公开(公告)号：CN118929577A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202411252568.2

申请日：2024-09-06

申请人： 武汉香榭轩新材料技术有限公司 ,  苏州香榭轩表面工程技术咨询有限公司

发明人： 王涛 ,  魏远征 ,  王萧 ,  季家友 ,  熊礼威 ,  王升高 ,  邢廷湘

IPC分类号： C01B7/07

摘要： 本发明公开了一种采用异质流制备超高纯盐酸的方法、氯化氢的提纯方法，该方法首先采用加络合剂和还原剂对氯化氢进行除杂处理，以两种试剂的同时作用，克服盐酸与四氯化锡共沸难去除问题及游离氯的影响，采用非氯化氢物料人为制造超高纯异质流介质膜层，形成气液交换，进行异质流净化提纯氯化氢气体，用超纯水等吸收得超高纯盐酸，该超高纯盐酸单项金属小于10ppt，达到国际半导体协会SEMIC12标准，满足12寸以上芯片制备要求，可用于高集成度芯片的清洗和刻蚀；另可经冷冻压缩获得超高纯氯化氢，该氯化氢纯度可以达到6.5N，满足半导体特气要求。与现有技术相比，本发明具有工艺流程简单，生产效率高，节能环保等优点。

公开(公告)号：CN114014282A

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN202210003433.7

申请日：2022-01-05

申请人： 苏州香榭轩表面工程技术咨询有限公司

发明人： 王涛 ,  王升高 ,  徐慢 ,  熊礼威 ,  王箫 ,  张雪梅

IPC分类号： C01B21/46

摘要： 本发明公开了一种高纯硝酸的连续生产方法，该生产方法为采用循环载气方法进行提纯工业硝酸，该循环载气方法为利用不同温度下硝酸的饱和蒸汽压不同，将载气气体鼓入硝酸物料中，获得硝酸饱和的混合气，而后在换热器中降温，实现硝酸的过饱和析出，进而实现硝酸物料的传输与提纯工作，载气气体在工艺中循环使用。采用本发明工艺制备的超高纯硝酸各单项金属离子含量低于10ppt，除硝酸根外，各单项阴离子小于50ppb。与已有方法相比，本发明工艺和设备简单，生产效率高，产品质量稳定，能耗低，产品满足甚至超过SEMI C12标准的要求，可用于高集成度芯片的清洗和刻蚀。

公开(公告)号：CN114014282B

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202210003433.7

申请日：2022-01-05

申请人： 苏州香榭轩表面工程技术咨询有限公司

发明人： 王涛 ,  王升高 ,  徐慢 ,  熊礼威 ,  王箫 ,  张雪梅

IPC分类号： C01B21/46

摘要： 本发明公开了一种高纯硝酸的连续生产方法，该生产方法为采用循环载气方法进行提纯工业硝酸，该循环载气方法为利用不同温度下硝酸的饱和蒸汽压不同，将载气气体鼓入硝酸物料中，获得硝酸饱和的混合气，而后在换热器中降温，实现硝酸的过饱和析出，进而实现硝酸物料的传输与提纯工作，载气气体在工艺中循环使用。采用本发明工艺制备的超高纯硝酸各单项金属离子含量低于10ppt，除硝酸根外，各单项阴离子小于50ppb。与已有方法相比，本发明工艺和设备简单，生产效率高，产品质量稳定，能耗低，产品满足甚至超过SEMI C12标准的要求，可用于高集成度芯片的清洗和刻蚀。