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公开(公告)号：CN102995105A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210518177.1
申请日：2012-12-04
申请人： 英利集团有限公司
IPC分类号： C30B11/00
摘要： 本发明提供了一种铸锭多晶炉的散热底板及具有其的铸锭多晶炉。其中，散热底板包括：底板本体（10），底板本体（10）上设有第一孔区（11）和第二孔区（12），第一孔区（11）环绕设置在第二孔区（12）的外侧，第一孔区（11）内设有多个第一通孔（111），第二孔区（12）内设有多个第二通孔（121），多个第一通孔（111）的过流面积之和不同于多个第二通孔（121）的过流面积之和。本发明的散热底板在散热时可以使散热底板与石英坩埚相接触的表面温度分布更均匀，进而，使液体硅形成的晶核更均匀。
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公开(公告)号：CN118944573A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411017657.9
申请日：2024-07-29
申请人： 英利集团有限公司
IPC分类号： H02S30/10 , H02S40/20 , H01L31/048
摘要： 本发明公开了一种薄硅太阳能电池，包括太阳能电池片、用于安装太阳能电池片的安装框架以及对太阳能电池片进行防护的防护组件；所述防护组件安装在太阳能电池片的顶部并通过螺栓组件与安装框架连接；所述防护组件的顶部铺设有一层起防护作用、便于更换和清理太阳能电池表面堆积物的透明疏水保护膜；本发明通过在太阳能电池片周侧设置安装框架并在顶部设置透明的防护组件，保证了太阳能电池自身的安全性，提高了安全，减少了受损害的可能，同时在防护组件顶部设置透明的保护膜，既不影响光的透过，还能更加方便的对防护组件表面的堆积物进行清理，提高了清理效率。
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公开(公告)号：CN102978687A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210566780.7
申请日：2012-12-21
申请人： 英利集团有限公司
摘要： 本发明提供了一种多晶硅锭的晶体生长方法。该晶体生长方法包括加热阶段、熔化阶段、生长阶段、退火阶段和冷却阶段，其中，在生长阶段，从生长开始时至透顶完成时，将多晶铸锭的顶部中央区域温度维持在恒定值。本发明的晶体生长方法能够减小多晶硅锭生长过程中竖直方向上的温度梯度，使硅锭的生长速度更加平稳，进而使硅锭内部杂质更均匀地向液相分凝，能够有效地降低硅锭的晶体内部的缺陷密度，提升多晶硅锭的整体品质，从而由多晶硅锭制作的单个电池片的电池效率以及高效电池片的整体比例均得到提升。
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公开(公告)号：CN103117683B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201310081599.1
申请日：2013-03-14
申请人： 英利集团有限公司
IPC分类号： H02S20/30
摘要： 本发明公开了一种太阳能电池光伏组件系统，包括：太阳能电池光伏组件，太阳能电池光伏组件包括太阳能电池板和固定太阳能电池板的背板；固定于背板背离太阳能电池板一侧的力学传感器；固定于背板背离太阳能电池板一侧，且与力学传感器相连的控制器；固定于背板背离所述太阳能电池板一侧，且与控制器相连的电机；固定于背板背离太阳能电池板一侧，且与电机相连的转动轴，从而可以利用力学传感器感受太阳能电池光伏组件正面承受的压力，并将其传输给控制器，当该压力值大于控制器内的设定值时，控制器控制电机通过转动轴带动太阳能电池光伏组件旋转，以使太阳能电池光伏组件正面承受的压力最小，降低外界气候对太阳能电池光伏组件系统的破坏。
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公开(公告)号：CN102978687B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201210566780.7
申请日：2012-12-21
申请人： 英利集团有限公司
摘要： 本发明提供了一种多晶硅锭的晶体生长方法。该晶体生长方法包括加热阶段、熔化阶段、生长阶段、退火阶段和冷却阶段，其中，在生长阶段，从生长开始时至透顶完成时，将多晶铸锭的顶部中央区域温度维持在恒定值。本发明的晶体生长方法能够减小多晶硅锭生长过程中竖直方向上的温度梯度，使硅锭的生长速度更加平稳，进而使硅锭内部杂质更均匀地向液相分凝，能够有效地降低硅锭的晶体内部的缺陷密度，提升多晶硅锭的整体品质，从而由多晶硅锭制作的单个电池片的电池效率以及高效电池片的整体比例均得到提升。
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公开(公告)号：CN102995105B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201210518177.1
申请日：2012-12-04
申请人： 英利集团有限公司
IPC分类号： C30B11/00
摘要： 本发明提供了一种铸锭多晶炉的散热底板及具有其的铸锭多晶炉。其中，散热底板包括：底板本体（10），底板本体（10）上设有第一孔区（11）和第二孔区（12），第一孔区（11）环绕设置在第二孔区（12）的外侧，第一孔区（11）内设有多个第一通孔（111），第二孔区（12）内设有多个第二通孔（121），多个第一通孔（111）的过流面积之和不同于多个第二通孔（121）的过流面积之和。本发明的散热底板在散热时可以使散热底板与石英坩埚相接触的表面温度分布更均匀，进而，使液体硅形成的晶核更均匀。
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公开(公告)号：CN103320854B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310226208.0
申请日：2013-06-07
申请人： 英利集团有限公司
CPC分类号： C30B11/002 , C30B29/06
摘要： 本发明提供了一种坩埚用涂层结构、其制备方法及包括其的坩埚，该涂层结构包括隔离层和诱导层，其中隔离层覆于坩埚基材的表面上，诱导层覆于隔离层的表面上。该涂层结构采用隔离层和诱导层的双层结构，通过设置诱导层以承载硅熔体长晶，并促进硅熔体长晶的效果，保证多晶硅锭的质量，通过设置隔离层将所形成的多晶硅锭与坩埚本体进行隔离以防止坩埚本体内的杂质向多晶硅锭扩散，并防止坩埚与所生长的多晶硅锭粘连，使多晶硅锭顺利脱模，进而保证所制备的多晶硅锭的质量。
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公开(公告)号：CN103255470B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201310224081.9
申请日：2013-06-06
申请人： 英利集团有限公司
摘要： 本发明提供了一种硅铸锭炉及其泄漏检测装置。泄漏检测装置包括：托盘，托盘包括本体区域和围绕本体区域的周向设置的熔硅承接区域，熔硅承接区域上设置有多个通孔；检测线，设置于托盘的熔硅承接区域的上表面，且检测线沿多个通孔所构成的路径延伸，检测线的引脚穿过一个通孔；以及检测单元，与引脚电连接，用于检测检测线的电阻。本发明的泄漏检测装置的托盘设置在坩埚的下方，当发生泄漏时，熔硅流到托盘的熔硅承接区域上，将检测线熔断，导致检测线的电阻变为无穷大，检测单元对检测线的电阻进行监控，当检测到检测线的两个引脚之间的电阻值大于预设值，发出报警信号，以提醒工作人员硅铸锭炉内发生了熔硅泄漏事故。
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公开(公告)号：CN103320854A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310226208.0
申请日：2013-06-07
申请人： 英利集团有限公司
CPC分类号： C30B11/002 , C30B29/06
摘要： 本发明提供了一种坩埚用涂层结构、其制备方法及包括其的坩埚，该涂层结构包括隔离层和诱导层，其中隔离层覆于坩埚基材的表面上，诱导层覆于隔离层的表面上。该涂层结构采用隔离层和诱导层的双层结构，通过设置诱导层以承载硅熔体长晶，并促进硅熔体长晶的效果，保证多晶硅锭的质量，通过设置隔离层将所形成的多晶硅锭与坩埚本体进行隔离以防止坩埚本体内的杂质向多晶硅锭扩散，并防止坩埚与所生长的多晶硅锭粘连，使多晶硅锭顺利脱模，进而保证所制备的多晶硅锭的质量。
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