一种高压悬浮的半导体二次电子探测器

    公开(公告)号:CN117631007A

    公开(公告)日:2024-03-01

    申请号:CN202410056890.1

    申请日:2024-01-15

    IPC分类号: G01T1/24 G01T1/28

    摘要: 本发明涉及二次电子探测器技术领域,具体涉及一种高压悬浮的半导体二次电子探测器,包括:预放大器、磁感应线圈、电磁传感器和主放大器;预放大器用于放大电流信号,预放大器的接地端与高压地端分离,预放大器与磁感应线圈串联;经所述预放大器放大的电流流经磁感应线圈产生磁场,电磁传感器用于感应磁感应线圈产生的磁场,并转换为电压差输出,主放大器用于放大处理电磁传感器输出的电压差信号,并传输至主控制器的采样单元,本发明通过磁感应原理进行隔离探测,实现高压隔离,既用于探测收集二次电子也可用于收集背散射电子。

    一种低本底的α、β射线探测装置

    公开(公告)号:CN113433581A

    公开(公告)日:2021-09-24

    申请号:CN202110712022.0

    申请日:2021-06-25

    IPC分类号: G01T1/28 G01T1/167 G01T1/24

    摘要: 本发明公开了一种低本底的α、β射线探测装置,涉及探测装置技术领域,包括第一射线探测器和第二射线探测器,第一射线探测器的入射窗口上用于放置样品,且第一射线探测器能够探测到样品中的α射线和β射线的径迹,第一射线探测器与第二射线探测器在竖直方向上堆叠设置,且第一射线探测器与样品在竖直方向上堆叠设置。该低本底的α、β射线探测装置能够将样品的α、β射线与环境放射性以及宇宙线本底进行区分,同时实现设备轻量化。

    半导体检测器及其制造方法

    公开(公告)号:CN113228223A

    公开(公告)日:2021-08-06

    申请号:CN201980087099.4

    申请日:2019-12-06

    摘要: 本公开描述了一种用在临界尺寸扫描电子显微镜(CD‑SEM)中且再检测SEM系统的检测器。在一个实施例中,检测器包括具有p‑n结和孔的半导体结构,扫描光束穿过该孔被传送到目标。检测器还包括用于p‑n结的顶部电极(250)(例如,阳极电极或阴极),顶部电极提供用于检测电子或电磁辐射(例如,来自目标的反向散射)的有效区域。顶部电极具有掺杂层(230)和在掺杂层下方的掩埋部分(260),以减小顶部电极的串联电阻而不改变有效区域。在另一实施例中,可以在半导体结构中靠近孔的侧壁处形成隔离结构,以将有效区域与侧壁电隔离。还描述了一种形成顶部电极的掩埋部分的方法。

    一种用于中性原子分析的测量装置

    公开(公告)号:CN111965689B

    公开(公告)日:2021-04-09

    申请号:CN202010806535.3

    申请日:2020-08-12

    IPC分类号: G01T1/28 G01T1/172

    摘要: 本发明公开了一种用于中性原子分析的测量装置,所述装置包括:探测组件和信号处理模块;所述探测组件,用于接收宇宙粒子,对其中待分析的中性原子,产生二次电子,通过收集起始二次电子、停止二次电子和符合二次电子输出起始阳极信号、停止阳极信号和符合阳极信号;所述信号处理模块,用于对接收到的起始阳极信号、停止阳极信号和符合阳极信号进行预处理,然后进行计算,得到待分析粒子在探测组件中的飞行时间信息、起始二次电子的位置信息、停止二次电子的位置信息、符合二次电子的位置信息和在探测组件中的飞行时间信息。本发明的装置结构简单,空间利用率高,易于加工制作。

    一种光释光微弱信号识别与放大装置

    公开(公告)号:CN112213761A

    公开(公告)日:2021-01-12

    申请号:CN202011046233.7

    申请日:2020-09-29

    摘要: 本发明涉一种光释光微弱信号识别与放大装置。包括光电倍增管和设置在光电倍增管前端的滤波片以及与光电倍增管相连电脑末端输入信号,在所述光电倍增管于所述电脑末端输入信号之间设置有微弱信号识别系统和锁相放大装置,且所述光电倍增管旁还设置有激发光源,所述锁相放大装置另一端连接有激光器,所述微弱信号识别系统包括A/D转换器、电脑PC端和闸门,所述锁相放大装置包括放大器、带通滤波器、相敏检测器以及低通滤波器。本发明的有益之处:通过锁相放大器进一步放大后可以得到强度更大的信号,使得释光测年中微弱信号的探测与描述成为可能,并且对信号没有损失,可以灵活辨认信号强度,智能控制,提高运转效率。

    气体电离正比计数X光二维图像探测器

    公开(公告)号:CN104714246B

    公开(公告)日:2017-11-14

    申请号:CN201310687216.5

    申请日:2013-12-12

    IPC分类号: G01T1/28 A61B6/00 A61B6/03

    摘要: 本发明涉及X光探测领域,提供了一种气体电离正比计数X光二维图像探测器,包括阴极、阵列式阳极、设于阴极和阵列式阳极间的通道板、密封壳,密封壳内充有工作气体;通道板由许多个并行排列的微通道管构成,用于对X光电离产生的负离子进行准直,微通道板的输入端设有聚焦极,输出端设有收集极;阵列式阳极加高电位产生高压加速电场,使负离子在到达阳极前形成一次雪崩电离,产生二次电子;阵列式阳极是由多个电极单元构成的平面阵列,用于吸收二次电子形成输出信号。本发明采用通道板作为光电子的传输通道,有效抑制光电子的横向扩散,减小二次电子的扩展半径,空间分辨率高,没有图像畸变,结构紧凑、工艺简单,成本低,响应快,探测效率高。

    离子检测装置
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102385064B

    公开(公告)日:2016-04-06

    申请号:CN201110220208.0

    申请日:2011-07-29

    IPC分类号: G01T1/28

    CPC分类号: G01T1/2006 G01T1/185 G01T1/28

    摘要: 本发明的离子检测装置(1),具备设置有使正离子以及负离子进入的离子进入口(3)的腔室(2)、配置于腔室(2)内并被施加负电位的转换倍增极(8)、配置于腔室(2)内并具有与转换倍增极(8)相对并且入射从转换倍增极(8)释放的二次电子的电子入射面(11a)的闪烁器(11)、形成于电子入射面(11a)并被施加正电位的导电层(13)、以及检测对应于二次电子的入射而由闪烁器(11)发出的光的光电倍增管(15)。

    离子检测装置
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102385064A

    公开(公告)日:2012-03-21

    申请号:CN201110220208.0

    申请日:2011-07-29

    IPC分类号: G01T1/28

    CPC分类号: G01T1/2006 G01T1/185 G01T1/28

    摘要: 本发明的离子检测装置(1),具备设置有使正离子以及负离子进入的离子进入口(3)的腔室(2)、配置于腔室(2)内并被施加负电位的转换倍增极(8)、配置于腔室(2)内并具有与转换倍增极(8)相对并且入射从转换倍增极(8)释放的二次电子的电子入射面(11a)的闪烁器(11)、形成于电子入射面(11a)并被施加正电位的导电层(13)、以及检测对应于二次电子的入射而由闪烁器(11)发出的光的光电倍增管(15)。