公开(公告)号：CN115377252B

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202211298705.7

申请日：2022-10-24

申请人： 英利能源发展(天津)有限公司(CN) ,  英利能源发展有限公司(CN) ,  英利能源(中国)有限公司(CN)

发明人： 郎芳 ,  张伟 ,  王子谦 ,  潘明翠 ,  王红芳 ,  翟金叶 ,  王平 ,  张文辉 ,  李青娟 ,  韩华华 ,  张磊 ,  陈志军 ,  赵鹏 ,  李锋 ,  史金超

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/054 ,  C23C16/24

摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种抑制PECVD法生长多晶硅表面爆膜的方法。所述方法包括以下步骤：将硅片进行微制绒工序，形成微制绒表面；采用PECVD法在所述微制绒表面上依次沉积隧穿氧化层和多晶硅层。采用本发明提供的方法能够在保证不降低TOPCon太阳能电池转化效率的前提下，还能避免采用PECVD法沉积多晶硅层发生爆膜的问题，方法简单，只是在常规抛光的过程中，添加微制绒工序，工艺步骤简单，无需增加新工艺和新设备，无其他成本增加，有利于工业化生产，对提高TOPCon太阳能电池的成品率具有重要意义。