: 苏州晶讯科技股份有限公司
IPC: H01H85/041 , H01H85/05 , H01H85/38
Abstract: 本发明公开一种微型表面贴装式熔断器，包括熔断芯片，此熔断芯片主要由两个端电极、陶瓷基片、第一熔体层和第一灭弧玻璃层组成，第二灭弧玻璃层覆盖于第二熔体层和背电极中靠第二熔体层的区域；一中间具有圆形通孔的熔断本体，其端头制备有金属层，熔断芯片位于此熔断本体的圆形通孔内，两个金属盖分别位于熔断本体两端并覆盖其圆形通孔从而形成密闭腔，端电极通过焊片与金属盖电连接；金属盖与熔断本体侧面之间设置有金属层；陶瓷基片和第一、第二熔体层之间均设置有玻璃釉层。本发明微型表面贴装式熔断器减少拉弧并且降低熔断后重新短路的风险，增大了熔断后的绝缘电阻，也有利于熔体层的金属蒸汽能被灭弧玻璃层均匀的吸收。
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公开(公告)号：CN104600568A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510073663.0
申请日：2015-02-12
Applicant: 苏州晶讯科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷静电抑制器及其制备方法，采取半导体材料和厚膜印刷工艺相结合，在电极切槽部位印刷具有骨架结构的功能材料层，当外部电极之间施加规定以上的大小的电压而在切割缝隙部位的电极之间产生放电，主要是沿骨架结构的功能材料层内部放电，由于切槽部位电极存在尖端和功能浆料为疏松的骨架结构形成的缝隙，容易引起电子的移动，能更有效地产生放电现象，提高ESD响应性，容易调整和稳定ESD特性。电极印刷在烧成后的陶瓷基板表面，切割后烧结不会引起电极形变。陶瓷基板覆盖保护层，可以更好的保护功能材料层的骨架结构以及隔绝湿气对功能材料层的影响。
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公开(公告)号：CN114446718A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210057896.1
申请日：2022-01-19
Applicant: 苏州晶讯科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种小电流高分子贴片保险丝及其制备方法，方法包括以下步骤：制备基板、蚀刻熔丝、印刷助熔层、印刷阻燃保护层、切割基板、印刷标识、金属化端头；贴片保险丝具备以下结构：单元格、熔丝、助熔层、阻燃保护层、侧面电极、端电极。本发明采用PCB材质的基板替代原有的陶瓷基板，具有很好的保温效果，通过覆铜板工艺实现熔丝，精度控制高，可以准确地实现熔断时间的控制；同时，针对现有技术中存在的机身问题，采用PCB材质作为基板，通过覆铜工艺、表面蚀刻工艺、厚膜印刷工艺、以及端涂工艺制备的高分子贴片保险丝，具有阻值差异小、熔断时间可控度高、外观和焊性不良率低等优点。
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