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公开(公告)号：CN103233267A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310170316.0
申请日：2013-05-09
申请人： 英利集团有限公司
发明人： 潘明翠
摘要： 本发明提供了多晶硅的铸锭工艺，包括步骤S1：将硅料放置在铸锭炉内，将铸锭炉的炉温提升至第一温度，将铸锭炉的炉腔压力提升至第一压力；步骤S2：将铸锭炉的炉温由第一温度升高至第二温度，当硅料开始熔化时，将炉腔压力由第一压力降至第二压力，直至硅料全部熔为液态硅；步骤S3：对液态硅进行后处理。由于在硅料开始熔化时，将炉腔压力由第一压力降至第二压力，因而使得液态硅中的氧元素以氧化硅气体从液态硅中挥发，从而降低了铸锭后得到的多晶硅锭内的氧含量、提高了晶体少子寿命，进而提高了由多晶硅锭制成的太阳能电池片的转换效率。同时，本发明中的铸锭工艺具有工艺简单的特点。
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公开(公告)号：CN102978687A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210566780.7
申请日：2012-12-21
申请人： 英利集团有限公司
摘要： 本发明提供了一种多晶硅锭的晶体生长方法。该晶体生长方法包括加热阶段、熔化阶段、生长阶段、退火阶段和冷却阶段，其中，在生长阶段，从生长开始时至透顶完成时，将多晶铸锭的顶部中央区域温度维持在恒定值。本发明的晶体生长方法能够减小多晶硅锭生长过程中竖直方向上的温度梯度，使硅锭的生长速度更加平稳，进而使硅锭内部杂质更均匀地向液相分凝，能够有效地降低硅锭的晶体内部的缺陷密度，提升多晶硅锭的整体品质，从而由多晶硅锭制作的单个电池片的电池效率以及高效电池片的整体比例均得到提升。
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公开(公告)号：CN104451874B
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201410668029.7
申请日：2014-11-20
申请人： 英利集团有限公司 , 英利能源(中国)有限公司 , 保定天威英利新能源有限公司
摘要： 本发明提供了一种铸锭炉及硅锭的制备方法。该铸锭炉包括：隔热笼，隔热笼的底部具有窗口；多个百叶，设置于窗口的下方，各百叶的内部具有沿垂直于百叶厚度的方向上贯穿百叶的孔洞；以及挡板，设置于隔热笼中且位于隔热笼的两侧壁的底部。在该铸锭炉的百叶开启时百叶的散热面积得以增加，百叶的散热速率也随之增加，并提高了硅锭生长后期的长晶驱动力。当铸锭炉采用籽晶工艺时，由于在熔化阶段铸锭炉底部的散热速率增大，铸锭炉底部的温度降低，从而使得籽晶容易保留，进而提升了所制备硅锭的品质。同时，由于硅锭生长后期的长晶驱动力得以提高，从而提高了长晶后期长晶速率，并增加了硅液的流动性，进而加强杂质的分凝，进一步提高了出材率。
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公开(公告)号：CN102978687B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201210566780.7
申请日：2012-12-21
申请人： 英利集团有限公司
摘要： 本发明提供了一种多晶硅锭的晶体生长方法。该晶体生长方法包括加热阶段、熔化阶段、生长阶段、退火阶段和冷却阶段，其中，在生长阶段，从生长开始时至透顶完成时，将多晶铸锭的顶部中央区域温度维持在恒定值。本发明的晶体生长方法能够减小多晶硅锭生长过程中竖直方向上的温度梯度，使硅锭的生长速度更加平稳，进而使硅锭内部杂质更均匀地向液相分凝，能够有效地降低硅锭的晶体内部的缺陷密度，提升多晶硅锭的整体品质，从而由多晶硅锭制作的单个电池片的电池效率以及高效电池片的整体比例均得到提升。
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公开(公告)号：CN103320854B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310226208.0
申请日：2013-06-07
申请人： 英利集团有限公司
CPC分类号： C30B11/002 , C30B29/06
摘要： 本发明提供了一种坩埚用涂层结构、其制备方法及包括其的坩埚，该涂层结构包括隔离层和诱导层，其中隔离层覆于坩埚基材的表面上，诱导层覆于隔离层的表面上。该涂层结构采用隔离层和诱导层的双层结构，通过设置诱导层以承载硅熔体长晶，并促进硅熔体长晶的效果，保证多晶硅锭的质量，通过设置隔离层将所形成的多晶硅锭与坩埚本体进行隔离以防止坩埚本体内的杂质向多晶硅锭扩散，并防止坩埚与所生长的多晶硅锭粘连，使多晶硅锭顺利脱模，进而保证所制备的多晶硅锭的质量。
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公开(公告)号：CN103255470B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201310224081.9
申请日：2013-06-06
申请人： 英利集团有限公司
摘要： 本发明提供了一种硅铸锭炉及其泄漏检测装置。泄漏检测装置包括：托盘，托盘包括本体区域和围绕本体区域的周向设置的熔硅承接区域，熔硅承接区域上设置有多个通孔；检测线，设置于托盘的熔硅承接区域的上表面，且检测线沿多个通孔所构成的路径延伸，检测线的引脚穿过一个通孔；以及检测单元，与引脚电连接，用于检测检测线的电阻。本发明的泄漏检测装置的托盘设置在坩埚的下方，当发生泄漏时，熔硅流到托盘的熔硅承接区域上，将检测线熔断，导致检测线的电阻变为无穷大，检测单元对检测线的电阻进行监控，当检测到检测线的两个引脚之间的电阻值大于预设值，发出报警信号，以提醒工作人员硅铸锭炉内发生了熔硅泄漏事故。
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公开(公告)号：CN104451874A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410668029.7
申请日：2014-11-20
申请人： 英利集团有限公司 , 英利能源(中国)有限公司 , 保定天威英利新能源有限公司
摘要： 本发明提供了一种铸锭炉及硅锭的制备方法。该铸锭炉包括：隔热笼，隔热笼的底部具有窗口；多个百叶，设置于窗口的下方，各百叶的内部具有沿垂直于百叶厚度的方向上贯穿百叶的孔洞；以及挡板，设置于隔热笼中且位于隔热笼的两侧壁的底部。在该铸锭炉的百叶开启时百叶的散热面积得以增加，百叶的散热速率也随之增加，并提高了硅锭生长后期的长晶驱动力。当铸锭炉采用籽晶工艺时，由于在熔化阶段铸锭炉底部的散热速率增大，铸锭炉底部的温度降低，从而使得籽晶容易保留，进而提升了所制备硅锭的品质。同时，由于硅锭生长后期的长晶驱动力得以提高，从而提高了长晶后期长晶速率，并增加了硅液的流动性，进而加强杂质的分凝，进一步提高了出材率。
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公开(公告)号：CN104451873A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410668000.9
申请日：2014-11-20
申请人： 英利集团有限公司
摘要： 本发明提供了一种硅锭的制备方法及硅锭。该制备方法包括以下步骤：将装有硅原料的坩埚置于铸锭炉中，并对坩埚进行加热以使硅原料通过第一次熔化形成第一熔融硅；降低坩埚底部的温度，以使部分第一熔融硅通过第一次长晶形成第一晶体硅；对坩埚进行加热，以使部分第一晶体硅通过第二次熔化，并在坩埚中形成第二熔融硅；降低坩埚底部的温度，以使全部第二熔融硅通过第二次长晶形成第二晶体硅；对第二晶体硅进行退火和冷却，以获得硅锭。该制备方法能够使得杂质得到进一步分凝，从而降低了所形成硅锭中的杂质的含量和缺陷密度，进而提高了生长形成硅锭的品质。
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公开(公告)号：CN103320854A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310226208.0
申请日：2013-06-07
申请人： 英利集团有限公司
CPC分类号： C30B11/002 , C30B29/06
摘要： 本发明提供了一种坩埚用涂层结构、其制备方法及包括其的坩埚，该涂层结构包括隔离层和诱导层，其中隔离层覆于坩埚基材的表面上，诱导层覆于隔离层的表面上。该涂层结构采用隔离层和诱导层的双层结构，通过设置诱导层以承载硅熔体长晶，并促进硅熔体长晶的效果，保证多晶硅锭的质量，通过设置隔离层将所形成的多晶硅锭与坩埚本体进行隔离以防止坩埚本体内的杂质向多晶硅锭扩散，并防止坩埚与所生长的多晶硅锭粘连，使多晶硅锭顺利脱模，进而保证所制备的多晶硅锭的质量。
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公开(公告)号：CN103255470A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310224081.9
申请日：2013-06-06
申请人： 英利集团有限公司
摘要： 本发明提供了一种硅铸锭炉及其泄漏检测装置。泄漏检测装置包括：托盘，托盘包括本体区域和围绕本体区域的周向设置的熔硅承接区域，熔硅承接区域上设置有多个通孔；检测线，设置于托盘的熔硅承接区域的上表面，且检测线沿多个通孔所构成的路径延伸，检测线的引脚穿过一个通孔；以及检测单元，与引脚电连接，用于检测检测线的电阻。本发明的泄漏检测装置的托盘设置在坩埚的下方，当发生泄漏时，熔硅流到托盘的熔硅承接区域上，将检测线熔断，导致检测线的电阻变为无穷大，检测单元对检测线的电阻进行监控，当检测到检测线的两个引脚之间的电阻值大于预设值，发出报警信号，以提醒工作人员硅铸锭炉内发生了熔硅泄漏事故。
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