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公开(公告)号：CN110890361B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN201911341070.2
申请日：2019-12-23
Applicant: 苏州晶讯科技股份有限公司 , 北京时代华诺科技有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L21/8222
Abstract: 本发明提供了一种多端口低容电压浪涌保护芯片及其制作方法，其具有多端口的保护功能，整体泄流能力和稳定性好，保护响应速度快、应用范围广：其包括至少两个并排且相互反向设置的保护单元，包括：衬底，具有第一导电类型；基区，具有第二导电类型；第一高掺杂扩散区，具有第二导电类型；发射区，具有第一导电类型，发射区与基区之间形成短路结构；环形区，具有第一导电类型，环绕基区设置；高掺杂二次扩散区，具有第二导电类型，位于基区内且位于发射区的一侧；条形区，具有第一导电类型，位于环形区与发射区之间，且与环形区相接；第二高掺杂扩散区，具有第一导电类型，第一高掺杂扩散区与第二高掺杂扩散区互补；电极，设置于衬底上表面上。
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公开(公告)号：CN110890361A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201911341070.2
申请日：2019-12-23
Applicant: 苏州晶讯科技股份有限公司 , 北京时代华诺科技有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L21/8222
Abstract: 本发明提供了一种多端口低容电压浪涌保护芯片及其制作方法，其具有多端口的保护功能，整体泄流能力和稳定性好，保护响应速度快、应用范围广：其包括至少两个并排且相互反向设置的保护单元，包括：衬底，具有第一导电类型；基区，具有第二导电类型；第一高掺杂扩散区，具有第二导电类型；发射区，具有第一导电类型，发射区与基区之间形成短路结构；环形区，具有第一导电类型，环绕基区设置；高掺杂二次扩散区，具有第二导电类型，位于基区内且位于发射区的一侧；条形区，具有第一导电类型，位于环形区与发射区之间，且与环形区相接；第二高掺杂扩散区，具有第一导电类型，第一高掺杂扩散区与第二高掺杂扩散区互补；电极，设置于衬底上表面上。
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公开(公告)号：CN108364947A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810111097.1
申请日：2018-02-02
Applicant: 苏州晶讯科技股份有限公司 , 北京时代华诺科技有限公司
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种半导体电压浪涌保护器件，包括：至少一组在结构上呈正、反向对称的正向保护单元和反向保护单元，其中所述正向保护单元由二极管101、103和主浪涌保护单元105组成，用于对正向浪涌进行保护；反向保护单元由二极管104、102和主浪涌保护单元105组成，用于对反向浪涌进行保护。换向二极管和主浪涌保护单元采用多组重复单元结构，并且横向形成。二极管P型扩区内形成P++扩散区。主浪涌保护单元多层结构的Pwell和Nwell都有短路结构，采用了“snap-back”技术。本发明器件采用“深槽”隔离技术，器件表面金属采用“叉指”结构，其正、反向过压防护能力均衡、泄流速度快、体积小。
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公开(公告)号：CN210778602U
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201922332585.8
申请日：2019-12-23
Applicant: 苏州晶讯科技股份有限公司 , 北京时代华诺科技有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L21/8222
Abstract: 本实用新型提供了一种多端口低容电压浪涌保护芯片，其具有多端口的保护功能，整体泄流能力和稳定性好，保护响应速度快、应用范围广：其包括至少两个并排且相互反向设置的保护单元，包括：衬底，具有第一导电类型；基区，具有第二导电类型；第一高掺杂扩散区，具有第二导电类型；发射区，具有第一导电类型，发射区与基区之间形成短路结构；环形区，具有第一导电类型，环绕基区设置；高掺杂二次扩散区，具有第二导电类型，位于基区内且位于发射区的一侧；条形区，具有第一导电类型，位于环形区与发射区之间，且与环形区相接；第二高掺杂扩散区，具有第一导电类型，第一高掺杂扩散区与第二高掺杂扩散区互补；电极，设置于衬底上表面上。
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公开(公告)号：CN116111568A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310309936.1
申请日：2023-03-28
Applicant: 苏州晶讯科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种防雷保护电路及方法，其可满足千安级通流能力，并具有防反接功能，且可降低防雷电路成本及减少空间布局；输入端与电源连接，输出端与后级电路连接，包括依次连接的电压检测模块、驱动模块、主浪涌保护模块；所述电压检测模块，与电源相连接，用于检测所述电源输入端的电压，得到电压控制信号，并传输至所述驱动模块；所述驱动模块，用于接收从所述电压检测模块输出的电压控制信号，得到驱动信号，并传输至所述主浪涌保护模块；所述主浪涌保护模块，与所述后级电路连接，用于接收从所述驱动模块输出的驱动信号，以实现吸收负压浪涌及对所述后级电路的反接保护。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115036368A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210761945.X
申请日：2022-06-30
Applicant: 苏州晶讯科技股份有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开一种高功率密度的氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法，该晶体管包括若干个栅极功率元胞，多对栅极功率元胞形成一个功率单元，栅极功率元胞的栅岛与栅岛之间使用金属连接，相邻两个功率单元的栅极端进行电阻隔离，多个功率单元并联。本发明中，优化了栅极功率元胞结构，再采用多个栅极功率元胞结构并联形成功率单元，在0.25微米栅长的栅条上，经过对功率单元的并联，最终设计出低寄生效应的大栅宽高密度的GaN晶体管，实现了可使用于X波段120瓦的大功率管芯，有效解决工作电压与导通电阻之间的矛盾，全面提高了器件的输出功率和转换效率，对于提高器件的特征频率有积极的意义，将促进晶体管向高频率、高功率和宽带方向发展。
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公开(公告)号：CN216624279U
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202123109072.4
申请日：2021-12-10
Applicant: 苏州晶讯科技股份有限公司
IPC: H01L25/18 , H01L23/495 , H01L23/49 , H01L23/62
Abstract: 本实用新型公开了一种低压低容晶闸管浪涌保护阵列器件，该阵列器件包括引线框架、硅芯片组件，所述引线框架包括第一至第四基岛；第一二极管芯片粘接于第一基岛；第二二极管芯片粘接于第三基岛；所述第三、第四二极管芯片和晶闸管芯片粘接于第四基岛；所述第一、第二二极管芯片、晶闸管芯片与第二基岛电性连接；第三二极管芯片与第三基岛电性连接；第四二极管芯片与第一基岛电性连接。本实用新型在较小的封装外形尺寸内实现了低电容、低残压、高浪涌、多路阵列等特性，相比一般半导体浪涌保护阵列器件，该浪涌保护阵列器件在不增加电容的前提下，具有浪涌电流能力极强、浪涌钳位电压极低的优势，使其在通讯保护领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN216624273U
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202123107445.4
申请日：2021-12-10
Applicant: 苏州晶讯科技股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/495 , H01L23/49 , H01L23/488 , H01L23/62
Abstract: 本实用新型公开了一种三端口低压低容精确对称高浪涌保护器件，该阵列器件包括引线框架、硅芯片组件，引线框架包括主岛和伸出于主岛的至少三个引脚；硅芯片组件包含三组保护单元及一硅芯片衬底，三组保护单元在硅芯片衬底上呈横向对称排布，每组保护单元内均集成有PNPN晶闸管保护结构；三组所述保护单元对外依次设置有第一焊盘、第二焊盘和第三焊盘。本实用新型在同一硅衬底上集成有三组高浪涌保护单元，通过其结构设置，任选两组连接至外部两条通讯线路实现差模防护，剩余第三组连接至GND实现共模防护，同时在芯片设计时兼顾击穿电压、结电容、通流能力之间的最优平衡，使其具备最大化浪涌电流、低电容、双向精确对称、差模共模共同防护的能力。
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公开(公告)号：CN219739961U
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202320631222.8
申请日：2023-03-28
Applicant: 苏州晶讯科技股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种防雷保护电路，其可满足千安级通流能力，并具有防反接功能，且可降低防雷电路成本及减少空间布局；输入端与电源连接，输出端与后级电路连接，包括依次连接的电压检测模块、驱动模块、主浪涌保护模块；所述电压检测模块，与电源相连接，用于检测所述电源输入端的电压，得到电压控制信号，并传输至所述驱动模块；所述驱动模块，用于接收从所述电压检测模块输出的电压控制信号，得到驱动信号，并传输至所述主浪涌保护模块；所述主浪涌保护模块，与所述后级电路连接，用于接收从所述驱动模块输出的驱动信号，以实现吸收负压浪涌及对所述后级电路的反接保护。
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公开(公告)号：CN219203158U
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202320018899.4
申请日：2023-01-05
Applicant: 苏州晶讯科技股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种超低容双向对称回扫型浪涌保护器件，包括引线框架，引线框架包括主岛和绕主岛外围设置的若干个引脚，主岛上设硅芯片，硅芯片上集成超低容双向对称回扫型浪涌保护单元，其内集成PNPN晶闸管保护结构和PN降容二极管结构。本实用新型中，在一个器件内集成双向对称的PNPN晶闸管保护结构和PN降容二极管结构，PNPN晶闸管具有大电流、低残压的高浪涌能力特点，PN降容二极管结构具有大电流、超低电容的特点，二者的组合实现了高浪涌性能和高信号完整性的兼顾，并实现了正负压浪涌和静电双向精确对称，克服了现有半导体浪涌保护器件无法同时兼顾浪涌防护性能和信号完整性的问题，使其能适用更多应用场景。
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