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公开(公告)号：CN110890361A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201911341070.2
申请日：2019-12-23
申请人： 苏州晶讯科技股份有限公司 , 北京时代华诺科技有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L21/8222
摘要： 本发明提供了一种多端口低容电压浪涌保护芯片及其制作方法，其具有多端口的保护功能，整体泄流能力和稳定性好，保护响应速度快、应用范围广：其包括至少两个并排且相互反向设置的保护单元，包括：衬底，具有第一导电类型；基区，具有第二导电类型；第一高掺杂扩散区，具有第二导电类型；发射区，具有第一导电类型，发射区与基区之间形成短路结构；环形区，具有第一导电类型，环绕基区设置；高掺杂二次扩散区，具有第二导电类型，位于基区内且位于发射区的一侧；条形区，具有第一导电类型，位于环形区与发射区之间，且与环形区相接；第二高掺杂扩散区，具有第一导电类型，第一高掺杂扩散区与第二高掺杂扩散区互补；电极，设置于衬底上表面上。
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公开(公告)号：CN108364947A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810111097.1
申请日：2018-02-02
申请人： 苏州晶讯科技股份有限公司 , 北京时代华诺科技有限公司
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明公开了一种半导体电压浪涌保护器件，包括：至少一组在结构上呈正、反向对称的正向保护单元和反向保护单元，其中所述正向保护单元由二极管101、103和主浪涌保护单元105组成，用于对正向浪涌进行保护；反向保护单元由二极管104、102和主浪涌保护单元105组成，用于对反向浪涌进行保护。换向二极管和主浪涌保护单元采用多组重复单元结构，并且横向形成。二极管P型扩区内形成P++扩散区。主浪涌保护单元多层结构的Pwell和Nwell都有短路结构，采用了“snap-back”技术。本发明器件采用“深槽”隔离技术，器件表面金属采用“叉指”结构，其正、反向过压防护能力均衡、泄流速度快、体积小。
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公开(公告)号：CN210778602U
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201922332585.8
申请日：2019-12-23
申请人： 苏州晶讯科技股份有限公司 , 北京时代华诺科技有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L21/8222
摘要： 本实用新型提供了一种多端口低容电压浪涌保护芯片，其具有多端口的保护功能，整体泄流能力和稳定性好，保护响应速度快、应用范围广：其包括至少两个并排且相互反向设置的保护单元，包括：衬底，具有第一导电类型；基区，具有第二导电类型；第一高掺杂扩散区，具有第二导电类型；发射区，具有第一导电类型，发射区与基区之间形成短路结构；环形区，具有第一导电类型，环绕基区设置；高掺杂二次扩散区，具有第二导电类型，位于基区内且位于发射区的一侧；条形区，具有第一导电类型，位于环形区与发射区之间，且与环形区相接；第二高掺杂扩散区，具有第一导电类型，第一高掺杂扩散区与第二高掺杂扩散区互补；电极，设置于衬底上表面上。
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公开(公告)号：CN111668211A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010671158.7
申请日：2020-07-13
申请人： 北京时代华诺科技有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L29/74 , H01L29/861 , H01L23/62 , H01L29/66
摘要： 本发明公开了一种半导体结构、浪涌保护器件和制作方法，所述半导体结构包括：第一导电类型衬底；设置在所述衬底上的第一子结构和第二子结构，第一子结构包括第二导电类型阱区，设置在第二导电类型阱区上的第二导电类型注入区和第一导电类型注入区，连接第二导电类型注入区和第一导电类型注入区的第一金属电极；第二子结构包括第一导电类型阱区，设置在第一导电类型阱区上的第二导电类型注入区和第一导电类型注入区，连接第二导电类型注入区和第一导电类型注入区的第二金属电极；半导体结构响应于加载在第一金属电极的电压的极性形成晶闸管或二极管，所述晶闸管具有骤回功能。本发明提供的实施例能够实现对电子产品的浪涌保护和静电放电保护。
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公开(公告)号：CN104900645B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201510282708.5
申请日：2015-05-28
申请人： 北京燕东微电子有限公司 , 北京时代华诺科技有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L27/082 , H01L29/74 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L21/8222 , H01L21/332
摘要： 本发明公开一种电压浪涌保护器件及其制造方法，包括：第一导电类型的衬底；第二导电类型的第一基区，从衬底的第一表面延伸进入衬底中；与第一基区相对的第二导电类型的第二基区，从衬底的与第一表面相对的第二表面延伸进入衬底中；多个第一导电类型的第一发射区，从衬底的第一表面延伸进入第一基区中；多个第一导电类型的第二发射区，从衬底的第二表面延伸进入第二基区中，与第一发射区错开，其中第一导电类型与第二导电类型互补。本发明的电压浪涌保护器件能够提供正反向浪涌保护能力，并且在一些优选实施例中，本发明的电压浪涌保护器件的正、反向浪涌保护能力均衡，泄流速度快，体积小。
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公开(公告)号：CN108417571A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810480977.6
申请日：2018-05-18
申请人： 北京时代华诺科技有限公司
IPC分类号： H01L27/06 , H01L27/102
摘要： 一种MOS控制的晶闸管芯片，包括：单胞结构，包括多个并联连接的第一类型单胞和多个并联连接的第二类型单胞，第一类型单胞位于第二类型单胞外侧，第一类型单胞为开通单胞，且第二类型单胞为关断单胞；以及终端结构，位于单胞结构外围。
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公开(公告)号：CN103258815A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310139156.3
申请日：2013-04-19
申请人： 北京燕东微电子有限公司 , 北京时代华诺科技有限公司
摘要： 本发明提供一种半导体集成过压保护器件。该集成过压保护器件包括，NPN晶体管及由其控制的NPNP晶闸管组合和PNP晶体管及由其控制的PNPN晶闸管组合，其中，NPN晶体管的基极作为该器件的负向过压参考电位端口G-，PNP晶体管的基极作为该器件的正向过压参考电位端口G+，NPNP晶闸管的阳极和PNPN晶闸管的阴极相连作为器件的接地端口A，该NPNP晶闸管的阴极和该PNPN晶闸管的阳极相连作为器件的接入端口K。该器件为一种正、负向过压防护能力均衡、泄流速度快、双向对称的半导体过压防护器件。
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公开(公告)号：CN108417571B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN201810480977.6
申请日：2018-05-18
申请人： 北京时代华诺科技有限公司
IPC分类号： H01L27/06 , H01L27/102
摘要： 一种MOS控制的晶闸管芯片，包括：单胞结构，包括多个并联连接的第一类型单胞和多个并联连接的第二类型单胞，第一类型单胞位于第二类型单胞外侧，第一类型单胞为开通单胞，且第二类型单胞为关断单胞；以及终端结构，位于单胞结构外围。
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公开(公告)号：CN103258815B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310139156.3
申请日：2013-04-19
申请人： 北京燕东微电子有限公司 , 北京时代华诺科技有限公司
摘要： 本发明提供一种半导体集成过压保护器件。该集成过压保护器件包括，NPN晶体管及由其控制的NPNP晶闸管组合和PNP晶体管及由其控制的PNPN晶闸管组合，其中，NPN晶体管的基极作为该器件的负向过压参考电位端口G-，PNP晶体管的基极作为该器件的正向过压参考电位端口G+，NPNP晶闸管的阳极和PNPN晶闸管的阴极相连作为器件的接地端口A，该NPNP晶闸管的阴极和该PNPN晶闸管的阳极相连作为器件的接入端口K。该器件为一种正、负向过压防护能力均衡、泄流速度快、双向对称的半导体过压防护器件。
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公开(公告)号：CN104900645A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510282708.5
申请日：2015-05-28
申请人： 北京燕东微电子有限公司 , 北京时代华诺科技有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L27/082 , H01L29/74 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L21/8222 , H01L21/332
摘要： 本发明公开一种电压浪涌保护器件及其制造方法，包括：第一导电类型的衬底；第二导电类型的第一基区，从衬底的第一表面延伸进入衬底中；与第一基区相对的第二导电类型的第二基区，从衬底的与第一表面相对的第二表面延伸进入衬底中；多个第一导电类型的第一发射区，从衬底的第一表面延伸进入第一基区中；多个第一导电类型的第二发射区，从衬底的第二表面延伸进入第二基区中，与第一发射区错开，其中第一导电类型与第二导电类型互补。本发明的电压浪涌保护器件能够提供正反向浪涌保护能力，并且在一些优选实施例中，本发明的电压浪涌保护器件的正、反向浪涌保护能力均衡，泄流速度快，体积小。
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