公开(公告)号：CN103988270A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201180075513.3

申请日：2011-12-14

Applicant: 英特尔公司

Inventor： E·C·汉娜 ,  C·L·平特 ,  C·W·霍尔茨瓦特 ,  J·L·古斯塔夫松

IPC: H01G4/005 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G11/24 ,  H01G11/04 ,  H01G11/08 ,  H01G11/12 ,  H01G11/14 ,  H01G11/84 ,  H01G13/00 ,  Y02E60/13

Abstract: 在本发明的一个实施例中，说明了一种形成储能设备的方法，其中，在电化学蚀刻浴中电化学蚀刻导电衬底的多孔结构的同时原位测量导电衬底的多孔结构，直到获得预定值为止，此时可以从电化学蚀刻浴中移出导电衬底。在另一个实施例中，说明了一种形成储能设备的方法，其中，测量导电多孔结构以确定导电多孔结构的储能容量。随后减小导电多孔结构的储能容量，直到获得预定储能容量值为止。

公开(公告)号：CN103988270B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201180075513.3

申请日：2011-12-14

Applicant: 英特尔公司

Inventor： E·C·汉娜 ,  C·L·平特 ,  C·W·霍尔茨瓦特 ,  J·L·古斯塔夫松

IPC: H01G4/005 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G11/24 ,  H01G11/04 ,  H01G11/08 ,  H01G11/12 ,  H01G11/14 ,  H01G11/84 ,  H01G13/00 ,  Y02E60/13

Abstract: 在本发明的一个实施例中，说明了一种形成储能设备的方法，其中，在电化学蚀刻浴中电化学蚀刻导电衬底的多孔结构的同时原位测量导电衬底的多孔结构，直到获得预定值为止，此时可以从电化学蚀刻浴中移出导电衬底。在另一个实施例中，说明了一种形成储能设备的方法，其中，测量导电多孔结构以确定导电多孔结构的储能容量。随后减小导电多孔结构的储能容量，直到获得预定储能容量值为止。