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公开(公告)号：CN105514180A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201510912511.5
申请日：2015-12-11
申请人： 英利能源(中国)有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/02363
摘要： 本发明公开了一种N型背结双面电池及其制备方法，涉及太阳能电池生产技术领域。双面电池包括硅片衬底，硅片衬底的正面自内向外依次为磷掺杂电池前场、氧化硅钝化层、氮化硅减反射层、正面银电极，硅片衬底的背面自内向外依次为硼掺杂电池发射极、氧化硅钝化层、氮化硅减反射层、背面银铝电极；其制备方法包括以下步骤：双面制绒；进行背面抛光；正面磷扩散制备电池前场；背面硼扩散制备发射极；正背面形成二氧化硅钝化层；正背面镀氮化硅减反射层；印刷正背面电极，正面银电极为采用银浆料印刷的栅线结构，背面银铝电极为采用银铝浆料印刷的栅线结构。该电池双面受光，具有较高的光电转化效率，电池的制备工艺简单，稳定性好，适于大规模生产。
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公开(公告)号：CN108520909A
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201810350244.0
申请日：2018-04-18
申请人： 英利能源(中国)有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216
摘要： 本发明适用于太阳能电池技术领域，提供了一种太阳能电池硅片的氧化钝化方法及终端设备，该方法包括：通过氧化钝化工艺在第一预设数量的太阳能电池硅片的表面进行氧化钝化处理；获取经氧化钝化处理后的所述第一预设数量的太阳能电池硅片的第一理论电压值；获取第二预设数量的太阳能电池硅片的第二理论电压值；根据所述第一理论电压值和所述第二理论电压值判断所述氧化钝化工艺是否合格；在所述氧化钝化工艺合格时，通过所述氧化钝化工艺在除所述第一预设数量的太阳能电池硅片和所述第二预设数量的太阳能电池硅片外的太阳能电池硅片的表面进行氧化钝化处理。本发明能够提高太阳能电池的良品率。
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公开(公告)号：CN108520909B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201810350244.0
申请日：2018-04-18
申请人： 英利能源(中国)有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216
摘要： 本发明适用于太阳能电池技术领域，提供了一种太阳能电池硅片的氧化钝化方法及终端设备，该方法包括：通过氧化钝化工艺在第一预设数量的太阳能电池硅片的表面进行氧化钝化处理；获取经氧化钝化处理后的所述第一预设数量的太阳能电池硅片的第一理论电压值；获取第二预设数量的太阳能电池硅片的第二理论电压值；根据所述第一理论电压值和所述第二理论电压值判断所述氧化钝化工艺是否合格；在所述氧化钝化工艺合格时，通过所述氧化钝化工艺在除所述第一预设数量的太阳能电池硅片和所述第二预设数量的太阳能电池硅片外的太阳能电池硅片的表面进行氧化钝化处理。本发明能够提高太阳能电池的良品率。
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公开(公告)号：CN205211766U
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201521024519.X
申请日：2015-12-11
申请人： 英利能源(中国)有限公司
IPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/0216 , H01L31/0224
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 本实用新型公开了一种N型背结双面电池，涉及太阳能电池生产技术领域。双面电池包括硅片衬底，硅片衬底的正面自内向外依次为磷掺杂电池前场、二氧化硅钝化层、氮化硅减反射层、正面银电极，硅片衬底的背面自内向外依次为硼掺杂电池发射极、二氧化硅钝化层、氮化硅减反射层、背面银铝电极，正面银电极和背面银铝电极均为栅线结构。该电池双面受光，具有较高的光电转化效率，电池的制备工艺简单，稳定性好，适于大规模生产。
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