公开(公告)号：CN116207184A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202310279776.0

申请日：2023-03-21

申请人： 英利能源发展(保定)有限公司 ,  英利能源发展有限公司

发明人： 程立威 ,  于全庆 ,  张波宁 ,  刘莉丽 ,  张东升 ,  王静 ,  于波 ,  张树骞 ,  何广川 ,  李志彬 ,  沈鹏瑶 ,  李龙 ,  张星 ,  张帅

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  B08B3/08

摘要： 本发明公开一种N型TOPCon电池镀膜不良片的处理方法。将待处理镀膜不良片放入反应槽中，向密闭的反应槽中通入四氟化碳和氧气经高频电源电离后的电解气，反应，得预处理不良片；将所述预处理不良片后续经氢氟酸溶液，以及氢氟酸和盐酸的混合酸溶液进行酸洗，水洗，干燥，得回收硅片。本发明提供的N型TOPCon电池镀膜不良片的处理方法，适用性强，不仅适用于TOPCon正背面镀膜或正面镀膜不良造成的不合格片的回收处理，还适用于镀膜前的返工片或脏污裸硅片的处理，在保证回收硅片优良性能的前提下，极大地缩短了工艺处理时间，回收效率高，适合工业化生产应用，回收得到的硅片表面整洁光亮，外观和性能正常，具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN116387400A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310348348.9

申请日：2023-04-03

申请人： 英利能源发展(保定)有限公司 ,  英利能源发展有限公司

发明人： 于全庆 ,  魏双双 ,  程立威 ,  李志彬 ,  李龙 ,  何广川 ,  张红妹 ,  沈鹏瑶 ,  张星 ,  张帅 ,  王志国 ,  谢宏飞

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/068

摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开了一种TOPCon电池的硼扩散方法及装置。包括以下步骤：包括以下步骤：硅片进入扩散炉管，依次进行第一沉积，第一氧化，第二沉积，第二氧化，第三沉积，第四沉积，降温退火，硅片退出扩散炉管；其中，所述第一沉积的温度为800～850℃；所述第一氧化、所述第二氧化和所述第三沉积的温度均比上一步骤的温度高5～10℃，所述第四沉积的温度比所述第三次沉积的温度高10～20℃；所述第二沉积的温度与所述第一氧化的温度相同。本方法可提高TOPCon电池的开路电压和短路电流，进而提升其光电转换效率。