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公开(公告)号：CN118157618A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410566149.X
申请日：2024-05-09
申请人： 苏州科阳半导体有限公司
摘要： 本发明提供的一种晶圆封装结构及其方法、滤波器封装方法和滤波器结构，涉及半导体封装技术领域。该晶圆封装结构包括基底、电极、叉指换能器、盖体、键合胶和凸点。基底为多层复合结构；基底上开设有通槽，通槽贯穿第一材料层和第二材料层。电极、叉指换能器间隔设于第二材料层远离衬底的一侧。盖体包括盖板和侧板，盖板与基底相对设置，盖板覆盖电极和叉指换能器，且盖板和叉指换能器之间预留有间隙。键合胶设于通槽，侧板和键合胶连接，键合胶与通槽的槽壁有间隙。凸点连接在基底远离电极的一侧，凸点与电极电连接。该结构能有效防止基底的复合结构分层，提高结构可靠性。
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公开(公告)号：CN118157617A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410566148.5
申请日：2024-05-09
申请人： 苏州科阳半导体有限公司
摘要： 本发明提供的一种晶圆封装结构及其方法、滤波器封装方法和滤波器结构，涉及半导体封装技术领域。该晶圆封装结构包括基底、电极、叉指换能器、盖体、键合胶和凸点。基底为多层复合结构；基底上开设有通槽，通槽贯穿第一材料层和第二材料层，以及贯穿部分衬底。电极、叉指换能器间隔设于第二材料层远离衬底的一侧。盖体与基底相对设置，盖体覆盖电极和叉指换能器，且盖体和叉指换能器之间预留有间隙。键合胶填充至通槽，其中，键合胶完全包覆第一材料层和第二材料层露出在通槽内的端面；键合胶与盖体连接。凸点连接在基底远离电极的一侧，凸点与电极电连接。该结构能有效防止基底的复合结构分层，提高结构可靠性。
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公开(公告)号：CN118041278A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410087733.7
申请日：2024-01-22
申请人： 苏州科阳半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种滤波器晶圆级封装结构及其封装方法，封装结构包括晶圆，晶圆上包括至少一个电极和至少一个功能区，每一个独立的功能区的表面均包覆设置有金属保护层，每一个金属保护层上均开设有至少一个释放孔，金属保护层和功能区之间存在空腔区域，晶圆上设置覆盖电极和金属保护层的钝化保护层。本发明存在的有益效果：避免了两层膜制作可能会引起的密封失效问题，并且简化了工艺的复杂程度；封装形成的密封空腔一体成型，密封性更好，金属密封性强度更高；无需两层膜工艺，金属空腔可实现更小体积的空腔，实现更小尺寸的封装；封装的工艺更加成熟，对材料和设备的要求更低，大大减少了成本。
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公开(公告)号：CN118157618B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410566149.X
申请日：2024-05-09
申请人： 苏州科阳半导体有限公司
摘要： 本发明提供的一种晶圆封装结构及其方法、滤波器封装方法和滤波器结构，涉及半导体封装技术领域。该晶圆封装结构包括基底、电极、叉指换能器、盖体、键合胶和凸点。基底为多层复合结构；基底上开设有通槽，通槽贯穿第一材料层和第二材料层。电极、叉指换能器间隔设于第二材料层远离衬底的一侧。盖体包括盖板和侧板，盖板与基底相对设置，盖板覆盖电极和叉指换能器，且盖板和叉指换能器之间预留有间隙。键合胶设于通槽，侧板和键合胶连接，键合胶与通槽的槽壁有间隙。凸点连接在基底远离电极的一侧，凸点与电极电连接。该结构能有效防止基底的复合结构分层，提高结构可靠性。
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公开(公告)号：CN118157617B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410566148.5
申请日：2024-05-09
申请人： 苏州科阳半导体有限公司
摘要： 本发明提供的一种晶圆封装结构及其方法、滤波器封装方法和滤波器结构，涉及半导体封装技术领域。该晶圆封装结构包括基底、电极、叉指换能器、盖体、键合胶和凸点。基底为多层复合结构；基底上开设有通槽，通槽贯穿第一材料层和第二材料层，以及贯穿部分衬底。电极、叉指换能器间隔设于第二材料层远离衬底的一侧。盖体与基底相对设置，盖体覆盖电极和叉指换能器，且盖体和叉指换能器之间预留有间隙。键合胶填充至通槽，其中，键合胶完全包覆第一材料层和第二材料层露出在通槽内的端面；键合胶与盖体连接。凸点连接在基底远离电极的一侧，凸点与电极电连接。该结构能有效防止基底的复合结构分层，提高结构可靠性。
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公开(公告)号：CN114361050A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111599153.9
申请日：2021-12-24
申请人： 苏州科阳半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种多芯片倒装重置晶圆级封装结构及方法，包括：多芯片重置布局，采用贴片工艺将不同类型的芯片10放置在贴有临时键合膜01的基板02上，芯片背面向上，正面贴合在基板上的临时键合膜01上；芯片正面含有电极11、关键功能区12，基板02上规则排布多个组，以排满整个基板02为准；芯片背面保护膜层制作，利用层压覆膜工艺在基板02上的芯片背面做上第一层有机物膜层15，利用有机物膜层15密封住每个芯片，防止后续塑封时材料渗入；最后完成凸点制作后封装工艺完成，后续按每组芯片尺寸切割成单个芯片进行后续PCB板焊接。本发明的多面包封，即使芯片距离较小的情况下也能实现侧面包封，增强了芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN114512412B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210413031.4
申请日：2022-04-20
申请人： 苏州科阳半导体有限公司
摘要： 本发明涉及声表面波滤波器技术领域，尤其涉及一种声表面波滤波器晶圆封装方法，包括：声表面波滤波器晶圆的第一表面上设置有电极和关键功能区，声表面波滤波器晶圆设置有切割区域，电极和关键功能区不在切割区域内，采用隐形激光切割工艺在切割区域内加工形成改质层，改质层不延伸到表面。盖板晶圆的第二表面上设置有待切区域，待切区域与切割区域相对应，采用光刻工艺在待切区域内间隔均匀加工多个凸块。采用点胶或印胶工艺在第二表面上形成胶水区，胶水区对应电极所在区域，且不对应关键功能区，将声表面波滤波器晶圆与盖板晶圆键合，以使第一表面与第二表面相对设置。本发明还提供了使用上述声表面波滤波器晶圆封装方法制造的芯片。
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公开(公告)号：CN114512412A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210413031.4
申请日：2022-04-20
申请人： 苏州科阳半导体有限公司
摘要： 本发明涉及声表面波滤波器技术领域，尤其涉及一种声表面波滤波器晶圆封装方法，包括：声表面波滤波器晶圆的第一表面上设置有电极和关键功能区，声表面波滤波器晶圆设置有切割区域，电极和关键功能区不在切割区域内，采用隐形激光切割工艺在切割区域内加工形成改质层，改质层不延伸到表面。盖板晶圆的第二表面上设置有待切区域，待切区域与切割区域相对应，采用光刻工艺在待切区域内间隔均匀加工多个凸块。采用点胶或印胶工艺在第二表面上形成胶水区，胶水区对应电极所在区域，且不对应关键功能区，将声表面波滤波器晶圆与盖板晶圆键合，以使第一表面与第二表面相对设置。本发明还提供了使用上述声表面波滤波器晶圆封装方法制造的芯片。
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