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发明公开
一种高压悬浮的半导体二次电子探测器审中-实审

公开(公告)号：CN117631007A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202410056890.1

申请日：2024-01-15

申请人： 苏州矽视科技有限公司

发明人： 卢晓莹 , 丁正雍 , 史鑫尧

IPC分类号： G01T1/24 , G01T1/28

摘要： 本发明涉及二次电子探测器技术领域，具体涉及一种高压悬浮的半导体二次电子探测器，包括：预放大器、磁感应线圈、电磁传感器和主放大器；预放大器用于放大电流信号，预放大器的接地端与高压地端分离，预放大器与磁感应线圈串联；经所述预放大器放大的电流流经磁感应线圈产生磁场，电磁传感器用于感应磁感应线圈产生的磁场，并转换为电压差输出，主放大器用于放大处理电磁传感器输出的电压差信号，并传输至主控制器的采样单元，本发明通过磁感应原理进行隔离探测，实现高压隔离，既用于探测收集二次电子也可用于收集背散射电子。