公开(公告)号：CN113613481A

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN202110899191.X

申请日：2021-08-06

申请人： 苏州晶讯科技股份有限公司

发明人： 董福兴 ,  戴剑 ,  仇利民 ,  崔海周 ,  郭志军

IPC分类号： H05K9/00 ,  H01L23/60

摘要： 本发明公开了一种低触发、低容值片式静电抑制器的制备方法，包括以下操作步骤：采取纳米材料制备技术、半导体材料、高分子材料和PCB板技术相结合，在电极切槽部位印刷具有疏松骨架结构以及半导体特性的功能材料层，切槽部位电极存在尖端和功能浆料为疏松的骨架结构形成的缝隙，实现低电压特性，通过激光精度切割制备的电极缝隙。本发明所述的一种低触发、低容值片式静电抑制器的制备方法，通过激光精度切割制备的电极缝隙，相对于厚膜印刷工艺制备的电极，缝隙宽度一致性好，采用双缝隙电极设计，实现低容值，解决了超小容值的问题，采用3层压合板设计，实现了内部结构较高的致密度，具有较高的防渗透和耐湿气的性能。

公开(公告)号：CN113613481B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202110899191.X

申请日：2021-08-06

申请人： 苏州晶讯科技股份有限公司

发明人： 董福兴 ,  戴剑 ,  仇利民 ,  崔海周 ,  郭志军

IPC分类号： H05K9/00 ,  H01L23/60

摘要： 本发明公开了一种低触发、低容值片式静电抑制器的制备方法，包括以下操作步骤：采取纳米材料制备技术、半导体材料、高分子材料和PCB板技术相结合，在电极切槽部位印刷具有疏松骨架结构以及半导体特性的功能材料层，切槽部位电极存在尖端和功能浆料为疏松的骨架结构形成的缝隙，实现低电压特性，通过激光精度切割制备的电极缝隙。本发明所述的一种低触发、低容值片式静电抑制器的制备方法，通过激光精度切割制备的电极缝隙，相对于厚膜印刷工艺制备的电极，缝隙宽度一致性好，采用双缝隙电极设计，实现低容值，解决了超小容值的问题，采用3层压合板设计，实现了内部结构较高的致密度，具有较高的防渗透和耐湿气的性能。