公开(公告)号：CN112309849B

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202011065493.9

申请日：2020-09-30

申请人： 英利能源(中国)有限公司 ,  河北省凤凰谷零碳发展研究院

发明人： 汤欢 ,  郎芳 ,  马红娜 ,  郭宝军 ,  赵学玲 ,  张伟 ,  李锋 ,  史金超 ,  闫英丽 ,  李青娟 ,  闫兰 ,  王子谦 ,  张雷 ,  潘明翠 ,  田思 ,  唐磊 ,  王新建 ,  吴翠姑 ,  刘莹 ,  李英叶

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L31/18

摘要： 本发明具体公开一种硅片单面刻蚀抛光的方法。所述方法包括：将硅片下表面浸泡在混酸溶液中进行刻蚀抛光，刻蚀深度为2‑4μm，所述混酸溶液为体积比1:3‑5:1.5‑2的氢氟酸溶液、硝酸溶液和硫酸溶液的混合溶液；然后再浸泡到碱溶液和抛光添加剂的混合溶液中进行刻蚀抛光，刻蚀深度为2.5‑4μm；然后再经碱洗、水洗、酸洗、水洗、干燥。本发明提供的酸体系一次刻蚀抛光和碱体系二次刻蚀抛光相结合的工艺，不但可最大限度地保护硅片正面的硼硅玻璃层，还能提高硅片背面的平整度，减少硅片背面的表面缺陷密度，从而有利于提高LPCVD制备的隧穿氧化层和多晶硅层的均匀度和致密度，进而提高电池的转换效率，且工艺简单，可控性强。

公开(公告)号：CN112349584A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202011157169.X

申请日：2020-10-26

申请人： 英利能源(中国)有限公司

发明人： 汤欢 ,  郭宝军 ,  王静 ,  赵学玲 ,  王平 ,  马红娜 ,  郎芳 ,  史金超 ,  李锋 ,  张伟 ,  王子谦 ,  翟金叶 ,  潘明翠 ,  王红芳 ,  徐卓 ,  王丙宽 ,  张文辉

IPC分类号： H01L21/308 ,  H01L21/306 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种用于TOPCon电池的去绕镀方法及TOPCon电池的制备方法。所述去绕镀方法包括如下步骤：在磷掺杂后的硅片背面制作水膜，用氢氟酸溶液去除正面和侧面绕镀的磷掺杂层；将所得硅片放入含有添加剂的KOH溶液或NaOH溶液中浸泡，去除硅片正面的多晶硅，取出硅片水洗；将所得硅片置于KOH或NaOH与H2O2的混合溶液中浸泡，水洗后，置于盐酸溶液中浸泡，取出硅片水洗，浸泡处理均在对应的反应槽内完成，所述反应槽内部设有两组循环鼓泡系统。本发明提供的去绕镀方法能有效解决TOPCon电池的绕镀现象，保证产品的优良率，解决绕镀导致的外观问题，EL不合格问题，提高了电池转换效率。

公开(公告)号：CN112309849A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202011065493.9

申请日：2020-09-30

申请人： 英利能源(中国)有限公司 ,  河北省凤凰谷零碳发展研究院

发明人： 汤欢 ,  郎芳 ,  马红娜 ,  郭宝军 ,  赵学玲 ,  张伟 ,  李锋 ,  史金超 ,  闫英丽 ,  李青娟 ,  闫兰 ,  王子谦 ,  张雷 ,  潘明翠 ,  田思 ,  唐磊 ,  王新建 ,  吴翠姑 ,  刘莹 ,  李英叶

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L31/18

摘要： 本发明具体公开一种硅片单面刻蚀抛光的方法。所述方法包括：将硅片下表面浸泡在混酸溶液中进行刻蚀抛光，刻蚀深度为2‑4μm，所述混酸溶液为体积比1:3‑5:1.5‑2的氢氟酸溶液、硝酸溶液和硫酸溶液的混合溶液；然后再浸泡到碱溶液和抛光添加剂的混合溶液中进行刻蚀抛光，刻蚀深度为2.5‑4μm；然后再经碱洗、水洗、酸洗、水洗、干燥。本发明提供的酸体系一次刻蚀抛光和碱体系二次刻蚀抛光相结合的工艺，不但可最大限度地保护硅片正面的硼硅玻璃层，还能提高硅片背面的平整度，减少硅片背面的表面缺陷密度，从而有利于提高LPCVD制备的隧穿氧化层和多晶硅层的均匀度和致密度，进而提高电池的转换效率，且工艺简单，可控性强。

公开(公告)号：CN112038444A

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN202010779734.X

申请日：2020-08-05

申请人： 英利能源(中国)有限公司 ,  河北省凤凰谷零碳发展研究院

发明人： 马红娜 ,  李锋 ,  史金超 ,  张伟 ,  刘少华 ,  李雪涛 ,  宋连胜 ,  尚琪 ,  陈志军

IPC分类号： H01L31/18

摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种N型晶体硅太阳能电池的制作方法及其背面钝化接触结构的制作方法。所述钝化接触结构的制作方法，包括如下步骤：在氮气气氛下抽真空并在氮气气氛下升温至预设温度，在N型晶体硅基体背面生长隧穿氧化层；利用炉管内部的预留腔，使硅烷气体在所述隧穿氧化层上制备多晶硅层，然后进行掺杂处理，得到钝化接触结构。本发明提供的钝化接触结构的制作方法，能够有效避免硅基体表面不良氧化层的产生，保障隧穿氧化层的质量，并在在隧穿氧化层上制备厚度均匀的多晶硅层，进而得到质量良好的钝化接触结构。

公开(公告)号：CN109037375B

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201810812946.6

申请日：2018-07-23

申请人： 英利能源(中国)有限公司

发明人： 王子谦 ,  张伟 ,  郎芳 ,  沈艳娇 ,  翟金叶 ,  孟庆超 ,  张文辉 ,  张向前 ,  李锋 ,  史金超

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/05

摘要： 本发明适用于光伏发电技术领域，提供了一种太阳能电池及太阳能电池组件，太阳能电池包括：衬底；衬底中第一掺杂区域的正面和第二掺杂区域的背面均掺杂N型杂质，衬底中第一掺杂区域的背面和第二掺杂区域的正面均掺杂P型杂质；衬底中第一掺杂区域与第二掺杂区域之间设有本征区域；衬底的表面设有钝化膜；衬底中第一掺杂区域和第二掺杂区域的表面均印刷有细栅线和主栅线，细栅线和主栅线穿透所述钝化膜与所述衬底形成欧姆接触；衬底中第一掺杂区域正面的主栅线与第二掺杂区域正面的主栅线连接。本发明能够防止激光划片造成的太阳能电池的碎裂，并提高太阳能电池组件的输出功率。

公开(公告)号：CN109037375A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810812946.6

申请日：2018-07-23

申请人： 英利能源(中国)有限公司

发明人： 王子谦 ,  张伟 ,  郎芳 ,  沈艳娇 ,  翟金叶 ,  孟庆超 ,  张文辉 ,  张向前 ,  李锋 ,  史金超

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/05

摘要： 本发明适用于光伏发电技术领域，提供了一种太阳能电池及太阳能电池组件，太阳能电池包括：衬底；衬底中第一掺杂区域的正面和第二掺杂区域的背面均掺杂N型杂质，衬底中第一掺杂区域的背面和第二掺杂区域的正面均掺杂P型杂质；衬底中第一掺杂区域与第二掺杂区域之间设有本征区域；衬底的表面设有钝化膜；衬底中第一掺杂区域和第二掺杂区域的表面均印刷有细栅线和主栅线，细栅线和主栅线穿透所述钝化膜与所述衬底形成欧姆接触；衬底中第一掺杂区域正面的主栅线与第二掺杂区域正面的主栅线连接。本发明能够防止激光划片造成的太阳能电池的碎裂，并提高太阳能电池组件的输出功率。

公开(公告)号：CN108963009A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810813858.8

申请日：2018-07-23

申请人： 英利能源(中国)有限公司

发明人： 郎芳 ,  王子谦 ,  张伟 ,  张建旗 ,  孟庆超 ,  沈艳娇 ,  翟金叶 ,  张磊 ,  张向前 ,  李锋 ,  史金超

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/05 ,  H01L31/18

摘要： 本发明适用于光伏发电技术领域，提供了一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池组件，该方法包括：衬底经制绒处理后，对衬底中第一掺杂区域的正面和第二掺杂区域的背面均掺杂N型杂质；在衬底的正面分别沉积第一氧化铝薄膜和第一氮化硅薄膜，衬底的背面分别沉积第二氧化铝薄膜和第二氮化硅薄膜；在衬底中第二掺杂区域的正面开设第一开槽，第一掺杂区域的背面开设第二开槽；制备栅线，并进行烧结处理，其中，第一掺杂区域正面的主栅线与第二掺杂区域正面的主栅线连接。本发明能够防止激光划片造成的太阳能电池的碎裂，并提高太阳能电池组件的输出功率。

公开(公告)号：CN108520909A

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：CN201810350244.0

申请日：2018-04-18

申请人： 英利能源(中国)有限公司

发明人： 郞芳 ,  王英超 ,  王红芳 ,  刘杰 ,  徐卓 ,  张伟 ,  王平 ,  张磊 ,  李锋 ,  史金超

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0216

摘要： 本发明适用于太阳能电池技术领域，提供了一种太阳能电池硅片的氧化钝化方法及终端设备，该方法包括：通过氧化钝化工艺在第一预设数量的太阳能电池硅片的表面进行氧化钝化处理；获取经氧化钝化处理后的所述第一预设数量的太阳能电池硅片的第一理论电压值；获取第二预设数量的太阳能电池硅片的第二理论电压值；根据所述第一理论电压值和所述第二理论电压值判断所述氧化钝化工艺是否合格；在所述氧化钝化工艺合格时，通过所述氧化钝化工艺在除所述第一预设数量的太阳能电池硅片和所述第二预设数量的太阳能电池硅片外的太阳能电池硅片的表面进行氧化钝化处理。本发明能够提高太阳能电池的良品率。

公开(公告)号：CN113745369B

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202110962979.0

申请日：2021-08-20

申请人： 英利能源(中国)有限公司

发明人： 吝占胜 ,  李倩 ,  陈晨 ,  刘伟 ,  孙晓娟 ,  王静 ,  张东升 ,  史金超 ,  张伟

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/67

摘要： 本发明涉及太阳能电池领域，尤其涉及一种提高焊接拉力不合格晶硅太阳能电池焊接拉力的方法，对不合格晶硅太阳能电池进行热处理；其中，热处理的温度为玻璃粉的软化温度，热处理的时间为20～35s。整个方法操作简便，对于浆料、硅片以及工艺方面等各因素所造成的晶硅太阳能电池的焊接拉力不够的现象均具有良好的适用性，避免因焊接拉力出现太阳能电池不合格的现象，在晶硅太阳能电池领域具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN111653650B

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202010542473.X

申请日：2020-06-15

申请人： 英利能源(中国)有限公司

发明人： 郎芳 ,  张伟 ,  王子谦 ,  汤欢 ,  翟金叶 ,  李锋 ,  史金超 ,  张磊 ,  于全庆 ,  李青娟 ,  闫兰 ,  闫英丽 ,  唐磊 ,  张雷 ,  王新建

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67

摘要： 本发明适用于太阳能电池技术领域，提供了一种TOPCon电池生产片清洗参数优化及制备方法，包括：在硅片的表面进行碱制绒和硼扩散形成硼硅玻璃层，在所述硼硅玻璃层上先后沉积氧化硅层和Poly硅层，在所述Poly硅层上进行磷扩散，制备得到调试片；使用氢氟酸对所述调试片进行预清洗，并根据预清洗后的调试片的颜色对TOPCon电池生产片制备过程中的清洗参数进行优化。本发明能够解决现有技术TOPCon电池制备工艺中，对生产片的清洗参数不能准确把控，容易腐蚀poly硅层的问题，可以有效提高TOPCon电池的电学性能。